Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | auf Bestellung 5897 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4010TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4010TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020PBF | Infineon / IR | MOSFET 200V 1 N-CH DIGITAL AUDIO HEXFET SWITCH | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 762 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; D2PAK Polarisation: unipolar Case: D2PAK Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 100W Drain current: 18A Drain-source voltage: 200V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 39 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs Aud MOSFT 200V 18A 105mOhm 18nC Qg | auf Bestellung 5876 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4020TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4020TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4020TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.085 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115 Produktcode: 99514
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Idd, A: 105 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5320/73 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4115 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4115-7P | International Rectifier | N-MOSFET 105A 150V 380W IRFS4115-7P TIRFS4115-7P Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4115-7P Produktcode: 99515
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7) Drain-Source-Spannung Uds, V: 150 V Drain-Strom Idd, A: 105 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 10 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5320/73 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4115-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115PBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 12.1mOhms 77nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1289 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | auf Bestellung 2050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 105A 11.8mOhm 73nC Qg | auf Bestellung 243 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon | MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 239 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 758 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 41638 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 150V 105A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 263 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 63A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm | auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm | auf Bestellung 423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 790 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1688 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg | auf Bestellung 12790 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 70A Pulsed drain current: 396A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Id = 195 A, Ptot, Вт = 375, Udss, В = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 12.1 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 800 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4127PBF Produktcode: 99017
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V Drain-Strom Idd, A: 72 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 18,6 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 5380/100 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4127PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4127PBF | Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET SWITCH | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4127TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 22mOhm; 72A; 375W; -55°C ~ 175°C; IRFS4127, IRFS4127TRL IRFS4127 TIRFS4127 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg | auf Bestellung 1445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF Produktcode: 147925
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V | auf Bestellung 3159 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 28800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4127TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS41N15D | IR | 07+ TO-263 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DPBF | Infineon / IR | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 72nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 11550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS41N15DTRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLP | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLP | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 41A 45mOhm 72nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2520 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS41N15DTRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227 | IR | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4227 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | Infineon | IRFS4227PBF IRFS4227TRLPBF MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 62 А, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 4600 @ 25, Qg, нКл = 98 @ 10 В, Rds = 26 мОм @ 46 A, 10 В, Tексп, °C = -40...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 26mOhm; 62A; 330W; -40°C ~ 175°C; IRFS4227, IRFS4227TRL IRFS4227 TIRFS4227 Anzahl je Verpackung: 5 Stücke | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 23200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4227TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |