Produkte > IRF
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis | ||||||||||||
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 265 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 83A Power dissipation: 330W | auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg | auf Bestellung 3470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | auf Bestellung 25765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | auf Bestellung 25600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 234 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4321TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410PBF | IR | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFS4410PBF - IRFS4410 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 120nC | auf Bestellung 4612 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410PBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC | auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | auf Bestellung 842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 88A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 247 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 247 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3200 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410Z Produktcode: 99517
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 100 Idd,A: 97 Rds(on), Ohm: 7.2 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4820/83 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410Z | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube | auf Bestellung 215 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 83nC | auf Bestellung 613 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZPBF | Infineon | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK On-state resistance: 9mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 69A Power dissipation: 230W Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 390A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Case: D2PAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 11200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg | auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 797 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 | auf Bestellung 11253 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 205 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 83 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4410ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 59 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS450 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IRFS450B | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 360 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS450B | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS450B Produktcode: 37978
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS450B | onsemi | MOSFETs 500V N-Channel B-FET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS450B | On Semiconductor | N-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510PBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510PBF | IRFS4510PBF Транзисторы | auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IRFS4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 26400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 19200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HexFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 244 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 37600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 26400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFS4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IRFS4610 Produktcode: 99518
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2Pak (TO-263-3) Uds,V: 100 Idd,A: 73 Rds(on), Ohm: 11 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3550/90 JHGF: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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