Produkte > TSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| TSM2301ACX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P Channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -2.8A, Single P-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 72000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 15 V | auf Bestellung 92293 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.6A; 450mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.6A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.2nC | auf Bestellung 2365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2301ACX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2301ACX-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 170mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: TSM2301CX RFG; TSM2301CX-CN CHIPNOBO TTSM2301cx CNB Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2301BCX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301BCX | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| TSM2301BCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301BCX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel Mosfet | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301BCX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301CX | Taiwan Semiconductor | 20V P Chanel Mosfet Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301CX Produktcode: 130402
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| TSM2301CX | TEMPORAR | 06+ TSSOP8 | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301CX | JGSEMI | Transistor P-MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 3,6A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2301CX RFG; TSM2301CX JGSEMI TTSM2301cx JGS Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2301CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V P Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,8A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2301CX RF; TSM2301CX-RFG; TSM2301ACX; TSM2301BCX RFG; TSM2301ACX RFG; Zamiennikiem b?dzie: TSM650P02CX; TSM2301ACX RFG TTSM2301cx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2301CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2301CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -2.8A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2301CXRF | auf Bestellung 2558 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| TSM2302CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V N channel MOSFET | auf Bestellung 11900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2302CX | JGSEMI | Transistor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2302CX RFG; TSM2302CX JGSEMI TTSM2302cx JGS Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 820 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Gate charge: 7.8nC On-state resistance: 65mΩ Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±8V Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V | auf Bestellung 36531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 14073 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2302CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 4295 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 3.9A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2302CX(Transistor) Produktcode: 48007
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| TSM2302CX-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 115mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; Equivalent: TSM2302CX RFG; TSM2302CX-CN CHIPNOBO TTSM2302cx CNB Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2302CXRF | auf Bestellung 37000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V, -1.3A, Single P-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 11745 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2303CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -30V -1.3A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2305CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V | auf Bestellung 91054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 170 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V | auf Bestellung 90000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 14990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2305CX RFG | Taiwan Semiconductor | P Channel Power MOSFET | auf Bestellung 42000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2306CX | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2306CX RFG TTSM2306cx Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2306CX | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 15000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2306CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V | auf Bestellung 61190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2306CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2306CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2306CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2306CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 30V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2306CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2306CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 30V 3.5A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2307CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V P channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm | auf Bestellung 16749 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2307CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 29218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2307CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; TSM2307CX RFG TSM2307CX TTSM2307cx Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 60 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2307CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -30V -3A Single P-Ch annel Power MOSFET | auf Bestellung 13935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2307CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 800mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 15nC | auf Bestellung 194 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2308CX | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 3A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2308CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2308CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2308CX RFG TSM2308CX TTSM2308cx Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2308CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 7264 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2308CX RFG | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2308CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2308CX RFG | Taiwan Semiconductor | N Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 42000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2308CX RFG-VB | VBsemi | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Replacement for: TSM2308CX RFG; TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI TTSM2308cx VBS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2309CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60V, -3.1A, SINGLE P-CHANNEL PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | P Chanel Mosfet Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V | auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 1.56W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 8.2nC | auf Bestellung 2807 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 3,1A; 1,56W; -50°C ~ 150°C; TSM2309CX RFG TSM2309CX TTSM2309cx Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2309CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V | auf Bestellung 74494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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