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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorMOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CITaiwan SemiconductorMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 3148 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.55 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 28534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.14 EUR
16+1.33 EUR
100+0.88 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.55 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.49 EUR
12500+0.46 EUR
17500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06PQ56Taiwan SemiconductorMOSFET 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.86 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
auf Bestellung 5680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
11+2 EUR
100+1.33 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2310CX
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2310CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CX
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -20V -4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.095 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
15000+0.081 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.071 EUR
150000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CX-01 RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2311CXRF
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2312CX RFG TTSM2312cx
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V
auf Bestellung 152875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
21+1.01 EUR
100+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2312CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.096 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
15000+0.081 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.071 EUR
150000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2313CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2313CX
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
auf Bestellung 4611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
auf Bestellung 32378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
21+1.04 EUR
100+0.68 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 13551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
153+1.52 EUR
170+1.26 EUR
500+1.12 EUR
1500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
15000+0.33 EUR
21000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 4.9A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
auf Bestellung 186 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
109+0.79 EUR
154+0.56 EUR
177+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 13551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
153+1.52 EUR
170+1.26 EUR
500+1.12 EUR
1500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 4.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.096 EUR
3000+0.087 EUR
6000+0.084 EUR
15000+0.081 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.071 EUR
150000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2314CXRF
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CXTaiwan SemiconductorMOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CXTaiwan SemiconductorMOSFET 40V N channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX
auf Bestellung 11000 Stücke:
Lieferzeit 18-25 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V N channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
772+0.23 EUR
1163+0.14 EUR
1728+0.09 EUR
1746+0.086 EUR
2223+0.064 EUR
2458+0.056 EUR
3145+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 772 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1728+0.1 EUR
1746+0.099 EUR
2223+0.075 EUR
2458+0.067 EUR
3145+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 1728 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 40V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ TSM2318CX Taiwan Semi TTSM2318cx
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
auf Bestellung 142784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
20+1.06 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 66151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 7086 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
141+1.65 EUR
149+1.44 EUR
500+1.34 EUR
1500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2323CX RFG TTSM2323cx
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.49 EUR
15000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.7A
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 39mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±8V
auf Bestellung 119 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+1.48 EUR
74+1.17 EUR
117+0.73 EUR
119+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
auf Bestellung 5450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
94+2.49 EUR
107+2.01 EUR
500+1.68 EUR
1500+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFG
Produktcode: 186937
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2323CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 1.5A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
auf Bestellung 26640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
28+0.77 EUR
100+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 100V, 1.5A, Single N-Channel Power MOSFET
auf Bestellung 16611 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.52 EUR
100+0.51 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.74 EUR
6000+0.55 EUR
9000+0.54 EUR
15000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM2328CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 24000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23C-2CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 142oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23C-3CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 212oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23C-4CGApplied MotionStepper Motors NEMA23 340oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23P-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23P-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23P-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23Q-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23Q-2RGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS485 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23Q-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23Q-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS485 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23Q-4AGApplied MotionStepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23Q-4RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Q Programming & Modbus/RTU
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1739.32 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23S-2AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Streaming Command support
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1269.52 EUR
5+1245.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23S-2RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23S-3AGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TSM23S-3RGApplied MotionStepper Motors NEMA 23, SCL
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