Produkte > Tsm
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| TSM2309CX RKG | Taiwan Semiconductor | MOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2309CX RKG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2309CX RKG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CI | Taiwan Semiconductor | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 50A ITO220 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CP | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CP | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 60V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cp Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 3148 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM230N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V | auf Bestellung 28534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM230N06CZ C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06PQ56 | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM230N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM230N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V | auf Bestellung 5680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2310CX | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2310CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2311CX | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2311CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2311CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2311CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2311CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: P-Channel -20V -4A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2311CX-01 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2311CXRF | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2312CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2312CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V N Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2312CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2312CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2312CX RFG TTSM2312cx Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2312CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2312CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2312CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 480mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2312CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 750mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 10 V | auf Bestellung 152875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2312CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 4.9A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2313CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2313CX | auf Bestellung 69000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2314CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V N channel MOSFET | auf Bestellung 4611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2314CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2314CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; 800mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT23 Kind of package: tape Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V | auf Bestellung 186 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2314CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | auf Bestellung 13551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2314CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V | auf Bestellung 32378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2314CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2314CX RFG TTSM2314cx Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2314CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2314CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.9 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 850mV Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm | auf Bestellung 13551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2314CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2314CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2314CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 20V, 4.9A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2314CX RFG-ML | MOSLEADER | Description: N-Channel 20V 4.9A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2314CXRF | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2318CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2318CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 40V N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2318CX | auf Bestellung 11000 Stücke: Lieferzeit 18-25 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| TSM2318CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V N channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V | auf Bestellung 142784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V | auf Bestellung 141000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 40V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 36000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2318CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | N-MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mΩ TSM2318CX Taiwan Semi TTSM2318cx Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2323CX | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2323CX RF | Taiwan Semiconductor | MOSFET 20V P Channel MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2323CX RFG Produktcode: 186937
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
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| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 66151 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | auf Bestellung 7086 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -20V, -4.7A, Single P-Channel Power MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor Co., Ltd. | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2323CX RFG TTSM2323cx Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 800mW; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: tape Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.7A Gate charge: 19nC On-state resistance: 39mΩ Power dissipation: 0.8W Gate-source voltage: ±8V | auf Bestellung 119 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2323CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2323CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm | auf Bestellung 5450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| TSM2328CX | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 1.5A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2328CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2328CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V | auf Bestellung 26640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2328CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM2328CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFETs 100V, 1.5A, Single N-Channel Power MOSFET | auf Bestellung 16611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2328CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V | auf Bestellung 23500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM2328CX RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 24000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23C-2CG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 142oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23C-3CG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 212oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23C-4CG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 340oz-in 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23P-2AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23P-3AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23P-4AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23Q-2AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS232 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23Q-2RG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS485 142ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23Q-3AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS232 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23Q-3RG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS485 212ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23Q-4AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA23 RS232 340ozIn 12-70VDC Intgrd Stpr | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23Q-4RG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Q Programming & Modbus/RTU | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM23S-2AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA 23 Integrated StepSERVO Motor w/ Streaming Command support | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| TSM23S-2RG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA 23, SCL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23S-3AG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA 23, SCL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| TSM23S-3RG | Applied Motion | Stepper Motors NEMA 23, SCL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
