Produkte > IPP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| IPP60R190P6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R190P6XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 151W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm | auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 86000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon | IPP60R190P6XKSA1 N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 Produktcode: 155590
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R190P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CP | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 364 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R199CP | Infineon Technologies | Description: IPP60R199 - 600V COOLMOS N-CHANN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 151 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CP Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 139W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.199Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R199CPXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 139W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm | auf Bestellung 1493 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V | auf Bestellung 499 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 305 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 Produktcode: 116583
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 342 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R199CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | auf Bestellung 1067 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 8871 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R1K4C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R1K4C6XKSA1 - IPP60R1K4 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 12218 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 8998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 3.2A TO220-3 | auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R1K4C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015 pF @ 400 V | auf Bestellung 125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R210CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R210CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 64W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm | auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 326 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R210CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R230P6 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R230P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA Power Dissipation (Max): 126W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R250CP | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R250CPXK | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | auf Bestellung 903 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon | IPP60R280C6XKSA1 IPP60R280C6 MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280C6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280C6XKSA1 - IPP60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6 | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | auf Bestellung 288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R280CFD7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R280CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.237 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.237ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 437 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 217 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 13.8A TO220-3 CoolMOS E6 | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280E6 | Infineon Technologies | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280E6XKSA1 - IPP60R280 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2027 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 401 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 2176 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | auf Bestellung 2027 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280E6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6 | Infineon | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| IPP60R280P6 | Infineon Technologies | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P6 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 22466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 13.8A TO220-3 | auf Bestellung 422 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 104W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P6XKSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP60R280P6XKSA1 - IPP60R280 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 24466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 409 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| IPP60R280P7XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP60R280P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.214 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 12 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 53 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS P7 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.214 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V | auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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