Produkte > BSC
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSC097N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC097N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V | auf Bestellung 5197 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC097N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Bulk | auf Bestellung 16939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC097N06NSTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC097N06NSTATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 8000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 4602 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC097N06NSTATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 13A/48A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC098N10NS5 | Infineon Technologies | MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5 | auf Bestellung 21597 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC098N10NS5 | Infineon | BSC098N10NS5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 60 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2100 @ 50, Qg, нКл = 28, Rds = 9,8 мОм, Ugs(th) = 3,8 В, Р, Вт = 2,5 (Ta), 69 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: 8-PowerTDFN Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke | verfügbar 20 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 7351 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC098N10NS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC098N10NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 69W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs Pwr transistor 100V OptiMOS 5 | auf Bestellung 23555 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 60A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 36µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V | auf Bestellung 3622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC098N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 15 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC098N10NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 69W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | auf Bestellung 2886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Not For New Designs | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0993NDATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC0993NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 17 A, 17 A, 0.005 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 17A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 4660 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 11103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 17A TISON8 Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: PG-TISON-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC0993NDATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin TISON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0996NSATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC0996NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | auf Bestellung 31 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100A | Essentra | Mounting Fixings | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03LS | INF | 09+ | auf Bestellung 3693 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03LSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03LSG | infineon | 08+ | auf Bestellung 150000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/44A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MS G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N03MSG | Infineon technologies | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC100N03MSG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M | auf Bestellung 15658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 4729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 1321 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | auf Bestellung 65175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N06LS3GATMA1 Produktcode: 116160
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 Gate-source voltage: ±20V Features of semiconductor devices: logic level Pulsed drain current: 200A | auf Bestellung 536 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon | N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Транзистори | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm | auf Bestellung 64865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V | auf Bestellung 26722 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 65000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 18240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 11223 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N10NSF G | Infineon | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC100N10NSF G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 3513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N10NSFG | Infineon technologies | auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N10NSFGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 156W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm | auf Bestellung 2854 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 9980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | BSC100N10NSFGATMA1 Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R - Arrow.com | auf Bestellung 81 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N10NSFGATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC100N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 156W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2874 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 50 V | auf Bestellung 3611 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC100N10NSFGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.4A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 11.4A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC105N10LSF G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2 | auf Bestellung 4285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC105N10LSFGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC105N10LSFGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC105N10LSFGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 11.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V | auf Bestellung 2125 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC105N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.0105 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >100-150V | auf Bestellung 3097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 10.7A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC105N15LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 75 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC106N025S G | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 25V 13A/30A TDSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC106N025SG | auf Bestellung 8639 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSC109N10NS3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 63A TDSON-8 OptiMOS 3 | auf Bestellung 7366 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC109N10NS3 G Produktcode: 218871
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC109N10NS3 G | Infineon | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC109N10NS3G | Infineon technologies | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 11306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | auf Bestellung 15024 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSC109N10NS3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0109 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 52 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSC109N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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