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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63-QRNexperiaBipolar Transistors - BJT PNP high-voltage transistor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63-QRNexperia USA Inc.Description: TRANS PNP 100V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63-QRNexperiaTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63/AT
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63/BMPPHILIPS
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Bss630HBEFuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 179020.0,63; 0034.1514 Fuse: fast-acting; 630mA Bss630
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1710+0.1 EUR
2500+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 1710 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.81 EUR
508+0.45 EUR
807+0.26 EUR
1063+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
auf Bestellung 6956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.37 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS63AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
310+0.81 EUR
508+0.45 EUR
807+0.26 EUR
1063+0.2 EUR
1500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
538+0.32 EUR
869+0.2 EUR
1187+0.14 EUR
1357+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 538 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1132+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1132 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.081 EUR
2500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1249+0.14 EUR
1291+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Pch -100V -100mA High-Voltage Amplifier Transistor
auf Bestellung 7350 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63E6327
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1onsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT-23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6666 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16854+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 16854 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorТранзистор PNP, Ptot, Вт = 1,3, Uceo, В = 100, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 5, hFE = 30 @ 25 мA, 1 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 2.5 мA, 25 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.52 EUR
794+0.3 EUR
1299+0.17 EUR
1815+0.12 EUR
2062+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3155+0.055 EUR
9000+0.052 EUR
27000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6025+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6025 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1069 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
166+0.13 EUR
500+0.092 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 110V PNP
auf Bestellung 13933 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16854+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 16854 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON-SemiconductorTransistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.52 EUR
794+0.3 EUR
1299+0.17 EUR
1815+0.12 EUR
2062+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3691+0.048 EUR
6000+0.043 EUR
9000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3691 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
9000+0.04 EUR
27000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GOn SemiconductorSOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
625+0.13 EUR
893+0.095 EUR
1051+0.081 EUR
1568+0.055 EUR
1819+0.046 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63LT1G
Produktcode: 173698
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS63R
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BSS63T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
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BSS63T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
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BSS64onsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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BSS64onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
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BSS64ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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447+0.39 EUR
605+0.27 EUR
611+0.26 EUR
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1348+0.11 EUR
1361+0.1 EUR
1977+0.069 EUR
3000+0.054 EUR
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BSS64ONS/FAISOT-23 Транзистори
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BSS64 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.089 EUR
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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2278+0.076 EUR
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BSS64,215NXPNPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64 NXP TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS64,215NexperiaBipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
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10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.088 EUR
24000+0.083 EUR
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS64,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60...100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: 7 inch reel; tape
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BSS64,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 492 Stücke:
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BSS64,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
6000+0.064 EUR
9000+0.054 EUR
15000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3969+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3969 Stücke
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BSS64,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS64/ATPHILIPSSOT23
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
53+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier Transistor
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.8 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.081 EUR
2500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier Transistor
auf Bestellung 7940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
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BSS64E6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS64E6327 - BSS64 - SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400µA, 4mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7059+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7059 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64E6327Infineon TechnologiesBSS64E6327
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11905+0.055 EUR
100000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 11905 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
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BSS64LT1ON07+;
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.068 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
334+0.25 EUR
506+0.17 EUR
727+0.12 EUR
849+0.1 EUR
1202+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 334 Stücke
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BSS64LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 1147 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
56+0.38 EUR
91+0.23 EUR
148+0.14 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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BSS64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3000+0.068 EUR
6000+0.061 EUR
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BSS64LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
auf Bestellung 14674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
15+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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BSS64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
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BSS64LT1GOn SemiconductorSOT-23 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
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7+0.86 EUR
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