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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16854+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 16854 Stücke
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8 Stücke:
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BSS63LT1GON-SemiconductorTransistor PNP; 30; 350mW; 100V; 200mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS63LT1G; BSS63; BSS63LT1G TBSS63
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2750 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3691+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3691 Stücke
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3788+0.046 EUR
9000+0.042 EUR
27000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3788 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS63LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 95MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
479+0.52 EUR
794+0.3 EUR
1299+0.17 EUR
1815+0.12 EUR
2062+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 479 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 95MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 30
Collector-emitter voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 3345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1361+0.13 EUR
2294+0.075 EUR
3664+0.045 EUR
4652+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 1361 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GON SemiconductorTrans GP BJT PNP 100V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3677+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3677 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63LT1GonsemiDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 95MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 15745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
103+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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BSS63R
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63RE6327INFINEON04+
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS63T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS63T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SST3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64ONS/FAISOT-23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS64ON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
447+0.39 EUR
605+0.29 EUR
611+0.27 EUR
1336+0.12 EUR
1348+0.11 EUR
1361+0.11 EUR
1977+0.07 EUR
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 447 Stücke
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BSS64onsemiBipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS64 NXPNXPNPN 80V 0.1A 250mW 100MHz BSS64,215 BSS64,215 TBSS64 NXP
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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BSS64 T/Ronsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
Produkt ist nicht verfügbar
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BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2278+0.079 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 2278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2278+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 2278 Stücke
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BSS64,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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BSS64,215NEXPERIACategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60...100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.076 EUR
6000+0.065 EUR
9000+0.055 EUR
15000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NexperiaBipolar Transistors - BJT BSS64/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 5223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.088 EUR
24000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NexperiaTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3969+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3969 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 80V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - BSS64,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64/ATPHILIPSSOT23
auf Bestellung 360000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2788 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
51+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5887 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+1.05 EUR
399+0.58 EUR
633+0.33 EUR
848+0.25 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier
auf Bestellung 17845 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.17 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS64AHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 100 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 30hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 2521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2137+0.083 EUR
2500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2137 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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 Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSS64AT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 200 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
715+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 715 Stücke
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BSS64AT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 100V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64AT116ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Transistor, NPN, SOT-23, 100V 100mA, High-Voltage Amplifier
auf Bestellung 690 Stücke:
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5+0.74 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSS64E6327ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSS64E6327 - BSS64 - SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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BSS64E6327Infineon TechnologiesBSS64E6327
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11905+0.056 EUR
100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11905 Stücke
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BSS64E6327Infineon TechnologiesDescription: TRANS NPN 80V 0.8A SOT-23
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 400µA, 4mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 330 mW
auf Bestellung 114000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7059+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7059 Stücke
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BSS64LT1ON07+;
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS64LT1onsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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 Mindestbestellmenge: 18000 Stücke
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BSS64LT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
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BSS64LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Frequency: 60MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Current gain: 20
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSS64LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.082 EUR
6000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
517+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 517 Stücke
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BSS64LT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 120V NPN
auf Bestellung 14674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.38 EUR
13+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.083 EUR
6000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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BSS64LT1GON-SemiconductorTransistor NPN; 20; 350mW; 80V; 200mA; 60MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS64LT1G; BSS64 ONS; BSS64LT1G AM.. TBSS64
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
300+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BSS64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64LT1GonsemiDescription: TRANS NPN 80V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
84+0.25 EUR
135+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64LT1GOn SemiconductorSOT-23 Транзистори
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSS64LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BSS64LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
524+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 524 Stücke
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BSS64LT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 80V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.07 EUR
6000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS64R/U6PPHILIPS
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS64T116Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 350 mW
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS65PHI/MOT
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS65TA
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BSS66(Z)Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BSS66TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BSS66TConsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
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BSS66TCDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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BSS670ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
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BSS670AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
332+0.7 EUR
519+0.42 EUR
752+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
632+0.29 EUR
656+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 632 Stücke
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BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.07 EUR
32+0.67 EUR
50+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116ROHMDescription: ROHM - BSS670AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 650 mA, 0.68 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
332+0.7 EUR
519+0.42 EUR
752+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
432+0.61 EUR
565+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 432 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116ROHM SemiconductorMOSFETs SOT23 N-CH 60V .65A
auf Bestellung 1101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.08 EUR
10+0.49 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670AHZGT116Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 650MA, SOT-23, SMALL SIG
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680mOhm @ 650mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L H6327Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
auf Bestellung 13711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.49 EUR
100+0.31 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSS670S2L H6327
Produktcode: 165851
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSS670S2L H6433Infineon TechnologiesMOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
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BSS670S2L L6327INFINEON09+ SOP
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BSS670S2L L6327Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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BSS670S2L-L6327INFINEONSOP8
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BSS670S2LH6327Infineon technologies
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BSS670S2LH6327XTInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1InfineonMOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23 Транзистори
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1INFINEONDescription: INFINEON - BSS670S2LH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 540 mA, 0.65 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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21000+0.081 EUR
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75000+0.063 EUR
150000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 0.54A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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BSS670S2LH6327XTSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
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