Produkte > IPT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPT60R150G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS G7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 3525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER NEW | auf Bestellung 869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60R160CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT60R160CM8XTMA1 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT60R160CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 1157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60R160CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT60R160CM8XTMA1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 150µA Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT60R180CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor | auf Bestellung 2570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60R180CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT60R180CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT60R180CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT60R180CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 119W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V | auf Bestellung 1532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V | auf Bestellung 1031 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T022S7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 12V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm | auf Bestellung 1917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T040S7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T040S7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T040S7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V | auf Bestellung 2198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T040S7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT60T040S7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT60T065S7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 1930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T065S7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 228 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT60T065S7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT64 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 400 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 500 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R018CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT65R018CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R018CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R018CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 134A Power dissipation: 694W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 173nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R018CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT65R018CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V | auf Bestellung 335 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R025CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R025CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 101A Power dissipation: 543W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 124nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R025CM8XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R025CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 101 A, 0.025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 543W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | auf Bestellung 1958 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R033G7 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Infineon | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R033G7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 391W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R033G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R040CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 3968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R040CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 347W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R040CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4096 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R040CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R040CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 347W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 1939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R040CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT65R040CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V | auf Bestellung 1660 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R040CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R040CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPT65R040CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R040CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 650V Drain current: 67A Power dissipation: 390W Case: PG-HSOF-8 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R060CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R060CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R060CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R060CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm | auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R060CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R080CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 201W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R080CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R080CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 201W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm | auf Bestellung 1770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R080CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R080CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R099CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm | auf Bestellung 1679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R099CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R099CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R099CFD7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R099CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 167W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm | auf Bestellung 1679 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R099CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R105G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R105G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R105G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R125CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R125CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm | auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R125CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R125CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R125CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm | auf Bestellung 1965 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R155CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET | auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R155CFD7XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 122W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm | auf Bestellung 1995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPT65R155CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: HIGH POWER_NEW Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R190CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R190CFD7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R190CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V | auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R190CFD7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R195G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R195G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1788 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT65R195G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF Packaging: Bulk Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V | auf Bestellung 172664 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPT65R195G7XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 97W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT66 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT68 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 800 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT72V211L15PFI | LATTICE | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPT72V245L15TF | 01+ QFP | auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPT72V3640L15PF | auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPT84 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 400 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT85 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 500 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT86 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 600 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPT88 | Hammond Manufacturing | Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 800 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPTA60R180CM8XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V Verlustleistung: 119W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LHSOF Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CM8 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | auf Bestellung 2260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPTA60R180CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_NEW | auf Bestellung 1541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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