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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI570NCA000830DGSilicon LabsProgrammable Oscillators
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Si571Silicon LabsProgrammable Oscillators
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SI5744CNU
auf Bestellung 880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI57C-08200----Утримувач для двох Sim карт Аксесуари для GSM модемів
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SI57C-08200Утримувач для двох Sim карт, старі назви ATOM010050030138, SI13C-08201, SI31C-08200 - покращена пружність контактів та притиск картки. HOLDER
auf Bestellung 8010 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI57X-EVBSilicon LabsОціночна плата для генераторів частоти Si53x, Si55x, Si57x, Діапазон частот = 100 кГц до 1.4ГГц, Робочий струм = 230 мА, Робоча напруга = 1.8 В, 2.5 В, 3.3 В, 5 В,... Програмні та апаратні налагоджувальні засоби Корпус: EvBoard Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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SI581SOP-8
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5812
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI581DJ.09+ .
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI582DJVISHAY03+ DIP8
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI582DY
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5845-150K
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5853VISHAY
auf Bestellung 150000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5853CDC
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5853CDC-T1-E3VISHAY1206-8
auf Bestellung 5675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5853CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 3.1W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI5853DCVISHAY09+
auf Bestellung 4518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5853DC-T1VISHAY0405+
auf Bestellung 18241 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5853DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853DC-T1-E3VISHAYSOT23-8
auf Bestellung 22950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853DC-TI
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si5853DDC-1
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853DDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.9A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 10 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853DDC-T1-E3VISHAYSOT-163
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853DDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.0A 3.1W 105mohm @ 4.5V
auf Bestellung 3598 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5853DDS-T1-E3
auf Bestellung 4904 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855CDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 276 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855CDC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V
auf Bestellung 4976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855DC
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855DC-T1VISHAYTO23-8
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5855DC-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5855DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5856DC-T1VISHAY1206-8
auf Bestellung 10541 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5856DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5857DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5858DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 5921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.8 EUR
100+1.36 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 1257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+1.77 EUR
99+1.74 EUR
126+1.34 EUR
250+1.3 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
auf Bestellung 3482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 21605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+2.01 EUR
100+1.54 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 2028 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.17 EUR
99+1.7 EUR
100+1.62 EUR
130+1.2 EUR
250+1.14 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902BDC-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DCSI02+ SOT-323-6
auf Bestellung 18999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1VISHAY
auf Bestellung 42200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5902DC-T1-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1VISHAY03+ SOT
auf Bestellung 3025 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 2.1A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5903DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5904DCVISHAY
auf Bestellung 8880 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5904DC-T1
auf Bestellung 2800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5904DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI5904DC-T1-E3Vishay09+ SOT-23-5
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5904DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
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SI5904DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Produkt ist nicht verfügbar
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SI5904DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905BDC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905BDC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI5905DC
auf Bestellung 4520 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5905DC-T1VISHAYSOT23-8
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5905DC-T1-E3VISHAY05+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5905DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5905DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI5905DC-TI-E3
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI5906DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI5906DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
Produkt ist nicht verfügbar
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SI5906DU-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
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SI5908BDC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
auf Bestellung 5310 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.45 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI5908DC-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.88 EUR
10+2.46 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI5908DC-T1-E3VISHAYSOT23-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 13333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.59 EUR
10+2.12 EUR
100+1.65 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.14 EUR
3000+1.07 EUR
6000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI5908DC-T1-E3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.4 A, 4.4 A, 0.032 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.032ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.032ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 216 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+3.93 EUR
91+2.55 EUR
127+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.07 EUR
6000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8-Pin Chip FET T/R
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs 1206-8 ChipFET
auf Bestellung 33407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.49 EUR
100+1.17 EUR
500+1.02 EUR
6000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5908DC-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 1206-8 ChipFET™
Part Status: Active
auf Bestellung 11042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
12+1.77 EUR
100+1.4 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI5913DC-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 4.0A 3.1W 84mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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