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MOSFETs LOW POWER_LEGACY

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R230P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 530µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R230P6ATMA1

MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R250CP

MOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 176 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.2 EUR
10+	6.5 EUR
100+	5.32 EUR
500+	4.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R250CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V

auf Bestellung 41770 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.96 EUR

Mindestbestellmenge: 202 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R250CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk

auf Bestellung 62000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

202+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 202 Stücke

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IPB60R250CPATMA1

MOSFET N-Ch 600V 12A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R250CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280C6

MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 430µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 13.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	2.13 EUR
84+	2.02 EUR
85+	1.92 EUR
100+	1.81 EUR
250+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280C6ATMA1

MOSFET N-Ch 600V 13.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V

auf Bestellung 960 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.55 EUR
10+	3.58 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280CFD7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 689-693 Tag (e)

1+	5.43 EUR
10+	4.52 EUR
100+	3.58 EUR
250+	3.31 EUR
500+	3 EUR
1000+	2.57 EUR
2000+	2.45 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3-2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 807 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P6ATMA1

MOSFETs LOW POWER_PRICE/PERFORM

auf Bestellung 860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.9 EUR
10+	3.27 EUR
100+	2.24 EUR
500+	1.83 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.55 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)

auf Bestellung 982 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.66 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 13.8A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 430µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.75 EUR
2000+	1.62 EUR
3000+	1.56 EUR
5000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
200+	2.09 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 761 pF @ 400 V

auf Bestellung 6157 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.4 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 888 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.77 EUR
76+	3.08 EUR
87+	2.46 EUR
200+	2.09 EUR
500+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 495 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.92 EUR
71+	2.39 EUR
73+	2.23 EUR
100+	1.73 EUR
250+	1.64 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R280P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 6048 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.2 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.8 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.61 EUR
5000+	1.56 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CP

MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPA

auf Bestellung 72000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPA

MOSFETs N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA

auf Bestellung 991 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.2 EUR
10+	5.19 EUR
25+	4.9 EUR
100+	4.21 EUR
250+	3.97 EUR
500+	3.75 EUR
1000+	3.19 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPAATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPAATMA1

Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 96W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.86 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPAATMA1

MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CPA

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPAATMA1

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R299CPAATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

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IPB60R299CPAATMA1

Description: INFINEON - IPB60R299CPAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.27 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 96W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.27ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

36+	6.95 EUR
42+	5.64 EUR
50+	4.31 EUR
100+	3.86 EUR
500+	3.58 EUR
1000+	3.34 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

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IPB60R299CPAATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

25+	6.97 EUR
29+	5.9 EUR
32+	5.15 EUR
100+	4.43 EUR
250+	3.27 EUR
500+	3.11 EUR
1000+	2.94 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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IPB60R299CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R299CPATMA1

MOSFET N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 839 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB60R299CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R299CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 60 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB60R299CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3

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IPB60R330P6ATMA1

MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM

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IPB60R330P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPB60R360CFD7ATMA1

MOSFETs N

auf Bestellung 905 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.71 EUR
10+	4.24 EUR
1000+	1.95 EUR
2000+	1.86 EUR
5000+	1.8 EUR

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IPB60R360CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R360CFD7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V

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IPB60R360P7

auf Bestellung 66000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB60R360P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm

auf Bestellung 10287 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.75 EUR
89+	2.62 EUR
103+	2.08 EUR
200+	1.75 EUR
500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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IPB60R360P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R360P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

auf Bestellung 2888 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.65 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPB60R360P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1000+	1.46 EUR
2000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R360P7ATMA1

Description: INFINEON - IPB60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 11922 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.37 EUR
115+	1.87 EUR
200+	1.55 EUR
500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R360P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 18 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPB60R360P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 2509 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.57 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.59 EUR
1000+	1.43 EUR
2000+	1.33 EUR
5000+	1.26 EUR

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IPB60R380C6

MOSFET N-Ch 600V 10.6A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.24 EUR
10+	3.5 EUR
100+	2.81 EUR
250+	2.59 EUR
500+	2.34 EUR
1000+	1.99 EUR
2000+	1.9 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380P6

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380P6ATMA1

MOSFETs LOW POWER_PRICE/PERFORM

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R380P6ATMA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CP

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CP

MOSFET N-Ch 650V 9A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CP

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CP

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO-263

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CPATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 83W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.385Ω
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83W
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R385CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R520CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

auf Bestellung 2996 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

378+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 378 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R520CP

MOSFET N-Ch 600V 6.8A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 132 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R520CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R520CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R600C6

MOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R600C6ATMA1

MOSFET N-Ch 650V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R600C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPB60R600C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

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IPB60R600CP

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA

auf Bestellung 5970 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

433+	1.37 EUR

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IPB60R600CP

MOSFETs N-Ch 600V 6.1A D2PAK-2 CoolMOS CP

auf Bestellung 339 Stücke:

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1+	5.21 EUR
10+	3.36 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.67 EUR
2000+	1.62 EUR
5000+	1.55 EUR

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IPB60R600CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)

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IPB60R600CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V

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IPB60R600P6

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPB60R600P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R600P6ATMA1

MOSFET LOW POWER_PRICE/PERFORM

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IPB60R600P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3

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IPB60R950C6

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

auf Bestellung 2373 Stücke:

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IPB60R950C6

MOSFET N-Ch 650V 4.4A D2PAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 3900 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB60R950C6

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB60R950C6

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263

auf Bestellung 2373 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPB60R950C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPB60R950C6ATMA1

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IPB64N25S3-20

MOSFETs N-Ch 250V 64A D2PAK-2

auf Bestellung 3000 Stücke:

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1+	14.68 EUR
10+	9.84 EUR
100+	7.91 EUR
500+	7.02 EUR
1000+	6.24 EUR

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IPB64N25S3-20

auf Bestellung 31000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPB64N25S320ATMA1

Trans MOSFET N-CH 250V 64A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB64N25S320ATMA1

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPB64N25S320ATMA1