Produkte > IPB
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 200V 34A, D2PAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB320N20N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO263-3 Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 34A On-state resistance: 32mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 136W Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TO263-3 Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB320N20N3GATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm | auf Bestellung 12147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB320N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 34 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2350 pF @ 100 V, Qg, нКл = 29 @ 10 V, Rds = 32mOhm @ 34A, 10V, Опис N-канальний ПТ, Тексп, °C = -55°C ... 175°C,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 100 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | verfügbar 10 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB320P10LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB320P10LMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -63A; 300W; D2PAK,TO263 Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Drain-source voltage: -100V Drain current: -63A Gate charge: 219nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 300W Case: D2PAK; TO263 Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB320P10LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0254 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0254ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 187 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB320P10LMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 54A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB320P10LMATMA1 | Infineon Technologies | IPB320P10LMATMA1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB320P10LMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 2633 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB320P10LMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB320P10LMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 63 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0254ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm | auf Bestellung 967 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm | auf Bestellung 825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1948 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB330P10NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0268 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0268ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0268ohm | auf Bestellung 554 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V PG-TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 53A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.55mA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V | auf Bestellung 1513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB330P10NMATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 6.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 5015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | auf Bestellung 1147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 26A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 52µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB339N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB34 | Eaton Electrical | Circuit Breaker Accessories JD / KD Interphase Barriers/ 4P BRKs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB34CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB35CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB35N10S3L-26 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 855 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N10S3L26ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB35N10S3L26ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.0203 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 311 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T | auf Bestellung 1998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N10S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N10S3L26ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(75V 120V( | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB35N10S3L26ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(75V 120V( Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 100+ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 23000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB35N12S3L26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CHANNEL_100+ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 39µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB4 | Eaton Electrical | LD INTERPHASE BARRIER EXTERNAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | auf Bestellung 493 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB407N30NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 300V 44A D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 300V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB407N30NATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB407N30NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.036 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB45N04S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 435 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2 Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 17µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 23A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S3-16 | INF | 09+ | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S3L-13 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 26A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S4-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 1074 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 353 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S4L-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 OptiMOS-T2 | auf Bestellung 910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A D2PAK-2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45N06S4L08ATMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB45N06S4L08ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB45N06S4L08ATMA3 | INFINEON | Description: INFINEON - IPB45N06S4L08ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 71W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 71W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe OptiMOS-T2 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.007ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm | auf Bestellung 551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPB45N06S4L08ATMA3 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA Power Dissipation (Max): 71W (Tc) | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB45N06S4L08ATMA3 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_)40V 60V) | auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB45P03P4L-11 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -30V -45A D2PAK-2 OptiMOS-P2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45P03P4L11ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO263-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45P03P4L11ATMA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +5V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 45A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB45P03P4L11ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFET_(20V 40V) | auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB47N10S-33 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS | auf Bestellung 532 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB47N10S-33 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPB47N10S33 | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB47N10S33ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 | auf Bestellung 446 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 47A D2PAK-2 SIPMOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB47N10SL-26 | Infineon Technologies | Description: IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB47N10SL26ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3 Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| iPB48003A150V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 45W 15V 3A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| iPB48004A120V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 48W 12V 4A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| iPB48010A033V-001-R | TDK-Lambda | Isolated DC/DC Converters 33W 3.3V 10A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB5 | Eaton Electrical | KIT INTERPHASE BARRIER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB50CN10NG | infineon | 07+ to-263/d2-pak | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPB50CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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