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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD50R520CP
Produktcode: 133480
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Transistoren > MOSFET N-CH
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IPD50R520CPINFINEON
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 550V 7.1A DPAK-2 CoolMOS CP
auf Bestellung 358 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPInfineonMOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesMOSFET LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 2497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 7.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R520CPBTMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_LEGACY
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
auf Bestellung 1542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 550V 19A DPAK-2
auf Bestellung 683 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEATMA1InfineonMOSFET N-Channel 500V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
auf Bestellung 2406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.57 EUR
5000+0.52 EUR
10000+0.46 EUR
12500+0.45 EUR
25000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.52 EUR
5000+0.49 EUR
10000+0.45 EUR
12500+0.44 EUR
25000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
129+1.81 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1499 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.25 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 9 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1873 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
129+1.81 EUR
201+1.07 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 342 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEAUMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 6.1A DPAK-2
auf Bestellung 2516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R650CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEInfineon TechnologiesDescription: IPD50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEATMA1InfineonMOSFET N-Channel 500V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 5199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.43 EUR
17+1.24 EUR
100+0.86 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
163+1.54 EUR
192+1.21 EUR
278+0.77 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 163 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.34 EUR
100+0.88 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.62 EUR
2500+0.52 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD50R800CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.69 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 500V 5A DPAK-2
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.27 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.58 EUR
2500+0.5 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R800CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEATMA1InfineonMOSFET N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFET CONSUMER
auf Bestellung 2500 Stücke:
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3+1.17 EUR
10+1.04 EUR
100+0.7 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
auf Bestellung 1214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.21 EUR
22+0.95 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 231 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD50R950CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 500V 4.3A DPAK-2 CoolMOS CE
auf Bestellung 866 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3 GInfineon
auf Bestellung 7500 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.96 EUR
100+1.86 EUR
250+1.74 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.56 EUR
2500+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 6449 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.2 EUR
100+1.65 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.25 EUR
2500+1.14 EUR
5000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.69 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.93 EUR
124+1.88 EUR
152+1.42 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.43 EUR
122+1.39 EUR
152+1.09 EUR
200+1.06 EUR
500+1.04 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
250+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1
Produktcode: 182945
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD530N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2687 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.3 EUR
112+2.07 EUR
143+1.51 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.73 EUR
101+1.68 EUR
128+1.3 EUR
250+1.26 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
100+1.65 EUR
101+1.58 EUR
128+1.2 EUR
250+1.14 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD530N15N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N03LAGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N25S3-430Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 250V 5A DPAK-2
auf Bestellung 4086 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.37 EUR
10+1.74 EUR
100+1.32 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.05 EUR
2500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N25S3-430Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N25S3430ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
123+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N25S3430ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N25S3430ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 247 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.72 EUR
83+2.81 EUR
123+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD5N25S3430ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.37 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
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IPD600N25N3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
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IPD600N25N3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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