Produkte > PSM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 4063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3963 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 49500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 727830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 | auf Bestellung 4870 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1034 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 29A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 56W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 49.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 1388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | MOSFETs PSMN030-60YS/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 2662 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 546000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030-60YS,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN030150P | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PSMN033-100HLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V Power - Max: 64W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN033-100HLX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN033-100HLX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 26A | auf Bestellung 2679 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN033-100HLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN033-100HLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 64W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 78 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN033-100HLX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 64W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 64W Betriebstemperatur, max.: 175°C | auf Bestellung 1473 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100BS,118 | Nexperia | MOSFETs PSMN034-100BS/SOT404/D2PAK | auf Bestellung 3869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN034-100BS,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN034-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V | auf Bestellung 1102 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN034-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN034-100PS | auf Bestellung 1950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4589 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 32A Pulsed drain current: 127A Power dissipation: 86W Case: SOT78; TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 23.8nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 9444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 9444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN034-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.0293 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0293ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | MOSFET PSMN034-100PS/SOT78/SIL3P | auf Bestellung 4257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 9444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 3750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN034-100PS,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-100LS,115 | Nexperia | MOSFET N-CHAN 100V 27A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-100LS,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH QFN3333 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-100LS,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH QFN3333 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-150B | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PSMN035-150B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150B,118 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PSMN035-150B - 50A, 150 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | auf Bestellung 3941 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN035-150B,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-150B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1199 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150B,118 Produktcode: 127835
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| PSMN035-150P | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-150P | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-150P | PHI | 99+ DIP2 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150P,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 9214 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 4732 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PSMN035-150P - 50A, 150 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V | auf Bestellung 15033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN035-150P,127 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN035-150P,127 | Nexperia | MOSFET RAIL PWR-MOS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN035-150P,127 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail | auf Bestellung 3344 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PSMN038-100HSX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100HSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21.4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100HSX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D Supplier Device Package: LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 53W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100HSX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100HSX | Nexperia | MOSFETs SOT1205 100V 21.4A | auf Bestellung 2607 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN038-100HSX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100HSX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 53W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: LFPAK56D Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 53W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100HSX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 53W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: LFPAK56D | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100HSX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D | auf Bestellung 2578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100K | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100K | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| PSMN038-100K /T3 | NXP Semiconductors | MOSFETs TAPE13 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100K,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN038-100K,518 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100K,518 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN038-100K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100K,518 | Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100K,518 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 8SO Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100K,518 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100K,518 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 5904 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100YL | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V | auf Bestellung 2829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 560 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | NXP | MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PSMN038-100YLX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 94.9W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 2042 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 30A | auf Bestellung 134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PSMN038-100YLX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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