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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
629+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
10000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 629 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 546000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN030-60YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 29 A, 0.0191 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56W
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0191ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.68 EUR
152+1.54 EUR
236+0.9 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 29A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 686 pF @ 30 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30
auf Bestellung 4870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
50+0.95 EUR
100+0.84 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
387+0.44 EUR
394+0.42 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 387 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030-60YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 29A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN030150P
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 26A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.73 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.68 EUR
45+5.2 EUR
100+2.98 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLXNexperiaMOSFETs PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.14 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1500+1.24 EUR
3000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN033-100HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 26 A, 26 A, 0.031 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.031ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN033-100HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 26A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.3nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3168pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.94 EUR
10+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
auf Bestellung 8600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
50+2.05 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN034-100BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.37 EUR
100+1.58 EUR
500+1.37 EUR
800+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.37 EUR
2400+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 9444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
226+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 9444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
193+0.86 EUR
211+0.76 EUR
226+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 9444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+2.36 EUR
900+2.12 EUR
1800+1.93 EUR
2700+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.43 EUR
250+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN034-100PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.0293 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0293ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+1.44 EUR
250+1.37 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.37 EUR
84+2.03 EUR
107+1.56 EUR
250+1.51 EUR
500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.37 EUR
84+1.99 EUR
107+1.5 EUR
250+1.43 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1201 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.06 EUR
107+1.59 EUR
250+1.55 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 4855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 127A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 127A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 23.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+42.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN034-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN034-100PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 4257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.22 EUR
10+2.34 EUR
100+1.99 EUR
250+1.95 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN035-100LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH QFN3333
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN035-100LS,115NexperiaMOSFET N-CHAN 100V 27A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN035-100LS,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH QFN3333
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN035-150B
auf Bestellung 6500 Stücke:
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PSMN035-150B,118
Produktcode: 127835
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Transistoren > MOSFET N-CH
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PSMN035-150B,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
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PSMN035-150B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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228+2.83 EUR
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PSMN035-150B,118NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN035-150B - 50A, 150
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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375+1.68 EUR
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PSMN035-150B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.33 EUR
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PSMN035-150PNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
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PSMN035-150PNexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN035-150PPHI99+ DIP2
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PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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237+2.73 EUR
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PSMN035-150P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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119+1.45 EUR
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PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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237+2.73 EUR
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PSMN035-150P,127NexperiaMOSFET RAIL PWR-MOS
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PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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500+2.56 EUR
1000+2.37 EUR
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PSMN035-150P,127NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
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PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN035-150P - 50A, 150
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 25 V
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431+1.46 EUR
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PSMN035-150P,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH Si 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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237+2.73 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.37 EUR
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PSMN038
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PSMN038-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.4A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
133+1.61 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
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3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PSMN038-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.45 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 2578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
264+2.45 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 264 Stücke
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PSMN038-100HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 53W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 53W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
99+2.37 EUR
133+1.61 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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PSMN038-100HSXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 21.4A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 100V 21.4A LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.6mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1533pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 53W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN038-100HSXNexperiaMOSFETs PSMN038-100HS/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 2597 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
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PSMN038-100K
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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PSMN038-100KNexperiaMOSFETs
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PSMN038-100K /T3NXP SemiconductorsMOSFETs TAPE13 MOSFET
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PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
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PSMN038-100K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
466+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 466 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
721+0.89 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 721 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100K,518 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1602+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1602 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
383+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 383 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100K,518NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
auf Bestellung 2829 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94.9W
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2042 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.05 EUR
120+1.94 EUR
158+1.36 EUR
231+0.93 EUR
500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21.3A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 94.9W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
On-state resistance: 103.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 589 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+1.23 EUR
94+0.92 EUR
103+0.82 EUR
112+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNXPMOSFET N-CH 100V 30A LFPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 94.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.52 EUR
337+0.49 EUR
342+0.46 EUR
348+0.44 EUR
354+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
445+1.45 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN038-100YLX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0302 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 94.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0302ohm
auf Bestellung 1847 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.5 EUR
108+2.15 EUR
130+1.65 EUR
200+1.31 EUR
500+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaMOSFETs SOT669 100V 30A
auf Bestellung 134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
50+1.32 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 560 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
337+0.51 EUR
342+0.5 EUR
348+0.48 EUR
354+0.46 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 337 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN038-100YLX (LFPAK56-5, Nexperia) Transistor N-Kanal
Produktcode: 153433
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
109+2.13 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
auf Bestellung 24428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
14+1.54 EUR
50+1.14 EUR
100+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NexperiaMOSFETs PSMN039-100YS/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 33852 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.63 EUR
1500+0.57 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN039-100YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28.1 A, 0.0308 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 28.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0308ohm
auf Bestellung 1270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.45 EUR
109+2.13 EUR
166+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN039-100YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 28.1A LFPAK56
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1847 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.68 EUR
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN040-100MSEXNexperiaMOSFETs SOT1210 100V 30A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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