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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2492 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.87 EUR
50+0.63 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONS/FAI(SO8,P-ch,Mosfet,30B,6A) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1604 pF @ 15 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.81 EUR
5000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
671+0.96 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 671 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 6372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
110+2.12 EUR
162+1.33 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-A
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-NLFAIRCHILDSOP8 09+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-REVA-E3
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1SILINIX1999
auf Bestellung 1380 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1-A-E3
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-T1-REVASILICONIX0018+
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TE2N/A97
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TI
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TI-A-E3
auf Bestellung 1345 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TI-E3
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY-TR
auf Bestellung 2738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY.ONSEMIDescription: ONSEMI - SI4435DY. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.015 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBFIOR
auf Bestellung 1263 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBF
Produktcode: 74332
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYPBFInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRIR0507+
auf Bestellung 1160 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+3.09 EUR
132+1.76 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.82 EUR
169+0.99 EUR
196+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.56 EUR
2000+0.5 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6.4A; Idm: -50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - SI4435DYTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 822 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.09 EUR
132+1.76 EUR
250+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DYTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 30V 8A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 6738 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.82 EUR
169+1.01 EUR
196+0.84 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.55 EUR
4000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435DY_Qonsemi / FairchildMOSFET 30V SinGLE P-Ch
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 45780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
219+1.06 EUR
339+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 97500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.29 EUR
12500+0.27 EUR
17500+0.26 EUR
25000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -32A
auf Bestellung 81 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4435FDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 4.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 45780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
219+1.06 EUR
339+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 163553 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.4 EUR
10+0.64 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
2500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 100033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.38 EUR
25+0.86 EUR
100+0.56 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435FDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12.6A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
270+0.64 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 270 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4435TR
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4436SISOP-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4436DYVISHAY09+
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 15946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.43 EUR
100+1.12 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.69 EUR
5000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 523 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.01 EUR
124+1.37 EUR
236+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
123+1.39 EUR
233+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.62 EUR
13+1.65 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.05 EUR
123+1.36 EUR
233+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+0.73 EUR
254+0.65 EUR
260+0.62 EUR
268+0.57 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4436DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.036 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+3.55 EUR
112+2.08 EUR
168+1.27 EUR
500+1 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 8A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2499 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.68 EUR
260+0.65 EUR
268+0.62 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.8A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.62 EUR
10+1.65 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4436DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FDISilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon LabsQFN 20/I°/+20DBM SI4438 EZRADIOPRO 425-525MHZ TRANSCEIVER - CHINA SI4438
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.14 EUR
10+12.03 EUR
25+11.32 EUR
100+10.35 EUR
490+9.4 EUR
980+9.02 EUR
1470+8.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMSilicon Laboratories+20/-124 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 27500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
124+1.39 EUR
126+1.32 EUR
128+1.25 EUR
130+1.19 EUR
132+1.12 EUR
250+1.06 EUR
500+1 EUR
1000+0.99 EUR
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 14mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-ZM1Silicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-B1C-ZM1RSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-AMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-AMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.14 EUR
10+12.03 EUR
25+11.32 EUR
100+10.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 5338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.09 EUR
10+9.26 EUR
25+9.04 EUR
100+7.79 EUR
250+6.75 EUR
2450+6.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
73+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -124dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 425MHz ~ 525MHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 13.7mA
Data Rate (Max): 500kbps
Current - Transmitting: 75mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: FSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LabsRF Transceiver +20/-124 dBm sub-GHz Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2A-GMRSilicon LaboratoriesRF Transceiver FSK/OOK/GFSK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.42 EUR
124+1.34 EUR
126+1.27 EUR
128+1.2 EUR
130+1.14 EUR
250+1.07 EUR
500+1.01 EUR
1000+1 EUR
3000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2B-GMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C2B-GMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +20/-124dBm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C3A-GMSilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438-C3A-GMRSilicon LabsRF Transceiver
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438DY
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438DY-T1-E3module
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4438DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 36A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4645 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4438DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4126DY-T1-GE3
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SI4441EDY-T1-E3VISHAY
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SI4441EDYT1E3VISHAY
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SI4441EY-T1-E3
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SI4442
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SI4442DYVISHAY07+ SO-8
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