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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
2N6608MOTOROLA
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2N6608AMOTOROLA
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2N6609Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
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2N6609Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 16A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6609ON
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2N6609MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6609 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 140 V, 16 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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2N6609Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
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2N6609onsemiDescription: TRANS PNP 140V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
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2N6609
Produktcode: 88687
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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2N6609Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6609onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 140V 150W PNP
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2N6609 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 16A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.02 EUR
34+5.02 EUR
35+4.5 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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2N6609 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160Vcbo 140Vceo 160Vceb 7.0Vebo 16A
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2N6609 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 140V 16A TO-3
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Last Time Buy
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 Mindestbestellmenge: 120 Stücke
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2N6609 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 16A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.21 EUR
35+4.86 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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2N6609 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160Vcbo 140Vceo 160Vceb 7.0Vebo 16A
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2N6609AMOTOROLA
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2N6609HMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6609H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 16 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2631 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.11 EUR
16+14.95 EUR
100+11.29 EUR
500+8.87 EUR
1000+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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2N660AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
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2N661MOTOROLA
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2N661AMOTOROLA
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2N662MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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2N6622MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1750 Stücke:
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2N662AMOTOROLA
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2N663MOTOROLA
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2N663AMOTOROLA
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2N664MOTOROLA
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2N6648Microsemi CorporationDescription: PNP TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6648Microchip TechnologyDarlington Transistors 40V PNP Power BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6648Rochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 82 Stücke
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2N6648Microchip / MicrosemiDarlington Transistors Power BJT
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2N6648MOT01+ TO-3
auf Bestellung 500 Stücke:
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2N6649Microchip TechnologyDarlington Transistors 60V PNP Power BJT THT
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2N6649MOT01+ TO-3
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2N6649Microsemi CorporationDescription: PNP TRANSISTOR
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6649Microchip / MicrosemiDarlington Transistors Power BJT
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2N664AMOTOROLA
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2N665MOTOROLA
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2N6650MOT01+ TO-3
auf Bestellung 500 Stücke:
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2N6650Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100µA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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2N6650STMicroelectronicsDarlington Transistors
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2N6650Microchip TechnologyDarlington Transistors 80V PNP Power BJT THT
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6650 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Pwr Darlington
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 Mindestbestellmenge: 460 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6653MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6654MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6655MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6656MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6657MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6658MOT01+ TO-3
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6659VISHAY
auf Bestellung 2500 Stücke:
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2N6659Vishay / SiliconixMOSFET 35V 1.8 OHM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6659-2Vishay / SiliconixMOSFETs MOSPOWER TRANSISTOR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N66595SILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6659N2SILICONI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N665AMOTOROLA
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N666MOTOROLA
auf Bestellung 1000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.86 EUR
25+24.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+96.75 EUR
25+93.94 EUR
50+90.51 EUR
125+87.18 EUR
250+45.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
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 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Semelab / TT ElectronicsMOSFET N-CHANNEL TO39
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.34 EUR
23+10.38 EUR
100+7.95 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+25.86 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
auf Bestellung 1062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.19 EUR
25+26.75 EUR
100+25.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
478+53.1 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660Microchip TechnologyMOSFET 60V 3Ohm
auf Bestellung 603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.98 EUR
25+28.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660-2Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N66605SILICONI
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660CS4-JQR-B.01TT ElectronicsTT Electronics N-CHANNEL LCC3 SN/PB DIP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660CSM4-JQR-BSemelab (TT electronics)Mosfet
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660CSM4-JQR-B.01Semelab (TT electronics)2N6660CSM4-JQR-B.01^SEMELAB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JTVP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JTX02Vishay / SiliconixMOSFET 19500/547 JANTX2N6660
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JTX02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: MIL-PRF-19500
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JTXL02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JTXP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6660JTXV02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
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2N6660N2SILICONI
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.06 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
auf Bestellung 2054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.19 EUR
25+26.75 EUR
100+25.76 EUR
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2N6661MICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+42.48 EUR
25+31.75 EUR
100+28.73 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+53.06 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyMOSFETs 90V 4Ohm
auf Bestellung 575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.98 EUR
25+28.42 EUR
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2N6661Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
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 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
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7+27.92 EUR
25+26.49 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+25.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 294 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+40.91 EUR
10+34.88 EUR
25+31.49 EUR
50+30.64 EUR
100+29.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+25.07 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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2N6661 CAN3 Transistor
Produktcode: 73818
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2N6661-2Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661-JQR-BSemelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661-R1Semelab / TT ElectronicsMOSFET 4 Ohm 90Volts
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N66615SILICONI
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JAN02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JANTXSILICONI
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N6661JTVP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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