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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >150 - 400V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3GBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 250V 25A DPAK-2 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD600N25N3GBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.77 EUR
72+2.32 EUR
106+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6653 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
93+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-CHANNEL 100+
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.4 EUR
100+1.73 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
106+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 16790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
10000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 55088 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
405+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
10000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 405 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S412ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
auf Bestellung 1802 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.51 EUR
129+1.67 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3827 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S412ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.45 EUR
120+1.39 EUR
200+1.36 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L-12Infineon
auf Bestellung 317500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L-12Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.08 EUR
59+2.92 EUR
100+2.76 EUR
250+2.62 EUR
500+2.51 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L-12Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
auf Bestellung 17951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.57 EUR
100+1.74 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.31 EUR
2500+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
554+1.17 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.56 EUR
112+1.48 EUR
114+1.4 EUR
116+1.33 EUR
250+1.25 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
141+1.65 EUR
166+1.3 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 60A DPAK-2
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.51 EUR
100+1.65 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.24 EUR
2500+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.9 EUR
51+3.37 EUR
53+3.15 EUR
61+2.67 EUR
100+2.48 EUR
250+2.23 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 805 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
554+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 554 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.33 EUR
142+1.2 EUR
200+1.15 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.08 EUR
2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.32 EUR
50+3.87 EUR
100+3.08 EUR
200+2.81 EUR
1000+2.28 EUR
2000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60N10S4L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0098 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.65 EUR
110+2.11 EUR
132+1.63 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 94W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 94W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 46µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3170 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4 EUR
10+2.56 EUR
50+1.94 EUR
100+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60N10S4L12ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.56 EUR
112+1.51 EUR
114+1.45 EUR
116+1.4 EUR
250+1.36 EUR
500+1.32 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7Infineon TechnologiesIPD60R145CFD7
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.5 EUR
28+6.13 EUR
50+5.77 EUR
100+5.45 EUR
250+5.2 EUR
500+4.99 EUR
1000+4.75 EUR
2500+4.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
48+4.88 EUR
100+3.17 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
auf Bestellung 13052 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.38 EUR
10+4.84 EUR
50+3.74 EUR
100+3.39 EUR
500+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R145CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.127 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm
auf Bestellung 567 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.01 EUR
44+3.8 EUR
100+2.82 EUR
250+2.75 EUR
500+2.61 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 3166 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.38 EUR
10+4.82 EUR
100+3.47 EUR
500+2.93 EUR
1000+2.75 EUR
2500+2.51 EUR
5000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.01 EUR
44+3.67 EUR
100+2.67 EUR
250+2.53 EUR
500+2.34 EUR
1000+2.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+2.36 EUR
7500+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.64 EUR
45+3.84 EUR
100+2.92 EUR
500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.64 EUR
45+3.76 EUR
100+2.81 EUR
500+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R145CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 564 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 76W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 76W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.06 EUR
50+3.42 EUR
100+2.37 EUR
500+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.06 EUR
50+3.33 EUR
100+2.27 EUR
500+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.61 EUR
500+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.43 EUR
10+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.28 EUR
54+3.19 EUR
100+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R170CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.144 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.144ohm
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.07 EUR
48+4.88 EUR
100+3.37 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 3745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.68 EUR
10+3.69 EUR
100+2.53 EUR
500+2.12 EUR
1000+2 EUR
2500+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 14A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R170CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 7159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.8 EUR
100+2.51 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.12 EUR
2500+1.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.73 EUR
100+2.65 EUR
2000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.84 EUR
59+3.95 EUR
100+2.63 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.71 EUR
500+2.39 EUR
1000+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.155 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 6798 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.63 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180C7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.45 EUR
10+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
107+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.38 EUR
130+1.31 EUR
133+1.25 EUR
250+1.21 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
77+3.03 EUR
107+2.01 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPD60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.45 EUR
125+1.33 EUR
130+1.24 EUR
133+1.15 EUR
250+1.11 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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