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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
81+2.09 EUR
113+1.44 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 72W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 72W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1
Produktcode: 201989
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 11664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.49 EUR
10+2.75 EUR
100+1.93 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.32 EUR
2500+1.2 EUR
5000+1.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.63 EUR
126+1.33 EUR
127+1.27 EUR
151+1.04 EUR
250+0.99 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.13 EUR
112+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2017 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
81+2.14 EUR
113+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1InfineonIPD60R180P7SAUMA1 IPD60R180P7S MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2151 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.38 EUR
127+1.36 EUR
151+1.12 EUR
250+1.08 EUR
500+1.07 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R180P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 72W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.09 EUR
75+3.13 EUR
112+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
409+1.59 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R180P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEInfineon technologies
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
auf Bestellung 47500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1443 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 4.3A DPAK-2
auf Bestellung 2287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 10764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.37 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.54 EUR
5000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.5 EUR
171+0.99 EUR
251+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
117+1.5 EUR
171+1 EUR
251+0.67 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 117 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.8 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
auf Bestellung 10764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
181+1.29 EUR
278+0.77 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
5000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+1.68 EUR
148+1.17 EUR
213+0.79 EUR
223+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
2000+0.52 EUR
2500+0.5 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.8A; 61W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 61W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1445+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
158+1.07 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 1107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 26W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.84ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
147+1.58 EUR
220+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 3A; Idm: 8.8A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.978Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.44 EUR
158+1.09 EUR
222+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+1.48 EUR
135+1.27 EUR
177+0.95 EUR
200+0.89 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.71 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.76 EUR
10+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1107+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 4.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.7 A, 0.84 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.84ohm
auf Bestellung 1102 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
147+1.58 EUR
220+0.98 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
864+0.75 EUR
1000+0.69 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 864 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 5152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
135+1.73 EUR
204+1.05 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.59 EUR
13+1.64 EUR
100+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K4C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.2 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 28.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 5152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
135+1.73 EUR
204+1.05 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.8 EUR
5000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 10057 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.92 EUR
10+1.82 EUR
100+1.19 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.73 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K4C6BTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 650V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2
auf Bestellung 760 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
20+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEATMA1InfineonMOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
7500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 57500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.45 EUR
5000+0.42 EUR
7500+0.4 EUR
12500+0.38 EUR
17500+0.37 EUR
25000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1583 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1530+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
188+0.92 EUR
277+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.33 EUR
7500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.34 EUR
188+0.89 EUR
277+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 49W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 49W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.54 EUR
170+1.01 EUR
247+0.68 EUR
248+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 100 V
auf Bestellung 59215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R1K5CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 49W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+2.08 EUR
194+1.2 EUR
298+0.71 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 5352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.62 EUR
100+1.01 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.6 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1181+0.55 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 6A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.892Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 2.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.39 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.77 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 93513 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1181+0.55 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 31353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1181+0.55 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R1K5PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 169 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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