Produkte > MPS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| MPSA05-BP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05G | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=60V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA55) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA05RA | ONS/FAI | TRANS NPN 60V 0.5A TO-92 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Medium Power | auf Bestellung 28761 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA05RA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 46000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA05RA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RA | Fairchild/ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150, Аналог КТ608Б,... Транзистори Корпус: Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RA | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA05RA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 625 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-226AA Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 46084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA05RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRA | ON | 07+; | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA05RLRAG - SS T092 GP XSTR NPN 60V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRAG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA05RLRM | auf Bestellung 72500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MPSA05RLRM | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 500MA TO92-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | auf Bestellung 107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05RLRMG | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 39 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA05RLRMG | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA05RLRMG - MPSA05RLRMG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05T/B | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MPSA05_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 60V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA05_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN GEN PUR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 56903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | ONS/FAI | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA56) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 80V, 500mA, NPN | auf Bestellung 23962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 7005 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MPSA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 56903 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN/MEDP TO-92 | auf Bestellung 52968 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz Case: TO92 Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W | auf Bestellung 5673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | Rectron | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | CJ | Транзистори | auf Bestellung 350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 4420 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MPSA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 14261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | Rectron | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | LGE | NPN 500mA 80V 625mW 100MHz MPSA06G MPSA06 TMPSA06 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3540 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MPSA06 | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT NPN GP 80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MPSA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 5673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 Produktcode: 54324
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| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-92 Transitfrequenz fT: 100 МГц Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А Stromverstärkung h21: 100 Montage: THT | Produkt ist nicht verfügbar
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| MPSA06 | Rectron | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | Rectron | Bipolar Transistors - BJT NPN,0.5A,80V GenPur | auf Bestellung 4713 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 31791 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 | LUGUANG ELECTRONIC | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Frequency: 100MHz Case: TO92 Collector current: 0.5A | auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Bulk | auf Bestellung 9597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | auf Bestellung 3842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 APM PBFREE | Central Semiconductor | MPSA06 APM PBFREE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | MPSA06 APM TIN/LEAD | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Med Power | auf Bestellung 6069 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE RADIAL | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 4.0V 500mA 625mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 80V 500MA 625MW TH TRANSISTOR-SM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06,116 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06,412 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06-A | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06-AP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | auf Bestellung 138000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06-AP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V | auf Bestellung 9567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06-BP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.5A 80V Gen Pur | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06.. | ONSEMI | Description: ONSEMI - MPSA06.. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 80V, 100MHz, 625mW, 500mA, 100hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 23500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92BK, 80V, 500mA, NPN | auf Bestellung 12093 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | auf Bestellung 2781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06BK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.1A; 625mW; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Kind of package: bulk Frequency: 100MHz Case: TO92 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.625W | auf Bestellung 2781 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06BK | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Box | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06BK | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MPSA06BK - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 625mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 3730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MPSA06G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.625W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Case: TO92 Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.625W | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.625Вт, TO-92 (комплем. MPSA56RL1) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06G | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| MPSA06RA | onsemi | Description: TRANS NPN 80V 0.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 625 mW | auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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