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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GCM44DRTISullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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GCM44DRTI-S13Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND
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GCM44DSEFSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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GCM44DSEF-S13Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND
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GCM44DSEF-S243Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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GCM44DSEHSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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GCM44DSEH-S13Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND
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GCM44DSEH-S243Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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GCM44DSEISullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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GCM44DSEI-S13Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND
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GCM44DSEI-S243Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSENSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSEN-S13Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EXTEND
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GCM44DSEN-S243Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSESSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSES-S243Sullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS .156 EYELET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSUHSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSUISullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSUNSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSUSSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSXHSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSXISullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSXNSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM44DSXSSullins Connector SolutionsDescription: CONN EDGECARD 88POS DIP .156 SLD
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J333JX01KMURATACategory: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 33nF; 630V; U2J; ±5%; SMD; 2220; 330mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 33nF
Operating voltage: 630V
Dielectric: U2J
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Manufacturer series: GCM
Operating temperature: -55...125°C
Case - inch: 2220
Case - mm: 5750
Kind of capacitor: MLCC
Roll diameter max.: 330mm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J333JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J333JX01LMURATACategory: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 33nF; 630V; U2J; ±5%; SMD; 2220; 180mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 33nF
Operating voltage: 630V
Dielectric: U2J
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Manufacturer series: GCM
Operating temperature: -55...125°C
Case - inch: 2220
Case - mm: 5750
Kind of capacitor: MLCC
Roll diameter max.: 180mm
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J393JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 2220 0.039uF 630volt U2J 5%
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J473JX01KMurata ElectronicsDescription: CAP CER 0.047UF 630V U2J 2220
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 630V
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: U2J
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Automotive
Ratings: AEC-Q200
Thickness (Max): 0.079" (2.00mm)
Capacitance: 0.047 µF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J473JX01KMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J473JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.047 uF 630 VDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
auf Bestellung 494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.53 EUR
10+2.45 EUR
100+1.83 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.36 EUR
10000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U2J473JX01LMurata ElectronicsDescription: CAP CER 0.047UF 630V U2J 2220
Capacitance: 0.047 µF
Thickness (Max): 0.089" (2.25mm)
Ratings: AEC-Q200
Applications: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Temperature Coefficient: U2J
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Voltage - Rated: 630V
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U3A103JX01KMurata ElectronicsDescription: CAP CER 10000PF 1KV U2J 2220
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 1000V (1kV)
Package / Case: 2220 (5750 Metric)
Temperature Coefficient: U2J
Size / Dimension: 0.224" L x 0.197" W (5.70mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: Automotive
Ratings: AEC-Q200
Thickness (Max): 0.079" (2.00mm)
Capacitance: 10000 pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U3A103JX01KMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U3A103JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0.01 uF 1 kVDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
auf Bestellung 1116 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.97 EUR
10+2.7 EUR
50+2.2 EUR
100+2.03 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55D7U3A822JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 2220 8200pF 1Kvolt U2J 5%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55Q7U2J273JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 2220 0.027uF 630volt U2J 5%
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55Q7U3A562JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 5600 pF 1 kVDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55Q7U3A562JX01LMurata ElectronicsDescription: CAP CER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55Q7U3A682JX01LMurata ElectronicsMultilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 6800 pF 1 kVDC 5% 2220 U2J AEC-Q200
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55RR72A474KA01LMurataGCM55RR72A474KA01L 0,47 мкФ 100 В 2200 X7R 10% Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCM55RR72H333KD01LMurataGCM55RR72H333KD01L 3300 пкФ 500 В 2200 X7R 10% Конденсатори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMDP2DPMFStarTechAudio Cables / Video Cables / RCA Cables Mini DisplayPort to DisplayPort Converter M F
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.23 EUR
10+24 EUR
25+22.49 EUR
50+21.42 EUR
100+20.4 EUR
250+19.1 EUR
500+18.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMOSIS008BMXTECHNITROLSMD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS004A120S7B1SemiQDescription: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS007C120S1-E1SemiQ Gen3 1200V 7mO SiC MOSFET Co-Pack, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS008A120B1B1SemiQDescription: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS008C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS008C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 189A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14085 pF @ 1000 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+98.65 EUR
10+74.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS010B120S1-E1SemiQDescription: 1700V, 15M SIC MOSFET MODULE, SO
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 416 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10878 pF @ 1000 V
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+127.82 EUR
10+98.16 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020A120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/ SBD Module SOT-227 Copak 1200V 20 mohm
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+253.86 EUR
10+227.18 EUR
20+223.58 EUR
50+218.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020A120S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020B120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC 1200V 20mohm MOSFET & 50A SBD SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS020B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 20M MOSFET & 50A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5279 pF @ 1000 V
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+88.66 EUR
10+66.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS034C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 34M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 20A, 18V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609 pF @ 1000 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+58.39 EUR
10+42.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS040A120B1H1SemiQDescription: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1
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GCMS040A120B3C1SemiQDescription: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
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GCMS040A120S1-E1SemiQDescription: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
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GCMS040A120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 40 mohm
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GCMS040B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 1000 V
auf Bestellung 25 Stücke:
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1+59.14 EUR
10+43.4 EUR
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GCMS040B120S1-E1SemiQMOSFET Modules 1200V SiC COPACK Power Module
auf Bestellung 5 Stücke:
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1+52.53 EUR
10+39.9 EUR
100+35.03 EUR
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GCMS040C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 40M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2745 pF @ 1000 V
auf Bestellung 68 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.76 EUR
10+42.32 EUR
50+35.75 EUR
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GCMS080A120B3C1Global Power Technologies GroupDescription: SIC MOSFET 6-PACK MODULE B2_EASY
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GCMS080A120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC MOSFET/SBD Module SOT-227 Copak 1200V 80 mohm
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GCMS080B120S1-E1SemiQDiscrete Semiconductor Modules SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
auf Bestellung 549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+53.13 EUR
10+39.19 EUR
100+35.13 EUR
500+34.03 EUR
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GCMS080B120S1-E1SemiQDescription: SIC 1200V 80M MOSFET & 10A SBD S
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374 pF @ 1000 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+54.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMS080C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 80M SIC MOSFET & SBD
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1332 pF @ 1000 V
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+52.17 EUR
10+38 EUR
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GCMS080C120S1-E1SemiQMOSFET Modules Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
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GCMX003A120S3B1-NSemiQMOSFET Modules 1200V, 3mohm, 625A SiC MOSFET Half Bridge Module
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+469.72 EUR
10+400.33 EUR
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GCMX003A120S3B1-NSemiQDescription: 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 625A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 300A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1408nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+454.7 EUR
15+409.32 EUR
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GCMX003A120S7B1SemiQDescription: 1200V 3M SIC HALF BRIDGE 62MM MO
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1.546kW (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1326nC @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 300A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37200pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX005A120S3B1-NSemiQDescription: 1200V, 5M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.531kW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 424A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 901nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80mA
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+346.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX005A170S3B1-NSemiQDescription: SIC MOSFET MOD
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 2113W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 397A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43600pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 200A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1416nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120mA
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+561.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX008C120S1-E1SemiQDescription: GEN3 1200V 8M SIC MOSFET MODULE,
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 188A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 536W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 506 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14067 pF @ 1000 V
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+65.12 EUR
10+48.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B2B1PSemiQDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 214A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 750W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 214A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 476nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+156.34 EUR
10+121.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B2B1PSemiQMOSFET Modules SiC 1200V 10mohm MOSFET Half-Bridge Module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GCMX010A120B3B1PSemiQDescription: SIC 1200V 10M MOSFET HALF-BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 577W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 483nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 40mA
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+191.69 EUR
10+157.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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