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RN1810E-I/RM100Microchip TechnologyModule 802.11b/g/n 2.472GHz 37-Pin Tray
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RN1810E-I/RM110Microchip TechnologyWiFi Modules (802.11) OnboardWiFi WiFly WiFly Interface UART
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1810E-I/RM110Microchip TechnologyDescription: RX TXRX MOD WIFI SURFACE MOUNT
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1811-I/RM100Microchip TechnologyWiFi Modules - 802.11 WiFi 802.11n Radio SPI PCB Ant
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RN1811-I/RM100Microchip TechnologyOn board Wi-Fi Radio running TCPIP stack with SPI Command support and PCB antenna
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RN1901TOSHIBA03+ SOT-363
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1901,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1901,LF(CTToshibaBipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
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RN1901,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 3291 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
50+0.42 EUR
85+0.25 EUR
136+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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RN1901,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
auf Bestellung 2645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.75 EUR
35+0.61 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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RN1901,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-sym) NPN x 2 , R1=4.7kOhm, R2=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
auf Bestellung 5080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.75 EUR
10+0.6 EUR
100+0.4 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RN1901,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1901FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
39+0.55 EUR
58+0.36 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1901FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1901FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1901FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 16104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1901FETE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 16104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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RN1901FETE85LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN1902TOS
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1902(TE85LF)TOSHIBASOT-363 08+
auf Bestellung 281820 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN1902,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1902,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 10856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.5 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
24000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RN1902,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902-T
auf Bestellung 21729 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902/XB
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FETOSHIBA
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LF(CTToshibaDigital Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
auf Bestellung 3017 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
4000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RN1902FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.17 EUR
8000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=10kOhm Q1BER=10kOhm Q2BSR=10kOhm Q2BER=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
auf Bestellung 3995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.77 EUR
10+0.48 EUR
100+0.3 EUR
500+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.18 EUR
4000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
28+0.77 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903TOSHIBA
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903ToshibaToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903(T5L,F,T)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903(TE85L,F)TOSHIBASOT26
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CBToshibaRN1903,LF(CB
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1226+0.14 EUR
2500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1226 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
40+0.52 EUR
100+0.31 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.54 EUR
100+0.3 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903FE
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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RN1903FE,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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RN1903FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
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RN1903FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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RN1903FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=22kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=22kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1903FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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RN1904(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN US6
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RN1904(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN US6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN US6
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RN1904(TE85L)TOSHIBA00+ SOP6
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RN1904(TE85L) SOT363-XDTOSHIBA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904(TE85L)SOT363-XD
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RN1904,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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441+0.57 EUR
715+0.32 EUR
1142+0.19 EUR
1539+0.14 EUR
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RN1904,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
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RN1904,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
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4+0.8 EUR
10+0.64 EUR
100+0.35 EUR
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RN1904,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 36356 Stücke:
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500+0.57 EUR
715+0.32 EUR
1142+0.19 EUR
1539+0.14 EUR
1755+0.12 EUR
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RN1904,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1904,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
auf Bestellung 5880 Stücke:
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5+0.68 EUR
10+0.55 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
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RN1904,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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30+0.71 EUR
37+0.57 EUR
100+0.39 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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RN1904,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
auf Bestellung 3000 Stücke:
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3000+0.2 EUR
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RN1904-XDTOS
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RN1904/XDTOSHIBA
auf Bestellung 234000 Stücke:
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RN1904FEToshiba2xNPN 100mA 50V bias-resistor 47k RN1904FE TRN1904FE
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 99 Stücke:
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100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
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RN1904FE
Produktcode: 116146
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 893 Stücke:
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32+0.67 EUR
42+0.51 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
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RN1904FE,LF(CTToshibaDigital Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
auf Bestellung 513 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.1 EUR
2000+0.09 EUR
4000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904FE,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+0.18 EUR
8000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904FE,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=47kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=47kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
auf Bestellung 7990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.76 EUR
10+0.64 EUR
100+0.39 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
2000+0.19 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904FE,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.8 EUR
36+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
2000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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RN1904FE/YDTOSHIBA
auf Bestellung 11175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904FS
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904TE85L
auf Bestellung 20100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904TE85LSOT363-XDTOSHIBA
auf Bestellung 2930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1904TE85R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905TOSHIBA09+
auf Bestellung 69418 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
auf Bestellung 5950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 4937 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
43+0.49 EUR
100+0.26 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN1905,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 3311 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.61 EUR
10+0.5 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1905,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=2.2kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.68 EUR
10+0.55 EUR
100+0.37 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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