Produkte > RN1
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 On board WiFiWiFly UART and PCB antenna | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI TRACE ANT SMD | auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1810-I/RM110 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 54000Kbps 37-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | Description: RF TXRX MODULE WIFIW.FL SMD Packaging: Tray Package / Case: Module Sensitivity: -95.7dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.4GHz Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3.3V Power - Output: 21dBm Data Rate: 54Mbps Protocol: 802.11b/g/n Current - Receiving: 64mA Current - Transmitting: 247mA Antenna Type: Antenna Not Included, W.FL RF Family/Standard: WiFi Serial Interfaces: UART Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 37-Pin Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFi 802.11n Radio WiFly o UART ex ant | auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1810E-I/RM100 | Microchip Technology | Module 802.11b/g/n 2.472GHz 37-Pin Tray | auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1810E-I/RM110 | Microchip Technology | WiFi Modules (802.11) OnboardWiFi WiFly WiFly Interface UART | auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1810E-I/RM110 | Microchip Technology | Description: RX TXRX MOD WIFI SURFACE MOUNT | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1811-I/RM100 | Microchip Technology | On board Wi-Fi Radio running TCPIP stack with SPI Command support and PCB antenna | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 50 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1811-I/RM100 | Microchip Technology | WiFi Modules - 802.11 WiFi 802.11n Radio SPI PCB Ant | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901 | TOSHIBA | 03+ SOT-363 | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: US6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1kOhms Supplier Device Package: US6 | auf Bestellung 3291 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | auf Bestellung 2645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-sym) NPN x 2 , R1=4.7kOhm, R2=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 5080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 30280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 16104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1901FETE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 16104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902 | TOS | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1902(TE85LF) | TOSHIBA | SOT-363 08+ | auf Bestellung 281820 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 10856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=10kOhm, R2=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902-T | auf Bestellung 21729 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1902/XB | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1902FE | TOSHIBA | auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A | auf Bestellung 3681 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=10kOhm Q1BER=10kOhm Q2BSR=10kOhm Q2BER=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 3995 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=10KOHM | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1902T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 2805 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1902T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903 | Toshiba | Toshiba | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903 | TOSHIBA | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1903(T5L,F,T) | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT26 | auf Bestellung 1894 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903,LF(CB | Toshiba | RN1903,LF(CB | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased BIAS RESISTOR Built- in Transistor 2-in-1 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903,LF(CT | Toshiba | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin US T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=22kOhm, R2=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP Part Status: Active Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Mounting Type: Surface Mount | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903FE | auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A | auf Bestellung 5849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER22KOH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1903FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=22kOhm Q1BER=22kOhm Q2BSR=22kOhm Q2BER=22kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 7190 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1903FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=22KOHM Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 | auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANSISTOR NPN US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904(TE85L) | TOSHIBA | 00+ SOP6 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904(TE85L) SOT363-XD | TOSHIBA | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1904(TE85L)SOT363-XD | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 8975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 36356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 8975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - RN1904,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 36356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904,LF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | auf Bestellung 4801 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904,LXHF(CT | Toshiba | Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) NPN x 2 , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-363) | auf Bestellung 5880 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904-XD | TOS | auf Bestellung 153000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1904/XD | TOSHIBA | auf Bestellung 234000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1904FE | Toshiba | 2xNPN 100mA 50V bias-resistor 47k RN1904FE TRN1904FE Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 99 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904FE Produktcode: 116146
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba | Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A | auf Bestellung 2513 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | auf Bestellung 893 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: AUTO AEC-Q TR NPNX2 Q1BSR=47KOHM | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904FE,LXHF(CT | Toshiba | Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPNx2 Q1BSR=47kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=47kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563) | auf Bestellung 7990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| RN1904FE/YD | TOSHIBA | auf Bestellung 11175 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1904FS | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1904TE85L | auf Bestellung 20100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1904TE85LSOT363-XD | TOSHIBA | auf Bestellung 2930 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| RN1904TE85R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| RN1905 | TOSHIBA | 09+ | auf Bestellung 69418 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| RN1905(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | auf Bestellung 2965 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
