Produkte > AIM

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
AIMZH120R030M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R040M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 55 A, 1.2 kV, 0.05 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 268W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 95 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.31 EUR
9+28.06 EUR
10+23.24 EUR
50+21.31 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.28 EUR
12+14.8 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 178 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.12 EUR
30+15.85 EUR
120+13.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 39A; Idm: 140A; 134W
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 134W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolSiC™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 39A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Application: automotive industry
Gate-source voltage: -5...23V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q100/AEC-Q101
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+23.28 EUR
12+14.48 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.63 EUR
10+15.57 EUR
100+14.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.39 EUR
16+10.83 EUR
25+10.48 EUR
50+10.15 EUR
100+9.27 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.88 EUR
30+12.44 EUR
120+10.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.56 EUR
14+12.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.43 EUR
10+14.28 EUR
100+12.17 EUR
480+10.58 EUR
1200+10.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.47 EUR
13+18.12 EUR
18+12.48 EUR
50+11.57 EUR
100+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.56 EUR
14+12.59 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R060M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+18.39 EUR
16+10.59 EUR
25+10.1 EUR
50+9.62 EUR
100+8.56 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 169W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R080M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 2160 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
240+8.22 EUR
960+7.44 EUR
1440+6.81 EUR
1920+6.32 EUR
Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R120M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
auf Bestellung 132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.04 EUR
20+11.77 EUR
27+7.95 EUR
50+7.74 EUR
100+7.52 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.73 EUR
24+7.18 EUR
100+5.82 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.52 EUR
30+8.39 EUR
120+7.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 234 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+12.73 EUR
24+7.34 EUR
100+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.18 EUR
10+9.64 EUR
100+8.08 EUR
480+6.94 EUR
1200+6.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.35 EUR
24+7.38 EUR
27+6.33 EUR
50+6.13 EUR
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 20V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 1.5mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 71 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.27 EUR
30+6.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.45 EUR
10+8.38 EUR
100+6.18 EUR
480+5.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+11.35 EUR
24+7.21 EUR
27+6.09 EUR
50+5.8 EUR
100+4.7 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZH120R160M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZH120R160M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.2 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 109W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.24 EUR
21+11.41 EUR
27+8.01 EUR
50+7.65 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R010M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 244 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+108.08 EUR
5+93.77 EUR
10+80.48 EUR
50+72.51 EUR
100+64.53 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R010M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
1+223.41 EUR
10+203.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R020M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.39 EUR
10+33.72 EUR
100+31.58 EUR
480+31.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R020M1TXKSA1InfineonN-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-14 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R040M1TXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET SIC_DISCRETE
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.52 EUR
10+32.17 EUR
25+31.31 EUR
50+29.57 EUR
100+27.83 EUR
240+26.93 EUR
480+25.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R060M1TXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIMZHN120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+33.19 EUR
9+28.99 EUR
10+25.04 EUR
50+23 EUR
100+20.97 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-14
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
AIMZHN120R120M1TXKSA1Infineon TechnologiesSiC MOSFETs SIC_DISCRETE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 23 24 25 26 27 28