Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD60R400CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 112W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 9.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R400CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R400CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4920 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R400CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R400CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 112W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm | auf Bestellung 4761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R400CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 22500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R450E6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R450E6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R450E6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R450E6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R450E6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R450E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 9.2A DPAK-2 | auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R460CE | Infineon technologies | auf Bestellung 2175 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 9.1A DPAK-2 | auf Bestellung 3918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R460CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | auf Bestellung 2154 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 74W Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 280µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R460CEAUMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R460CEAUMA1 - IPD60R460 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R460CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 13.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | auf Bestellung 51 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 8.1A DPAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R520C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Order Manufacturer Part Number IPD60R520C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 512 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 230µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 2.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520CPATMA1 | Rochester Electronics, LLC | Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 309 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520CPBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R520CPBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600C6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 63W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 4380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 123590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1782 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20.2A DPAK-2 | auf Bestellung 37905 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | auf Bestellung 3617 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPD60R600CM8XTMA1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 3007 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IPD60R600CM8XTMA1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CM8XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1460 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600CP | INFINEON | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R600CP | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R600CP - IPD60R600 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600CP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14945 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600CP | Infineon | MOSFET N-Ch 600V 6.1A DPAK-2 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CP | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V | auf Bestellung 4945 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600CPATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CPBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600CPBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 7.3A DPAK-2 CoolMOS E6 | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600E6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1942 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1899 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600E6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600E6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Power Dissipation (Max): 63W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1449 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.3 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 1986 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4482 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 557 pF @ 100 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7 | Infineon Technologies | Infineon LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 30W Gate charge: 9nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm | auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | auf Bestellung 4288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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