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Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1760 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

752+	0.86 EUR
1000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 752 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

auf Bestellung 1008 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.45 EUR
10+	2.19 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2173 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

616+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 616 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.64 EUR
133+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

449+	0.38 EUR
456+	0.37 EUR
463+	0.36 EUR
471+	0.35 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 449 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Description: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm

auf Bestellung 444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	4.45 EUR
88+	2.64 EUR
133+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1762 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	0.67 EUR
442+	0.38 EUR
449+	0.36 EUR
456+	0.33 EUR
463+	0.32 EUR
471+	0.3 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 257 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 206 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.67 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.2 EUR
1000+	1.06 EUR
2500+	0.9 EUR

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

198+	0.87 EUR
200+	0.84 EUR
500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 198 Stücke

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IPD60R360PFD7SAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD60R380C6

MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

auf Bestellung 4889 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.57 EUR
10+	2.92 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.49 EUR
2500+	1.26 EUR

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IPD60R380C6

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.23 EUR
5000+	1.14 EUR
7500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.23 EUR
5000+	1.12 EUR
7500+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.09 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

auf Bestellung 13880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.31 EUR
7500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.2 EUR
5000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Mounting: SMD
Case: PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

159+	1.08 EUR
376+	0.44 EUR
382+	0.42 EUR
388+	0.39 EUR
395+	0.37 EUR
401+	0.36 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 159 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm

auf Bestellung 2353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.55 EUR
76+	3.06 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2413 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

361+	1.78 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 361 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

auf Bestellung 15689 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.8 EUR
10+	3.08 EUR
50+	2.33 EUR
100+	2.09 EUR
500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1890 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

382+	0.45 EUR
388+	0.44 EUR
395+	0.42 EUR
401+	0.4 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 382 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

auf Bestellung 2658 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.13 EUR
10+	2.87 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.3 EUR
5000+	1.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6BTMA1

MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6

MOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6ATMA2

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6ATMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

394+	1.64 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6ATMA2

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6ATMA2 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

445+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 445 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6ATMA2

auf Bestellung 6650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

315+	1.74 EUR

Mindestbestellmenge: 315 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6ATMA2

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

394+	1.64 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6BTMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6BTMA1 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

445+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 445 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6BTMA1

MOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380E6BTMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 7551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

394+	1.64 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6

MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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IPD60R380P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
Power dissipation: 83W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	4.12 EUR
95+	2.46 EUR
141+	1.54 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.67 EUR
5000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
141+	1.54 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

auf Bestellung 4747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.92 EUR
10+	2.5 EUR
50+	1.88 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD60R380P6ATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

auf Bestellung 7256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.86 EUR
10+	1.86 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.21 EUR
2500+	1.08 EUR

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IPD60R380P6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

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IPD60R380P6BTMA1

MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

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IPD60R385CP

MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2 CoolMOS CP

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IPD60R385CP

MOSFET N-Ch 600V 9A DPAK-2 CoolMOS CP Транзистори

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IPD60R385CP(Transistor)
Produktcode: 48539

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IPD60R385CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.7 EUR
5000+	1.59 EUR
7500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.62 EUR
5000+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

257+	2.51 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 257 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

auf Bestellung 46446 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.62 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPATMA1

MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2

auf Bestellung 5288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.51 EUR
10+	2.75 EUR
100+	2.48 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.92 EUR
2500+	1.78 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.62 EUR
5000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPBTMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 (DPak) Транзистори

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IPD60R3K3C6

MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6

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IPD60R3K3C6
Produktcode: 167569

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 2275 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.12 EUR
16+	1.32 EUR
50+	0.98 EUR
100+	0.86 EUR
500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR
5000+	0.39 EUR
10000+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

309+	0.56 EUR
343+	0.49 EUR
346+	0.46 EUR
374+	0.4 EUR
378+	0.39 EUR
500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 309 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm

auf Bestellung 131 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

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IPD60R3K3C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R3K3C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R3K3C6ATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2

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IPD60R3K3C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R3K3C6BTMA1

MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6

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IPD60R3K4CEAUMA1

MOSFETs CONSUMER

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IPD60R3K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R3K4CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

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100+	0.58 EUR
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IPD60R3K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R3K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R3K4CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

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IPD60R3K4CEAUMA1

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IPD60R3K4CEAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 29W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 29W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252

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IPD60R3K4CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R400CE

MOSFET CONSUMER

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IPD60R400CEATMA1

MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори

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IPD60R400CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD60R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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7500+	0.68 EUR
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12500+	0.6 EUR
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IPD60R400CEAUMA1