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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692onsemi / FairchildMOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench
auf Bestellung 46639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.81 EUR
100+0.74 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
588+1.11 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 588 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14A/28A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 14A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
336+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 336 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692AON Semiconductor / FairchildMOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
13+1.71 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692AFAIRCHILDQFN
auf Bestellung 10593 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7692AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/28A 8QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.89 EUR
100+0.77 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
327+0.54 EUR
332+0.51 EUR
337+0.48 EUR
343+0.45 EUR
348+0.43 EUR
500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694onsemi / FairchildMOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 206036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.83 EUR
10+0.82 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
24000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2504 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1153+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 1153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 23254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1334+0.49 EUR
10000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1334 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 27W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 27W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694onsemiMOSFETs 30V NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 158245 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 634 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
332+0.52 EUR
337+0.51 EUR
343+0.49 EUR
348+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 332 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7694-NConsemiMOSFETs PT7 30V/20V NCH ER TREN M
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7696AONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7696A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7696AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.2A
Packaging: Bulk
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1902+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1902 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1091+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 1091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.52 EUR
9000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.44 EUR
610+0.27 EUR
615+0.26 EUR
617+0.25 EUR
628+0.24 EUR
629+0.23 EUR
631+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698onsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 9098 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
3000+0.49 EUR
6000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
617+0.29 EUR
628+0.27 EUR
629+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 617 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
451+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 451 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 15 V
auf Bestellung 10119 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
17+1.26 EUR
100+0.87 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698_F065ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 22A 10mOhms N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7698_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A PWR56
auf Bestellung 2550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7700Sonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+7.46 EUR
25+7.03 EUR
100+6.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7700SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ONN
auf Bestellung 1945 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 110A; Idm: 680A; 83W; Power56
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 110A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018onsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1849 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
auf Bestellung 20164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.13 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+1.57 EUR
126+1.33 EUR
144+1.13 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.9 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8018ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8018 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 175 A, 0.0018 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
auf Bestellung 2401 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.2 EUR
99+2.37 EUR
140+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8020onsemiMOSFETs 30V 42A 2.5mohms NCh PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 40869 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.64 EUR
100+1.73 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8020ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8020onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8020onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8023SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 59W; Power56
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 59W
Gate charge: 57nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8023SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
auf Bestellung 1833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.89 EUR
12+1.84 EUR
100+1.23 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8023SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8023SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8023SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 26A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
533+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 533 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 87979 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
442+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 4878 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.72 EUR
10+2.39 EUR
100+1.59 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
442+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 90979 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
426+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
442+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
auf Bestellung 5328 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.49 EUR
11+1.9 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 49A; Idm: 100A; 50W; Power56
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 50W
Gate charge: 47nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 49A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
442+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 72337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
442+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 442 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 24A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8025SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8026SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
auf Bestellung 42641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8026SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 15 V
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.05 EUR
10+3.25 EUR
100+2.23 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8026SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8026S - MOSFET, N CH, 30V, 22A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8026SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 1067 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.03 EUR
100+2.31 EUR
500+1.87 EUR
3000+1.86 EUR
6000+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8027SONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 22A; Idm: 100A; 36W; Power56
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 31nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 22A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: Power56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8027SonsemiMOSFETs 30V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.24 EUR
10+1.4 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
3000+0.52 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8027SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.27 EUR
10+2.57 EUR
100+1.83 EUR
500+1.5 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8027SONN
auf Bestellung 1895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8027SonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8027S-NConsemiMOSFETs PT8 N 30/20 SYNCFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
2+2.31 EUR
10+1.43 EUR
100+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050onsemiMOSFETs PT8 N 30/20 in Powerclip 56 Single
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050onsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 55A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.86 EUR
10+7.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; Idm: 400A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9mΩ
Pulsed drain current: 400A
Gate charge: 285nC
Drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050ET30onsemiMOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 8614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.72 EUR
10+6.37 EUR
100+4.16 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.83 EUR
3000+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8050ET30onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 750µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22610 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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