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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7742DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7742DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7742DP-T1-GE3
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SI7748DP-T1-E3
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SI7748DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
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SI7748DP-T1-GE3
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SI7748DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
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SI7748DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRC10DP-T1-GE3
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SI7758DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7758DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 2.9mohm @ 10V
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SI7758DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7758DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7772DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
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SI7772DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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2+2.31 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.63 EUR
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SI7772DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
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SI7772DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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SI7774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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SI7774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
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Si7784DP-T1
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SI7784DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
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SI7784DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
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SI7784DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
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SI7788DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
auf Bestellung 1568 Stücke:
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1+5.82 EUR
10+4.32 EUR
100+3.31 EUR
250+2.92 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.49 EUR
3000+2.4 EUR
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SI7788DP-T1-GE3VISHAY0828+
auf Bestellung 2969 Stücke:
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SI7788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
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SI7788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
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SI7788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
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SI7790DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 691 Stücke:
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SI7790DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
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SI7790DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 50A 69W 4.5mohm @ 10V
auf Bestellung 4650 Stücke:
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SI7790DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
auf Bestellung 691 Stücke:
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SI7792DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 60 Amps 104 Watts
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SI7792DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40.6A/60A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4735 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI7802DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7802DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7802DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7802DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7802DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7802DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
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SI7804
auf Bestellung 1556 Stücke:
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SI7804DN
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7804DN-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7804DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
auf Bestellung 2727 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7804DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7804DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7804DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT SIS412DN-T1-GE3
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SI7804DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 3.5W 18.5mohm @ 10V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7804DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7806ADNvishay09+
auf Bestellung 5800 Stücke:
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SI7806ADN-T-E1VISHAY
auf Bestellung 579 Stücke:
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SI7806ADN-T1
auf Bestellung 2320 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7806ADN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 14A 0.011Ohm
auf Bestellung 4548 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.31 EUR
100+1.68 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.21 EUR
3000+1.11 EUR
6000+1.09 EUR
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SI7806ADN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
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SI7806ADN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 40038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7806ADN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
auf Bestellung 2352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7806ADN-T1-E3-PBF
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7806ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7806ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V
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SI7806ADP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7806BDN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 797 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7806DNVISHAI01+
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7806DN-T1-E3VISHAY06NOPB
auf Bestellung 13004 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810QFN
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DNVISHAY09+
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7810DN-T1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 54434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.53 EUR
100+1.94 EUR
250+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1658 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-GE3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 24967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.53 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DNVISHAY09+
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
auf Bestellung 4461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 29859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.22 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.61 EUR
6000+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 1588 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7812DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 7.2A; Idm: 25A; 33W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 7.2A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
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3000+1.59 EUR
6000+1.5 EUR
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SI7812DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7812DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 75V; 7.2A; Idm: 25A; 33W
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 33W
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 7.2A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
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4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.84 EUR
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SI7812DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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52+3.44 EUR
61+2.69 EUR
100+2.02 EUR
250+1.92 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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SI7812DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.39 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.61 EUR
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SI7814QFN
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SI7818DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.95 EUR
68+2.43 EUR
100+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
auf Bestellung 2822 Stücke:
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5+4.38 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7818DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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SI7818DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
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2+3.09 EUR
10+2.53 EUR
100+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.26 EUR
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SI7818DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 233 Stücke:
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SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 66472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.59 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.24 EUR
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SI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
10+2.5 EUR
100+1.94 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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