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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2850 Stücke
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SI7810DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 54434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.53 EUR
100+1.94 EUR
250+1.93 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 3.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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SI7810DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 24967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.53 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.32 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7810DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7812DNVISHAY09+
auf Bestellung 31 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
auf Bestellung 4461 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
10+3.64 EUR
100+2.51 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 29186 Stücke:
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1+5.43 EUR
10+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.39 EUR
61+2.65 EUR
100+2 EUR
250+1.89 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 75V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 43798 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+2.68 EUR
100+2.4 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.59 EUR
9000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 75V 7.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7812DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 35 V
auf Bestellung 45900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
50+2.67 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7814QFN
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.92 EUR
68+2.4 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
auf Bestellung 2822 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.38 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 2.2A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3471 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+2.53 EUR
100+1.96 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.37 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 66472 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.59 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
3000+1.29 EUR
6000+1.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7818DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.06 EUR
10+2.5 EUR
100+1.94 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1
auf Bestellung 2701 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 2413 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.95 EUR
100+2.37 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 5205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+2.43 EUR
100+1.73 EUR
250+1.71 EUR
500+1.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.41 EUR
10+2.83 EUR
100+1.93 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7820DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 0.25 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PWM-Optimized TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 6V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+6.22 EUR
63+3.69 EUR
100+2.36 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 13494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.05 EUR
10+3.22 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.58 EUR
6000+1.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7820DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7822DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7836DP-T1-E3
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840SILICONIX04+
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840BVISHAY08+ BGA
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840BDPVISHAY
auf Bestellung 1340 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840BDP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 16.5A 4.1W 8.5mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840DPVISHAY09+
auf Bestellung 3238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18A 5W
Produkt ist nicht verfügbar
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SI7840DP-T1VISHAY
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840DP-T1-E3VISHAY2002
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840DP-TI
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840DP-TI-E3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7840DPT1VISHAY
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7840DY-T1VISHAY
auf Bestellung 8745 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7842DPSI
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7842DP-T1VISHAYQFN8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7842DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7842DP-T1-E3Vishay10+
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7842DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7842DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7842DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7842DY-T1SI
auf Bestellung 14950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DPVishayMOSFET Order as Si7844DP-T1-E3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DPVISHAY09+
auf Bestellung 198 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DP-T1VISHAY2005
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DP-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 3.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7844DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7844DP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7272DP-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7844DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7272DP-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7844DP-TI
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DPVISHAY09+
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DPVishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 24.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 150V 24.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.31 EUR
10+4.11 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.51 EUR
3000+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 15705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+3.56 EUR
100+2.76 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
auf Bestellung 2450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.22 EUR
10+5.59 EUR
100+4.5 EUR
500+3.69 EUR
1000+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 24.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5969 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.5 EUR
100+3.2 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.56 EUR
3000+2.37 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7846SAC
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si7848SIBGA
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 16A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7848BDP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 47 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 4.2
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Wandlerpolarität: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
auf Bestellung 25980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.5 EUR
10+4.93 EUR
100+3.45 EUR
500+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7848BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+2.37 EUR
6000+2.36 EUR
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SI7848BDP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 12.8A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 23W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI7848BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 47A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7848BDP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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