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IPP023N10N5XKSA1

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IPP023N10N5XKSA1

MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.39 EUR
10+	6.62 EUR
100+	6.06 EUR
500+	5.37 EUR

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IPP023N10N5XKSA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V

auf Bestellung 724 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	12.67 EUR
50+	6.74 EUR
100+	6.16 EUR
500+	5.16 EUR

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IPP023N10N5XKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement

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IPP023N10N5XKSA1

Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 408 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	12.45 EUR
31+	7.57 EUR
100+	5.91 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	6.49 EUR
11000+	5.88 EUR
16500+	5.38 EUR
22000+	4.99 EUR

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IPP023N10N5XKSA1

IPP023N10N5XKSA1

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IPP023NE7N3 G

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	12.46 EUR
10+	10.47 EUR
25+	9.89 EUR
100+	8.48 EUR
250+	8 EUR
500+	7.52 EUR
1000+	6.68 EUR

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IPP023NE7N3 G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220

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IPP023NE7N3 G

IPP023NE7N3 G IPP023NE7N3G MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 Транзистори

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IPP023NE7N3G

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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IPP023NE7N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP023NE7N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 518 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	6.68 EUR
71+	3.27 EUR
100+	2.98 EUR
500+	2.94 EUR

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21+	8.28 EUR
23+	7.46 EUR
100+	6.26 EUR
500+	5.39 EUR
1000+	4.69 EUR
2500+	4.43 EUR

Mindestbestellmenge: 21 Stücke

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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IPP023NE7N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	11.52 EUR
10+	10.81 EUR
25+	10.17 EUR
100+	8.76 EUR
250+	8.25 EUR
500+	7.64 EUR

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4568 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

15+	11.91 EUR
17+	10.56 EUR
100+	8.46 EUR
500+	7.03 EUR
1000+	6.09 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	10.09 EUR
19+	9.08 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

18+	10.09 EUR
19+	8.88 EUR

Mindestbestellmenge: 18 Stücke

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IPP023NE7N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP023NE7N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V

auf Bestellung 760 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	7.98 EUR
50+	5.07 EUR
100+	5.01 EUR
500+	4.87 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPP024N06N3G

Infineon technologies

auf Bestellung 24 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP024N06N3G

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 1151 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

201+	2.87 EUR

Mindestbestellmenge: 201 Stücke

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IPP024N06N3GHKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	4.76 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 30 V

auf Bestellung 400 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

90+	6.15 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

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IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

47+	3.71 EUR
500+	3.55 EUR
1000+	3.38 EUR
2500+	3.21 EUR

Mindestbestellmenge: 47 Stücke

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IPP024N06N3GXKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 7248 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

48+	3.69 EUR
500+	3.61 EUR
1000+	3.49 EUR
2500+	3.38 EUR

Mindestbestellmenge: 48 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

MOSFET N-Ch 60V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N06N3GXKSA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

12+	7.41 EUR
14+	6.38 EUR
17+	5.12 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1360 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.41 EUR
50+	3.52 EUR
100+	3.21 EUR
500+	2.78 EUR
1000+	2.56 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 256000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	2.34 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 699 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.52 EUR
10+	4.93 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.84 EUR
2000+	2.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 182A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm

auf Bestellung 889 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

31+	8.29 EUR
59+	3.95 EUR
100+	3.34 EUR
500+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 31 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2S N-Channel 80 V 28A (Ta), 182A (Tc) 3.8W (Ta), 214W (Tc) TO-220 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPP024N08NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube

auf Bestellung 996 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	3.53 EUR
57+	3.06 EUR
59+	2.87 EUR
100+	2.43 EUR
250+	2.27 EUR
500+	2.13 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP024N08NF2SAKMA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V

auf Bestellung 92 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.14 EUR
50+	3.12 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

MOSFET TRENCH <= 40V

auf Bestellung 164 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.08 EUR
10+	2.53 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.34 EUR
2000+	1.27 EUR
5000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP026N04NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 710 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

58+	4.34 EUR
79+	2.95 EUR
113+	1.89 EUR
500+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

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IPP026N04NF2SAKMA1

Description: TRENCH PG-TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP026N04NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

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IPP026N10NF2S

IPP026N10NF2S

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25+	9.98 EUR
50+	9.4 EUR
100+	8.88 EUR
250+	8.48 EUR
500+	8.13 EUR
1000+	7.74 EUR

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IPP026N10NF2S

IFX FET >80 - 100V

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IPP026N10NF2SAKMA1

Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 184A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V

auf Bestellung 922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	8.82 EUR
10+	5.82 EUR
50+	4.53 EUR
100+	4.12 EUR
500+	3.39 EUR

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.44 EUR
50+	4.33 EUR
100+	3.9 EUR
500+	2.96 EUR
1000+	2.89 EUR
2000+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 184A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 184A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of channel: enhancement

auf Bestellung 26 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	5.09 EUR
19+	4.63 EUR
26+	3.27 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 28 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 11 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 1368 Stücke:

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1+	8.15 EUR
10+	4.46 EUR
100+	4.06 EUR
500+	3.39 EUR
2000+	3.28 EUR

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 209 Stücke:

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41+	4.27 EUR
50+	4.18 EUR
100+	3.78 EUR

Mindestbestellmenge: 41 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

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186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 28 Stücke:

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 4000 Stücke:

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40+	4.45 EUR
50+	4.25 EUR
100+	3.76 EUR
500+	2.82 EUR
1000+	2.68 EUR
2000+	2.55 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Description: INFINEON - IPP026N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 184 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 184A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm

auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

24+	10.52 EUR
43+	5.45 EUR
100+	4.24 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

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186+	3.52 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	3.03 EUR

Mindestbestellmenge: 186 Stücke

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IPP026N10NF2SAKMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

35+	5.01 EUR
50+	3.63 EUR
100+	3.53 EUR
1000+	3.18 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

29+	6.18 EUR
39+	4.36 EUR
41+	3.99 EUR
100+	3 EUR
250+	2.77 EUR
500+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

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IPP027N08N5AKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5AKSA1

MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5AKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

28+	6.26 EUR
38+	4.51 EUR
40+	4.19 EUR
100+	3.2 EUR
250+	3.05 EUR
500+	2.86 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5XKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5XKSA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP027N08N5XKSA1

IPP027N08N5XKSA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3 G

MOSFETs N-Ch 80V 100A TO220-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 480 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	9.03 EUR
10+	5.34 EUR
100+	4.65 EUR
500+	4.16 EUR

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IPP028N08N3 G

Rochester Electronics, LLC

auf Bestellung 3500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3G

IFX

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPP028N08N3GHKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPP028N08N3GHKSA1 - IPP028N08 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GHKSA1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 21 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

19+	13.45 EUR

Mindestbestellmenge: 19 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

158+	4.15 EUR
500+	3.88 EUR
1000+	3.58 EUR

Mindestbestellmenge: 158 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.98 EUR
23+	7.62 EUR
25+	7.21 EUR
50+	4.49 EUR
100+	4.01 EUR
250+	3.8 EUR
500+	2.83 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

auf Bestellung 200 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 6748 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

22+	7.89 EUR
25+	7.58 EUR
50+	4.8 EUR
100+	4.39 EUR
250+	4.28 EUR
500+	3.26 EUR

Mindestbestellmenge: 22 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

auf Bestellung 11500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	12.03 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06N

Infineon technologies

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06N

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAK5A1

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

MOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1
Produktcode: 178126

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Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 1083 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	5.9 EUR
48+	4.91 EUR
53+	4.12 EUR
100+	3.67 EUR
500+	3 EUR
1000+	2.33 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Description: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V

auf Bestellung 68 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.71 EUR
50+	2.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NAKSA1

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPP029N06NXKSA1

Description: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPP029N06NXKSA1

Description: TRENCH 40<-<100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

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IPP029N06NXKSA1

MOSFETs OptiMOS Power-Transistor,60V

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MOSFETs TRENCH >=100V

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