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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
NTM88H075T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88H075T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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NTM88H077T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
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NTM88H125ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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NTM88H125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
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NTM88H135ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88H135T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.64 EUR
5+16.46 EUR
10+10.45 EUR
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NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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NTM88H135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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NTM88H145ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88H145T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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NTM88H145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.41 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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NTM88H155T1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.64 EUR
5+16.45 EUR
10+14.52 EUR
25+11.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88H155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J125ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J125T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J135T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J145ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J145T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J155ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88J155T1NXP USA Inc.Description: IC PRESSURE SENSOR 24HQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88K135ST1NXP USA Inc.Description: TPMS 4X4 1500KPA XZ AXIS
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-FQFN Exposed Pad
Output Type: SPI
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Pressure: 13.05PSI ~ 220.17PSI (90kPa ~ 1518kPa)
Pressure Type: Differential
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.2V ~ 3.6V
Applications: Industrial Automation
Supplier Device Package: 24-HQFN (4x4)
Port Style: No Port
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88K155ST1NXP SemiconductorsBoard Mount Pressure Sensors NTM88 Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTM88K155ST1STMicroelectronicsBoard Mount Pressure Sensors Highly Integrated Tire Pressure Sensor
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5LONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 100/-100V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 100/-100V
Drain current: 4.5/-3.6A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83/131mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5/5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: SOIC8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5LONSEMIDescription: ONSEMI - NTMC083NP10M5L - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0594ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0594ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
188+1.24 EUR
230+0.93 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5LonsemiMOSFETs MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
auf Bestellung 38580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.04 EUR
100+0.9 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.8 EUR
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5LONSEMIDescription: ONSEMI - NTMC083NP10M5L - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0594ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0594ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 11527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+2.07 EUR
188+1.24 EUR
230+0.93 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC083NP10M5LonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 100V 2.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC1300RMOT01+
auf Bestellung 2167 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC1300R2
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMC1300R2onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 2.2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A, 1.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2onsemiMOSFET 20V 5.2A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2GonsemiMOSFET 20V 5.2A Complementary
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
auf Bestellung 16455 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
802+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 802 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2SGonsemiMOSFET COMP20V 2A .043R TR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2C02R2SGonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1603+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2N05ZMOT09+ SO-8
auf Bestellung 2318 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2P01ON07+ SO-8
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2P01R2ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2P01R2ON05+
auf Bestellung 607 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2P01R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2P02MOT95+ SOP
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD2P10MOT95+ SOP
auf Bestellung 941 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3N03MOT09+ SO-8
auf Bestellung 1754 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3N08LON07+ SO-8
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3N08LR2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
auf Bestellung 114190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1374+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 1374 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3N08LR2onsemiMOSFET 80V 2.3A N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3N08LR2GonsemiMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03ON07+ SO-8
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03R2
auf Bestellung 280000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03R2GONSOP8 07+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD3P03R2GonsemiMOSFETs 30V 3.05A P-Channel
auf Bestellung 2737 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.4 EUR
100+1.05 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4184PFG
auf Bestellung 7717 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4184PFR2G
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4184PFR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4184PFR2GonsemiMOSFET PFET FTKY S08 30V TR 3.8A
auf Bestellung 22502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4184PFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4184PFR2G - Leistungs-MOSFET, FETKY, p-Kanal, 30 V, 3.3 A, 0.07 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTMD4820Nonsemionsemi NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
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NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTMD4820NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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NTMD4820NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
auf Bestellung 20895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NTMD4820NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 8A TR 0.020R
auf Bestellung 1530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.5 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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NTMD4820NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4820NR2G - NFET SO8 30V 8A 0.020R TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1319 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
258+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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NTMD4820NR2G
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMD4840Nonsemionsemi NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
Produkt ist nicht verfügbar
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NTMD4840NR2GON Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15, Qg, нКл = 9,5 @ 10 В, Rds = 24 мОм @ 6,9 A, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,68, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
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NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 262234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1156+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1156 Stücke
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NTMD4840NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMD4840NR2G - MOSFET, DUAL N CH, 30V, 5.5A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 234602 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1400+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1400 Stücke
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NTMD4840NR2GON Semiconductor
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMD4840NR2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 680mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
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NTMD4840NR2GonsemiMOSFET NFET SO8 30V 7.5A 0.034R
auf Bestellung 1396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.39 EUR
10+1.24 EUR
100+0.95 EUR
500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4884NFR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
auf Bestellung 45537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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NTMD4884NFR2G
auf Bestellung 1260 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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NTMD4N01MOT09+ SO-8
auf Bestellung 3948 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03onsemionsemi NFET SO8 30V 4A 60MOHM
Produkt ist nicht verfügbar
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NTMD4N03DR2
auf Bestellung 1456 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2ON07+ SO-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2GON06+ SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2GonsemiMOSFETs 30V 4A N-Channel
auf Bestellung 20444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.18 EUR
100+0.8 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.54 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD4N03R2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5836NLR2GON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMD5836NLR2GonsemiMOSFET NFET SO8-D 40V 10 25mOHM
Produkt ist nicht verfügbar
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