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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PMN35EN125NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 360642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3206+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN37ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN37ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
405+0.57 EUR
770+0.27 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN37ENEXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 60V 3.6A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN37ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN37ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
274+0.92 EUR
405+0.57 EUR
770+0.27 EUR
807+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 274 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN38EN
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN38EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN38EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
30+0.71 EUR
100+0.48 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
303+0.77 EUR
445+0.48 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENAXNexperiaMOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.99 EUR
10+0.84 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
303+0.77 EUR
445+0.48 EUR
565+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENEXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.84 EUR
10+0.52 EUR
100+0.37 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENEX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1683+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 1683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40LNPHILIPSSOT163
auf Bestellung 14600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V
auf Bestellung 24547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2219+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2219 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.54 EUR
242+0.96 EUR
417+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.54 EUR
242+0.96 EUR
417+0.51 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
34+0.63 EUR
100+0.48 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40SNAXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 60V 4.7A
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.05 EUR
10+1.38 EUR
100+0.87 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.39 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1214+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 1214 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPE,115NexperiaMOSFET PMN40UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
auf Bestellung 1220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPE,115-NEXNexperia USA Inc.Description: TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEA,115NexperiaPMN40UPEA,115
auf Bestellung 38279 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEA,115NXP SemiconductorsPMN40UPEA,115
auf Bestellung 5582 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40UPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 46497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEA,115NXP SemiconductorsPMN40UPEA,115
auf Bestellung 40915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
605+1.08 EUR
1000+0.98 EUR
10000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 605 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEA115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
auf Bestellung 46497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1202+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1202 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40UPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
316+0.55 EUR
466+0.37 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.69 EUR
316+0.54 EUR
466+0.35 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAAXNexperiaMOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.94 EUR
345+0.68 EUR
575+0.37 EUR
705+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 4.7A
auf Bestellung 3022 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.6 EUR
100+0.39 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN40XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
268+0.94 EUR
345+0.68 EUR
575+0.37 EUR
705+0.31 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 268 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPE,115NexperiaMOSFET PMN42XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEA,125Rochester Electronics, LLCDescription: 4A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL, S
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
530+0.33 EUR
710+0.24 EUR
717+0.23 EUR
725+0.21 EUR
781+0.19 EUR
847+0.17 EUR
926+0.14 EUR
1020+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 530 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAHNexperiaMOSFETs PMN42XPEA/SOT457/SC-74
auf Bestellung 4133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1 EUR
10+0.68 EUR
100+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.26 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Supplier Device Package: 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
555+0.31 EUR
745+0.23 EUR
752+0.21 EUR
1020+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 555 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.7A
auf Bestellung 85786 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.95 EUR
10+0.75 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 2695 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.99 EUR
32+0.67 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+0.4 EUR
531+0.32 EUR
537+0.3 EUR
890+0.18 EUR
899+0.17 EUR
908+0.15 EUR
1188+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN42XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN45EN
auf Bestellung 52600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN45EN,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
auf Bestellung 450515 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1665+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN45EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,115NexperiaMOSFETs PMN48XP/SOT457/SC-74
auf Bestellung 1246 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.4 EUR
100+0.89 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
181+1.38 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 181 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.57 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
auf Bestellung 1851 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.44 EUR
24+0.9 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,125NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XP,125NexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 4.1A
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.4 EUR
100+0.89 EUR
500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA2XNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA2XNexperiaMOSFETs PMN48XPA2/SOT457/SC-74
auf Bestellung 3530 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.83 EUR
10+0.71 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.32 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA2XNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5784 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
31+0.7 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA2XNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPAXNexperiaMOSFETs PMN48XPA/SOT457/SC-74
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.07 EUR
10+0.74 EUR
100+0.5 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPAXNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMN48XP - 20V, P-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN48XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMN48XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
26+0.83 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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PMN48XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
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PMN49EN
auf Bestellung 33000 Stücke:
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PMN49EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Packaging: Bulk
auf Bestellung 58959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2420+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN49EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN49EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN50EPEHNexperia USA Inc.Description: PMN50EPE/SOT457/SC-74
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
50+0.77 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN50EPEHNexperia USA Inc.Description: PMN50EPE/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1868 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
228+1.02 EUR
338+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMN50EPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
auf Bestellung 1880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
20+1.05 EUR
50+0.77 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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