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SPD03N50C3ATMA1

Description: MOSFET N-CH 500V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N50C3BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 560V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N50S5

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60

INFINEON

TO-252

auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 3.2A DPAK-2 CoolMOS C3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

Infineon

N-Ch 650V 3.2A DPAK=TO-252 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.88 EUR
5000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 1925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.89 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1.04 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

auf Bestellung 17082 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.61 EUR
10+	2.3 EUR
100+	1.55 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V

auf Bestellung 302 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.39 EUR
10+	2.17 EUR
100+	1.46 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 135µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

auf Bestellung 11175 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

562+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 562 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5

INFINEON

TO-252/D-PAK

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 3.2A DPAK-2 CoolMOS S5

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5BTMA1

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5BTMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD03N60S5BTMA1 - SPD03N60 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER M
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 541 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

auf Bestellung 11526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

383+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 383 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD03N60S5XT

Infineon Technologies

Description: SPD03N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 135µA

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

611+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 611 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N03L

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.45 EUR
10+	2.34 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.23 EUR
5000+	1.2 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

auf Bestellung 3515 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.48 EUR
12+	1.86 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.27 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 85 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A TO252-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N50C3T

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60

INFINEON

TO-252

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C2

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - SPD04N60C2 - SPD04N60 - COOLMOS, 4.5A, 600V, 0.95OHM,
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 45850 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 800 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C2

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

auf Bestellung 45850 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

567+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 567 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C2

INFINEON

07+ TO-252/D-PAK

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C2
Produktcode: 63023

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C3

INFINEON

07+ TO-252/D-PAK

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C3

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 600V 4.5A DPAK-2 CoolMOS C3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1327 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

335+	1.98 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 335 Stücke

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SPD04N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

auf Bestellung 1927 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.18 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.27 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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SPD04N60C3ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 2811 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.63 EUR
10+	2.98 EUR
100+	2.03 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.51 EUR
2500+	1.3 EUR

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SPD04N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

335+	1.98 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 335 Stücke

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SPD04N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04N60C3ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.5A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04N60C3ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - SPD04N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 4.5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 894 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPD04N60C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	6.77 EUR
103+	6.35 EUR
500+	5.88 EUR
1000+	5.44 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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SPD04N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	6.77 EUR
103+	6.35 EUR
500+	5.88 EUR
1000+	5.44 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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SPD04N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SPD04N60C3BTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	6.77 EUR
103+	6.35 EUR
500+	5.88 EUR
1000+	5.44 EUR
10000+	5.02 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

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SPD04N60S5

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04N60S5

INFINEON

07+ TO-252/D-PAK

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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SPD04N60S5

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 4.5A DPAK-2 CoolMOS S5

Produkt ist nicht verfügbar

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SPD04N60S5BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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SPD04N80C3

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 800V 4A DPAK-2 CoolMOS C3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 1351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.14 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.33 EUR
2500+	1.24 EUR
5000+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

98+	1.8 EUR
107+	1.58 EUR
108+	1.52 EUR
122+	1.29 EUR
250+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 98 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

auf Bestellung 6624 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.06 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.29 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - SPD04N80C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5982 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.15 EUR
5000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7445 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	2.75 EUR
66+	2.67 EUR
100+	2.07 EUR
200+	1.93 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.08 EUR
2000+	1.04 EUR
2500+	1.02 EUR
5000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 340 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.64 EUR
108+	1.62 EUR
122+	1.39 EUR
250+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 107 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3BTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 800V 4A DPAK-2 CoolMOS C3

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04N80C3BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04P10P G

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.83 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.81 EUR
2500+	0.69 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04P10PG

Infineon Technologies

Description: SPD04P10 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04P10PGBTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3543 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04P10PGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2397 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

658+	0.27 EUR
667+	0.25 EUR
699+	0.23 EUR
700+	0.21 EUR
701+	0.2 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 658 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04P10PGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V

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SPD04P10PGBTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - SPD04P10PGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.644ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 3543 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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SPD04P10PGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04P10PGBTMA1

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -100V -4A DPAK-2

auf Bestellung 1414 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.81 EUR
10+	1.62 EUR
100+	1.11 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.79 EUR
2500+	0.71 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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SPD04P10PGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 319 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04P10PL G

Infineon Technologies

MOSFETs P-Ch -100V 4.2A DPAK-2

auf Bestellung 3468 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.26 EUR
10+	1.43 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.73 EUR
2500+	0.64 EUR
5000+	0.61 EUR

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SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 380µA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 4.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 1717 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.28 EUR
15+	1.43 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

SPD04P10PLGBTMA1

INFINEON

Description: INFINEON - SPD04P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 4.2 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 247 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPD04P10PLGBTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 100V 4.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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SPD050208Y2M

Tripp Lite

Description: MOTORS & SOLENOIDS
Features: Thermally Protected
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 2
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 300V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 50 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA

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SPD050220Y2M

Tripp Lite

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SPD050400Y2M

Tripp Lite

Description: MOTORS & SOLENIODS
Features: Thermally Protected
Packaging: Bulk
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Type 2
Operating Temperature: -40°C ~ 50°C
Approval Agency: cURus, UL
Form: Base + Module
Number of Poles: 1
Voltage - Continuous Operating (Max) (MCOV): 640V
Current - Discharge (Nom) (8/20µS): 20 kA
Current - Discharge (Max) (8/20µS): 50 kA
Current - Short Circuit Rating (SCCR): 200 kA

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SPD05101

Carlo Gavazzi

DIN Rail Power Supplies 5 VDC POWER SUPPLY 10W

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	208.42 EUR
50+	167.28 EUR
100+	163.09 EUR

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SPD05101

Carlo Gavazzi Inc.

Description: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 5V 10W

auf Bestellung 9 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	195.28 EUR

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SPD05101B

Carlo Gavazzi

DIN Rail Power Supplies 5 VDC POWER SUPPLY 10W SPRING TERMINALS

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SPD05181

CARLO GAVAZZI

Description: CARLO GAVAZZI - SPD05181 - POWER SUPPLY, AC-DC, 5V, 3A
tariffCode: 85044095
Ausgangsstrom - Ausgang 2: -
rohsCompliant: TBA
Ausgangsspannung - Ausgang 4: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Anzahl der Ausgänge: 1 Output
Eingangsspannung, V AC: 90V AC to 264V AC
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Ausgangsspannung - Ausgang 3: -
Ausgangsstrom - Ausgang 3: -
Stromversorgungsausgang: Adjustable
Produktpalette: SPD Series
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 5V
productTraceability: No
Ausgangsspannung - Ausgang 2: -
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 3A
Anwendungen für das Netzteil: ITE
Ausgangsleistung, max.: 15W
directShipCharge: 25
Ausgangsstrom - Ausgang 4: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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SPD05181

Carlo Gavazzi Inc.

Description: AC/DC DIN RAIL SUPPLY 5V 15W
Power (Watts): 15W
Features: Adjustable Output, IP20, Universal Input
Packaging: Box
Size / Dimension: 4.49" L x 0.89" W x 3.54" H (114.0mm x 22.5mm x 90.0mm)
Operating Temperature: -20°C ~ 71°C (With Derating)
Applications: Hazardous Locations, Industrial, ITE (Commercial)
Input Type: AC or DC
Approval Agency: CCC, CE, cULus, cURus, TUV
Efficiency: 75%
Current - Output (Max): 3A
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
AC Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
DC Voltage - Input (Min): 120V
DC Voltage - Input (Max): 375V

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)