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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI6467BDQ-T1-E3
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SI6467BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
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SI6467BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6467BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6467BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
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SI6467BDQ-TIVISHAYTSSOP8 05+
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SI6467DQFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
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1255+0.52 EUR
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SI6467DQVISHAYTSSOP-8
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SI6467DQ-PI
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SI6467DQ-T1VISHAYTSSOP8
auf Bestellung 15000 Stücke:
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SI6467DQ-T1 TSSOP8VISHAY
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Si6467DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6467DQ-T1TSSOP8
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SI6467DY-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 95940 Stücke:
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SI6469N/A
auf Bestellung 514 Stücke:
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SI6469DQVISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6469DQ-T1SI01+
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Si6469DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6469DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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SI6469DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
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SI6469DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8.0V 6.0A 1.5W 28mohm @ 4.5V
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SI6473DQVISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6473DQ-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
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Si6473DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Si6473DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.08W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6473DQ-TI
auf Bestellung 80 Stücke:
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SI6475DQVISHAY07+ TSSOP-8
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI6475DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI6475DQ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 10A 1.75W 11mohm @ 4.5V
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI65-100
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI65-220
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI65-270
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI6501
auf Bestellung 34 Stücke:
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SI65424TSI96+ SOP-
auf Bestellung 8844 Stücke:
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SI6542DQ-T1SI97
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Si6542DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6542TRBIT97+ SOP-16
auf Bestellung 4400 Stücke:
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SI6543SILICONIX
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6543DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6543DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6544N/A
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6544BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
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SI6544BDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544BDQ-TI-E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6544DQSI07+ SSOP8
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI6544DQ-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 30400 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544DQ-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6544DQ-TIVISHAY0520+ SSOP8
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6552SILICONIX
auf Bestellung 1404 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6552DQ
auf Bestellung 1133 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6552DQ-T1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6552DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
12+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSSOP8 NPCH 20V 5.7A
auf Bestellung 7576 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.78 EUR
10+1.76 EUR
100+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 5.7A 8TSSOP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V, 51nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V, 30mOhm @ 5.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V, 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 6.7A (Tc), 5.1A (Ta), 6.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W (Ta), 1.6W (Tc), 1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSSOP-8 N&P PAIR
auf Bestellung 7357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3 EUR
10+1.89 EUR
100+1.26 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI6562CDQ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 17108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.76 EUR
195+1.19 EUR
204+1.06 EUR
500+1 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.21 EUR
145+1.17 EUR
146+1.11 EUR
148+1.06 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 25087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+1.2 EUR
146+1.18 EUR
148+1.14 EUR
250+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, 6.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
auf Bestellung 23500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.79 EUR
6000+0.74 EUR
9000+0.7 EUR
15000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562CDQ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562DQ
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562DQ-T1VISHAY04+ SOP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6562DQ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si6562DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562DQ-T1-GE3
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI6562DQ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI6600IFM ELECTRONICCategory: Flow Meters
Description: Automation module: signaller; Control.param: fluid flow; PIN: 4
Type of automation module: signaller
Controlled parameter: fluid flow
Supply voltage: 19...36V DC
Measuring range: 3...300 cm/s; 200...3000 cm/s
Output configuration: PNP NO / NC
Operating temperature: -25...60°C
Application: food industry
Connection: M12
Mounting: Aseptoflex; G1"
IP rating: IP67; IP69K
Number of pins: 4
Probe length: 20mm
Probe diameter: 7.7mm
Medium temperature range: -25...90°C
Body dimensions: Ø50x119mm
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SI6612A
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SI6680S
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SI6700ifm efector, inc.Description: FLOW MONITOR; PNP; SWITCHING SIG
Flow Sensor Type: Gas, Liquid
Sensing Range: 0.3 ~ 30 m/s, 20 ~ 300 m/s
Material - Body: Stainless Steel
Switch Function/Rating: SPDT
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Voltage - Input: 19V ~ 36V
Packaging: Box
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SI6801SILICONIX
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SI6801DQ-T
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SI6801DQ-T1SILICON97+
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Si6801DQ-T1-E3VISHAYSO-8
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SI6802DQ-T1
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Si6802DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6803DQ-T1SILICONIX9837
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Si6803DQ-T1-E3VISHAY07+ SO-8
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SI6803DQ-TI
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SI6803Q-T1
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SI6820DQSI07+ SSOP8
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Si6820DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
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SI6821
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SI6821DQ-T1
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Si6821DQ-T1-E3VISHAYTSSOP-8
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Si6823AL
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Si6862DQ-T1-E3VISHAY07+ TSSOP-8
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SI6866SILICONIX
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SI6866DQ
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Si6866DQ-T1SI
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