Produkte > rfP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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| RFP14N05L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP14N05L | Harris | (MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP14N05L | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP14N05L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP14N05P2 | Harris Corporation | Description: 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, MOS Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP14N06L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP150-50 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP1562-20 | POWER | 05+ | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15N05 | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP15N05L | FAIRCHILD | RFP15N05L | auf Bestellung 4393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP15N05L | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP15N05L | HARRIS | RFP15N05L | auf Bestellung 404 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP15N05L | FAIRCHILD | RFP15N05L | auf Bestellung 28050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP15N05L Produktcode: 135597
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| RFP15N05L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | auf Bestellung 20443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP15N05L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15N05L119 | Harris Corporation | Description: 15A, 50V, 0.14OHM, N-CHANNEL, MO Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15N05L_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15N06 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V | auf Bestellung 27098 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP15N08L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V | auf Bestellung 49688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP15N12 | HARRIS | RFP15N12 | auf Bestellung 6744 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP15N12 | HARRIS | RFP15N12 | auf Bestellung 4063 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP15N12 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | auf Bestellung 10952 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP15N15 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15P05 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15P05 Produktcode: 23822
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Lieblingsprodukt
| Intersil | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 V Drain-Strom Id, A: 15 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1150/150 Montage: THT | verfügbar: 6 St.
auf Bestellung: 25 St.
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| RFP15P05 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-251AA P-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP15P05 | Harris Corporation | Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V | auf Bestellung 88449 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP15P06 | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP17N06L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 30 V | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP18N08 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | auf Bestellung 4075 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP18N10 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP2-10-10-A5 | RICHCO | Category: Ferrites for cables Description: Ferrite: two-piece; 27Ω; A: 16.5mm; B: 2mm; C: 10.25mm; D: 12.5mm Type of ferrite: two-piece Ferrite application: for fast digital data transmision; for flat cable A dimension: 16.5mm B dimension: 2mm C dimension: 10.25mm D dimension: 12.5mm Core material: ferromagnetic A5 Impedance at 25MHz: 27Ω E dimension: 0.6mm Impedance at 100MHz: 69Ω | auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP2-25-12-A5 | RICHCO | Category: Ferrites for cables Description: Ferrite: two-piece; 36Ω; A: 37.1mm; B: 3.3mm; C: 12.7mm; D: 32mm Type of ferrite: two-piece Ferrite application: for fast digital data transmision; for flat cable A dimension: 37.1mm B dimension: 3.3mm C dimension: 12.7mm D dimension: 32mm Core material: ferromagnetic A5 Impedance at 25MHz: 36Ω E dimension: 0.9mm Impedance at 100MHz: 106Ω | auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP20-50TP | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP20-50TPR | auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP201-401--90-800-204 | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP20N06 | auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP20N10 | auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP22N10 | FAIRCHILD | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| RFP22N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP22N10 | onsemi | MOSFETs N-Ch Power MOSFET 100V/22a/0.080 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP23N06LE | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 1486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP250-100 | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP250-100RM | auf Bestellung 227 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP250-50CT | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP250-50TC | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP250H50 | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP25N05 | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP25N05L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP25N05L | auf Bestellung 942 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP25N05L Produktcode: 47704
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| RFP25N06 | auf Bestellung 38592 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP25N06L | HARRIS | RFP25N06L | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP25N06L | HARRIS | RFP25N06L | auf Bestellung 249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP25N06L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12.5A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | auf Bestellung 1389 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP25N06L | HARRIS | RFP25N06L | auf Bestellung 340 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RFP2N08 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 3360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP2N08L | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP2N08L | onsemi / Fairchild | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP2N08L-07 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP2N10 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 1323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP2N10L | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP2N10L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP2N10L | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP2N12 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 1550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP2N12L | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP2N15 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 2411 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP2N20 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | auf Bestellung 1552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP2N20L | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP2N20L | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP2P08 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | auf Bestellung 3542 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP2P10 | Harris | (MOSFET,P-CH,100V,2A,TO-220AB) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP2P10 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | auf Bestellung 11516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP300 | Brady Corporation | Description: (RFP) RFP300, PAD, 15"X19" MED, | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3006 | B&K Precision | RF Test Equipment 6 GHz RF Power Sensor, Real-Time | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3006 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3006 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 6GHz, -60dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000 Prüffrequenz: 50MHz bis 6GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -60dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: N-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3006 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: RFM3000 Series Tool Type: RF Sensor Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3008 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: RFM3000 Series Tool Type: RF Sensor Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3008 | B&K Precision | RF Test Equipment 8 GHz RF Power Sensor, Real-Time | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3008 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3008 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 8GHz, -60dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000 Prüffrequenz: 50MHz bis 8GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -60dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: N-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3018 | B&K Precision | RF Test Equipment 18 GHz RF Power Sensor, Real-Time | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3018 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3018 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 18GHz, -34dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000 Prüffrequenz: 50MHz bis 18GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -34dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: N-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3018 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: RFM3000 Series Tool Type: RF Sensor Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3040 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3040 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 40GHz, -34dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, 2.92mm-Stecker Prüffrequenz: 50MHz bis 40GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -34dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: 2.92mm-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3040 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Packaging: Box For Use With/Related Products: RFM3000 Series Tool Type: RF Sensor Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3055 | onsemi / Fairchild | MOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/12a/0.150 Ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3055 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP3055 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP3055LE | Fairchild | auf Bestellung 16595 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||
| RFP3055LE | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 8A, 5V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30N06LE | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| RFP30N06LE | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30A, 5V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +10V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30N06LE | onsemi | MOSFETs TO-220AB N-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30N06LE_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET PWR MOS 60V/30A/0.047 OHM N-CH LOGIC-LVL ESD RATED TO-220A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30N06LE_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30N6LER4541 | Harris Corporation | Description: 30A, 60V, LOGIC LEVEL N CHANNEL Packaging: Bulk | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RFP30P05 | ONS/FAI | P-кан. MOSFET 60V, 27A, 0.07Ом, 120Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30P05 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| RFP30P05 | onsemi / Fairchild | MOSFETs TO-220AB P-Ch Power | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
