Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 9830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9925 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8824 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 166 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 9830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 18000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ | auf Bestellung 2815 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84PWL6327XT | Infineon technologies | auf Bestellung 563 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSS84Q-13-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family SOT23 T&R 10K | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 318-322 Tag (e) |
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| BSS84Q-13-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-13-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-13-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-13-F-52 | Diodes Incorporated | Description: BSS Family SOT23 T&R 10K Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-13-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | auf Bestellung 3002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs BSS Family | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F | Diodes | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1919 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 63000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84Q-7-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 5506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84T116 | ROHM | Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | auf Bestellung 8542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 5506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V | auf Bestellung 1874 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | ROHM | Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | auf Bestellung 8542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84T116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -230mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.92A Technology: Trench | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot | auf Bestellung 9939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | auf Bestellung 5506 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84TA | ZETEX | SOT23 | auf Bestellung 62800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84TR | auf Bestellung 46500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84V-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -130mA; 150mW; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual P-Channel | auf Bestellung 10161 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-563 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84V-7-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84V7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-563 T/R | auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W | GOODWORK | Description: 50V 130mA 10@5V SOT-323 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84W | YY | P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; BSS84W-F2-0000HF; BSS84W-F2-0000HF TBSS84W YY Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84W | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -0.14A, Single P-Channel Small-signal MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W | Diodes Incorporated | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V | auf Bestellung 6875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs -50V 200mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 30000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-323 BSS84W-7-F TBSS84w Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs -50V 200mW | auf Bestellung 110570 Stücke: Lieferzeit 262-266 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes | SOT-323 Транзистори | auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 46 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-G | Comchip Technology | MOSFETs 50V 0.2A SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-G | Comchip Technology | Description: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-R1-00001 | Panjit | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 13 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM Semiconductor | MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A | auf Bestellung 4622 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 23 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -210mA; 300mW Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.21A Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 654 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84WHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84WHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-323 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |