Produkte > BUK
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 35.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 25.1A; Idm: 142A; 85W Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 21.2nC On-state resistance: 67.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 85W Drain current: 25.1A Drain-source voltage: 75V Pulsed drain current: 142A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 35.5A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y28-75B,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 35.5A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y29-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y29-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y29-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 26A | auf Bestellung 1967 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4477 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1477500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 217 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00153 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 171000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 25500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 856 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 217W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 19500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00153 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 217 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00153 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 46500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1477500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 476 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm | auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y2R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y2R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2130 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2130µohm | auf Bestellung 3753 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 781 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.43A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y38-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0245 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 95W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0245ohm | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y38-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT669 100V 30A | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 30A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 116900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y38-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1982 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40EX | Nexperia | MOSFET BUK7Y3R0-40E/LFPAK/REEL 7" Q1/ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40EX | NXP Semiconductors | Description: MOSFET N-CH 40V LFPAK | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 19500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 19500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 172W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5449 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -10V Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 172W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N CHAN 40V | auf Bestellung 867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R0-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2550 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 172W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-669 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2550µohm | auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 1255 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R0-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R1-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R1-80MX | Nexperia | MOSFETs BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 719 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R1-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R1-80MX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK7Y3R1-80M/SOT669/LFPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R1-80MX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R1-80MX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerSO Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm | auf Bestellung 1174 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 622A; 167W On-state resistance: 3.5mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 622A Power dissipation: 167W Gate charge: 49.4nC Polarisation: unipolar Drain current: 100A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 250500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 244500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3611 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 13500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40E,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: LFPAK56 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | auf Bestellung 1168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 34500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | MOSFETs BUK7Y3R5-40E/SOT669/LFPAK | auf Bestellung 4566 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 244500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3583 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 17539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40H,115 | Nexperia USA Inc. | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3441 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 115 Bauform - Transistor: SOT-669 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A | auf Bestellung 5988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3441 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BUK7Y3R5-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK7Y3R5-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage SVHC: Lead (17-Jan-2022) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BUK7Y41-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 25A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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