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Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 19000 Stücke:

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685+	0.95 EUR
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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R950C6ATMA1
Produktcode: 133580

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD60R950C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

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2500+	0.83 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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650+	0.27 EUR
661+	0.26 EUR
671+	0.25 EUR
683+	0.24 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

MOSFETs N-Ch 650V 4.4A DPAK-2

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1+	3.53 EUR
10+	2.24 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.92 EUR
5000+	0.75 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.74 EUR
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7500+	0.67 EUR
12500+	0.62 EUR
17500+	0.61 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.74 EUR
5000+	0.68 EUR
7500+	0.64 EUR
12500+	0.6 EUR
17500+	0.57 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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630+	0.27 EUR
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683+	0.21 EUR
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IPD60R950C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm

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113+	2.06 EUR
174+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	0.71 EUR
5000+	0.68 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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281+	1.49 EUR

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IPD60R950C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V

auf Bestellung 3419 Stücke:

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7+	3.08 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR

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IPD60R950C6BTMA1

MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6

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IPD640N06L G

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IPD640N06L G

MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2

auf Bestellung 11316 Stücke:

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2+	1.68 EUR
10+	1.48 EUR
100+	1.13 EUR
500+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD640N06LG

infineon

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD640N06LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 30 V

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IPD64CN10N G

Description: MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 569 pF @ 50 V

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IPD64CN10NG

infineon

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD650P06NMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V

auf Bestellung 6161 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.06 EUR
10+	2.59 EUR
100+	1.75 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.27 EUR

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IPD650P06NMATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

auf Bestellung 1579 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.55 EUR
10+	2.89 EUR
100+	1.95 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.42 EUR
2500+	1.32 EUR
5000+	1.25 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD650P06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 10064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

72+	3.5 EUR
93+	2.51 EUR
129+	1.67 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 72 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD650P06NMATMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.15 EUR
5000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD650P06NMATMA1

Description: INFINEON - IPD650P06NMATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 22 A, 0.052 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 10064 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
129+	1.67 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD650P06NMSAUMA1

Description: MOSFET P-CH 60V 22A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.04mA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7

auf Bestellung 70000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 1081 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.41 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.34 EUR
2500+	2.12 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 390 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

auf Bestellung 4208 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.89 EUR
10+	4.49 EUR
100+	3.13 EUR
500+	2.55 EUR
1000+	2.53 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.5 EUR
47+	3.64 EUR
100+	2.43 EUR
500+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 820 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR
500+	2.7 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

171+	1.02 EUR
174+	0.96 EUR
177+	0.92 EUR
180+	0.87 EUR
250+	0.82 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 171 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 652600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.43 EUR
10000+	2.13 EUR
100000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.2A; 28W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 28W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2263 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

174+	1 EUR
177+	0.98 EUR
180+	0.94 EUR
250+	0.9 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 174 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R190C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 290µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 400 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R190C7ATMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

auf Bestellung 2174 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.41 EUR
10+	4.19 EUR
100+	2.93 EUR
500+	2.45 EUR
1000+	2.31 EUR
2500+	2.12 EUR

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IPD65R190C7ATMA1

Description: INFINEON - IPD65R190C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.19 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 295 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.07 EUR
66+	3.55 EUR
100+	2.62 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.98 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 390000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.43 EUR
10000+	2.13 EUR
100000+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

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IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R190C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD65R190C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 700 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

32+	5.5 EUR
47+	3.72 EUR
100+	2.52 EUR
500+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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IPD65R1K0CEAUMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2100 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.53 EUR
10+	1.71 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.39 EUR
1000+	1.19 EUR
2500+	0.63 EUR
5000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD65R1K0CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD65R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 314 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

121+	2.08 EUR
162+	1.44 EUR
181+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 121 Stücke

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IPD65R1K0CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.2A TO252-3
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R1K0CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R1K4C6

MOSFETs N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R1K4C6ATMA1

MOSFETs N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V

auf Bestellung 11281 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.59 EUR
13+	1.64 EUR
100+	1.09 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 3.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFD

MOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2

auf Bestellung 498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDATMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 2.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDATMA2

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDBTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 2.8A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 262 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K4CFDBTMA1

MOSFET N-Ch 700V 8.2A DPAK-2

auf Bestellung 130 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K5CE

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K5CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R1K5CEAUMA1

MOSFET CONSUMER

auf Bestellung 2013 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7

MOSFETs N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7

auf Bestellung 1641 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.76 EUR
10+	3.86 EUR
100+	2.68 EUR
500+	2.26 EUR
1000+	2.12 EUR
2500+	1.93 EUR
5000+	1.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

37+	4.8 EUR
40+	4.32 EUR
41+	4.09 EUR
100+	3.61 EUR
250+	3.4 EUR
500+	3.13 EUR
1000+	2.83 EUR
3000+	2.81 EUR

Mindestbestellmenge: 37 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.89 EUR
5000+	1.78 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

MOSFET LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 3246 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	5.7 EUR
63+	3.69 EUR
100+	2.49 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.43 EUR
43+	3.94 EUR
44+	3.69 EUR
100+	3.24 EUR
250+	3 EUR
500+	2.69 EUR
1000+	2.42 EUR
3000+	2.39 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R225C7ATMA1

auf Bestellung 26693 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.15 EUR
10+	3.99 EUR
100+	2.76 EUR
500+	2.24 EUR
1000+	2.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250C6

MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250C6

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250C6XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 208.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250C6XTMA1

MOSFET N-Ch 700V 16.1A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250E6

MOSFETs N-Ch 700V 16.1A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250E6

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250E6

Infineon technologies

auf Bestellung 20 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250E6XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250E6XTMA1

MOSFETs N-Ch 700V 16.1A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R250E6XTMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 16.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

284+	2.31 EUR
500+	2.19 EUR
1000+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 284 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R380C6

auf Bestellung 5808 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD65R380C6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6

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IPD65R380C6ATMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD65R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

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IPD65R380C6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD65R380E6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS E6

auf Bestellung 2369 Stücke:

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IPD65R380E6

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5090 Stücke:

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314+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 314 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

auf Bestellung 4442 Stücke:

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5+	4.61 EUR
10+	2.96 EUR
100+	2.01 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.49 EUR

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IPD65R380E6ATMA1

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 194 Stücke:

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1+	4.8 EUR
10+	3.08 EUR
100+	2.12 EUR
500+	1.73 EUR
1000+	1.56 EUR
2500+	1.4 EUR
5000+	1.23 EUR

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IPD65R380E6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD65R380E6ATMA1

Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2296 Stücke:

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42+	6.05 EUR
52+	4.47 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1