Produkte > PBS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| PBSS4580PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 80V 5.6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 280mA, 5.6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 155MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5.6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4580PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4580PA/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS4612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4612PA,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 12V 6A 3HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.1 W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4612PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 12V 6A NPN LO VCEsat TRANSISTOR | auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4612PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 12V 6A SOT1061 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4612PA,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 12V 6A Automotive 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 38980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4620PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4620PA/SOT1061/HUSON3 | auf Bestellung 59 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS4620PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 20V 6A SOT1061 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4620PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4620PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4620PA-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS4620PA-Q/SOT1061/HUSON3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 275mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 500 mW Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4620PA-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1061/HUSON3 NPN TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4620PA-QX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS4620PA-QX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 2.1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS4630PA,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 30V 6A SOT1061 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4630PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4630PA/SOT1061/HUSON3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4630PA,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 6A; DFN2020-3,SOT1061 Mounting: SMD Collector current: 6A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 180...450 Frequency: 115MHz Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Case: DFN2020-3; SOT1061 Type of transistor: NPN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4630PA115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PBSS4630PA SMALL SI | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4640 | PHILIPS | SOT-163 04+ | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS4640D | PHILIPS | 06+ SOT-163 | auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5112PAP | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | auf Bestellung 7888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | auf Bestellung 870 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 22680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5112PAP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6 | auf Bestellung 3771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5112PAP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | auf Bestellung 14792 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T | NXP | PNP 1A 20V 480mW 100MHz PBSS5120T TPBSS5120t Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| PBSS5120T | Yangjie Electronic Technology | PBSS5120T | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 236 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 96 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 1A TO-236AB Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V | auf Bestellung 15003 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 11720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Type of transistor: PNP Current gain: 200...450 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 100MHz Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 20V Polarisation: bipolar | auf Bestellung 1195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 1A TO-236AB Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 47 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5120T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5120T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5120T-Q/SOT23/TO -236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5120T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5120T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 2W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | auf Bestellung 2369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 2894 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R | auf Bestellung 2940 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130PAP-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5130PAP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130PAP-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1118 30V 1A PNP/PNP BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 1A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 1A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 1A 3DFN | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QA,147 | NXP USA Inc. | Description: PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP LOW V Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 325 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi | auf Bestellung 9900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 53705 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130T | PHILIPS | SOT23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5130T | Yangjie Electronic Technology | PBSS5130T | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Type of transistor: PNP Current gain: 210...450 Kind of package: 7 inch reel; tape Case: SOT23; TO236AB Frequency: 200MHz Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 30V Polarisation: bipolar | auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12610 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 4175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PBSS5130T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5130T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5130T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PBSS5130T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5130T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5140 | auf Bestellung 120000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PBSS5140D | PHILIPS | SOT-163 | auf Bestellung 111000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PBSS5140D/51t | auf Bestellung 24100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
