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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4493DY
auf Bestellung 798200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4493DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 98000 Stücke:
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SI4493DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4493DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4493DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
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SI4493DYT1E3VISHAY
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SI4496
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SI4496DYVISHAY07+ SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4496DY-E3Vishay SiliconixТранзистори
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Si4496DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4496DY-T1-GE3
auf Bestellung 798200 Stücke:
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SI4496DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
auf Bestellung 13516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+3.03 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
46+3.76 EUR
63+2.74 EUR
100+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.22 EUR
60+3.93 EUR
100+3.32 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9685 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.39 EUR
5000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 3230 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.74 EUR
10+2.87 EUR
100+2.57 EUR
500+2.09 EUR
1000+2.01 EUR
2500+1.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 36A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -29A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -29A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+3.88 EUR
28+3.08 EUR
32+2.73 EUR
50+2.01 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4497DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 7.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
auf Bestellung 2392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+3 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI45005DY-T1VISHAY2004
auf Bestellung 2300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BSILISOP8
auf Bestellung 83 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDYVishay / SiliconixMOSFET COMPLEMENTARY MOSFET HALFBR1DGE (N&P-CH)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDYVISHAY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-E3Vishay / SiliconixMOSFET COMPLEMENTARY MOSFET HALFBR1DGE (N&P-CH)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-T10518+
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4500BDY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 51800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
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SI4500BDYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DYVishay / SiliconixMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DYVISHAYSOP-8
auf Bestellung 932 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DY-TVISHAY
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DY-T1VISHAY0345+
auf Bestellung 3225 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 20V 7/4.5A 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4500DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501SISOP-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501AVISHAY2008
auf Bestellung 2325 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY
auf Bestellung 115 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T
auf Bestellung 38000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 2444 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.3W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A, 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501ADYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V/8V 9A/6.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 4.5W, 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501DYSILICONIXSOP8
auf Bestellung 1592 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501DY-T1VISHAYSOP-8
auf Bestellung 6900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4501DYT1VISHAYSO-8
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SI4501DYT1E3VISHAY
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SI4503
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SI4503DYVISHAY07+ SO-8
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SI4503DY-T1
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SI4503DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4503DYT1E3VISHAY
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SI4505SISOP-8
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SI4505DYVishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL MOSFET
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SI4505DY
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SI4505DY-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL MOSFET
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SI4505DY-T1VISHAY
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Si4505DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Si4505DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4505DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4505DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4505DYT1VISHAY
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SI4505DYT1E3VISHAY
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SI4511SISOP-8
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SI4511BDY
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SI4511DYVISHAY09+
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SI4511DY-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
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SI4511DY-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
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SI4511DY-T1-E3VISHAY
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SI4511DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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SI4511DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI4511DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
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SI4511DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
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SI4532SI09+ SOP8
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SI4532ADT-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SI4532ADYVishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30 & -30, Id = 3,9 А, Ptot, Вт = 1,2, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 8 & 10, Rds = 44 & 62 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 & -1 В, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 23 нс,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4532ADYVishay / SiliconixMOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
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SI4532ADY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
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SI4532ADY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
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