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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7850DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.59 EUR
6000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+3.52 EUR
100+2.4 EUR
500+2 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.3 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
auf Bestellung 6809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
10+3.49 EUR
100+2.4 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 0.9W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.65 EUR
30+2.93 EUR
34+2.57 EUR
50+1.89 EUR
100+1.69 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.23 EUR
1500+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 2875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.58 EUR
67+2.59 EUR
100+2.26 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.59 EUR
1500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7850DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 501 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 386 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.55 EUR
10+3.58 EUR
100+2.45 EUR
500+2 EUR
1000+1.86 EUR
3000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7850DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si7852SIBGA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852-DP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFET, PowerPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 30A; Idm: 60A; 40W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 40W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 80V
Technology: TrenchFET®
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
auf Bestellung 3901 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.58 EUR
10+4.96 EUR
100+3.47 EUR
500+2.84 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
auf Bestellung 12921 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.99 EUR
10+4.16 EUR
100+3.06 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.43 EUR
3000+2.31 EUR
6000+2.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 30A 62.5W 17mohm @ 10V
auf Bestellung 4674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.8 EUR
10+2.92 EUR
100+2.31 EUR
250+2.26 EUR
500+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.3 EUR
84+2.03 EUR
85+1.86 EUR
100+1.59 EUR
250+1.49 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.99 EUR
10+3.88 EUR
100+2.68 EUR
500+2.17 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+2.3 EUR
84+2.07 EUR
85+1.96 EUR
100+1.73 EUR
250+1.65 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DPVISHAYQFN8
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.39 EUR
6000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7852DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 7.6 A, 0.0165 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5370 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 5351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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250+2 EUR
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SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
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SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7852DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7852DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
auf Bestellung 16258 Stücke:
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3+7.56 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
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SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7852DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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1+7.58 EUR
10+4.99 EUR
100+3.31 EUR
500+2.81 EUR
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SI7852DP-T1-E3VISHAYSO-8
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SI7852DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7852DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7852DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 4998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+4.99 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
3000+2.76 EUR
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SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.05 EUR
6000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7852DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7852DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12.5 A, 0.0135 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2674 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
auf Bestellung 1357 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
500+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 7.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.03 EUR
6000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7852DP-T1-GE3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7,6 А, Qg, нКл = 41 @ 10 В, Rds = 16,5 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 1,9, Тексп, °C = -55...+155, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PPAK-8(SOIC) Очікується: 20 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7852DPT1E3VISHAY10+ SOT23-..
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
si7856SIBGA
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7856ADP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7856ADP-T1
auf Bestellung 2795 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7856ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7856ADP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 518 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7856ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7856DPSI04+
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7856DP-T1
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7856DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7856DP-TI-E3
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1VishayN-кан. MOSFET 12V, 18A, 1.9Вт, 0.004Ом, POWER PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
auf Bestellung 5150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.07 EUR
10+4.2 EUR
100+3.34 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3VishaySI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 6 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3VishaySI7858ADP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 12V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 12V 29A 0.0026Ohm
auf Bestellung 25790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.09 EUR
10+6.01 EUR
100+4.71 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.58 EUR
3000+3.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
auf Bestellung 2959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.12 EUR
10+5.49 EUR
100+4.41 EUR
500+3.63 EUR
1000+3.11 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 12V 29A 5.4W 2.6mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.19 EUR
6000+1.11 EUR
9000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3
auf Bestellung 84000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 2137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.64 EUR
100+1.82 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.36 EUR
3000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.54 EUR
115+1.49 EUR
131+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 6 V
auf Bestellung 27418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.69 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.77 EUR
113+1.45 EUR
115+1.38 EUR
131+1.15 EUR
250+1.09 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7858BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7858BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 40 A, 2000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
auf Bestellung 1683 Stücke:
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SI7860ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
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SI7860DP-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SIR462DP-T1-GE3
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