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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4503DYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4503DY-T1
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4503DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4503DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 32500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4505SISOP-8
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4505DYVishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4505DY
auf Bestellung 606 Stücke:
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SI4505DY-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL MOSFET
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SI4505DY-T1VISHAY
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4505DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4505DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4505DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30/8.0V 7.8/5.0A 18/42mohm @ 10/4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4505DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V/8V 6A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, 8V
Power - Max: 1.2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4505DYT1VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4505DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511SISOP-8
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511BDY
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DYVISHAY09+
auf Bestellung 538 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DY-E3Vishay / SiliconixMOSFETs N- AND P- CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DY-T1-E3Vishay SiliconixТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 98000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.2A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4511DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532SI09+ SOP8
auf Bestellung 1001 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADT-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADYVishay / SiliconixMOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADYVishay SemiconductorТранзистор польовий N+P, Udss, В = 30 & -30, Id = 3,9 А, Ptot, Вт = 1,2, Тип монт. = smd, Qg, нКл = 8 & 10, Rds = 44 & 62 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1 & -1 В, td(on)+tr = 12 нс, td(off)+tf = 23 нс,... Транзистори Корпус: SO-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W, 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4532CDY-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-T11
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADY-TI
auf Bestellung 3563 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532ADYT1E3VISHAY
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532BY-T1
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDYVishay SiliconixSO-8, N- and P-Channel 30VDS MOSFET, -55...150C Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-E3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 1144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.78 EUR
155+1.09 EUR
235+0.69 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.14 EUR
10+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+0.92 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 6170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.2 EUR
100+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 37990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3
Produktcode: 201070
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
auf Bestellung 2197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+1.31 EUR
83+1.04 EUR
96+0.89 EUR
136+0.63 EUR
157+0.55 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
5000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.83 EUR
1000+0.79 EUR
2500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.75 EUR
5000+0.69 EUR
7500+0.67 EUR
12500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.76 EUR
235+0.74 EUR
239+0.71 EUR
250+0.68 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
672+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 672 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYonsemiMOSFETs 30V Dual N/P FET Enhancement Mode
auf Bestellung 4917 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.98 EUR
10+1.89 EUR
100+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
auf Bestellung 20667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.78 EUR
12+1.75 EUR
100+1.17 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.77 EUR
232+0.74 EUR
235+0.69 EUR
239+0.65 EUR
250+0.62 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4532DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.053ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 217 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DY(SILICONIX)
auf Bestellung 370 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DY-NL
auf Bestellung 101296 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DY-T1VISHAYO4
auf Bestellung 8383 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DY.
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4532DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4534DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4534DY-T1-GE3VishayMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4534DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.12 EUR
5000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4534DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/3A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
94+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 94 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4534DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6.2A/8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 8A (Tc), 3A (Ta), 4.1A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, 650pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 120mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
auf Bestellung 10040 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.7 EUR
10+2.2 EUR
100+1.71 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539SI07+ SOP8
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539ADYVISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539ADYVishay / SiliconixMOSFET 30V 5.9/4.9A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539ADY-T1VISHAY0349+
auf Bestellung 49362 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4539ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET N/P-CH 30V 4.4A/3.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4539ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4539ADY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 4.4A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A, 3.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539ADYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539DY-T1SILICONIX9742
auf Bestellung 1633 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4539DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4539DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 6.9/6.1A 2W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DYonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DYonsemi / FairchildMOSFET SO8 SINGLE NCH/PCH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4542DY - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DY-NL
auf Bestellung 35080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DY-T1VISHAY
auf Bestellung 1980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4542DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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