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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2

auf Bestellung 9352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.53 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.46 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.09 EUR
2500+	0.93 EUR
5000+	0.82 EUR

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2599 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

854+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 854 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70N03S4L04ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 70 A, 3600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm

auf Bestellung 2674 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.3 EUR
121+	1.93 EUR
182+	1.18 EUR
500+	0.93 EUR
1000+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2533 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

854+	0.76 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 854 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2488 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

152+	1.14 EUR
154+	1.12 EUR
157+	1.07 EUR
200+	1.02 EUR
2000+	1.01 EUR

Mindestbestellmenge: 152 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 671 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.08 EUR
11+	1.95 EUR
100+	1.31 EUR
500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPD70N03S4L04ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

214+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 214 Stücke

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IPD70N04S3-07

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 40V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 536 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD70N04S3-07

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70N04S3-07

Infineon

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD70N04S307ATMA1

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

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IPD70N10S3-12

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

40+	4.36 EUR
50+	4.13 EUR
100+	3.9 EUR
250+	3.7 EUR
500+	3.55 EUR
1000+	3.4 EUR
2500+	3.25 EUR

Mindestbestellmenge: 40 Stücke

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IPD70N10S3-12

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 4591 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.45 EUR
500+	2.2 EUR
1000+	2.14 EUR
2500+	1.93 EUR

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1769 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.16 EUR
61+	2.65 EUR
100+	2.18 EUR
250+	1.74 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET_(75V 120V(

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1750 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1769 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.16 EUR
61+	2.76 EUR
100+	2.3 EUR
250+	1.89 EUR
500+	1.84 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27921 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.89 EUR
10+	3.84 EUR
100+	2.67 EUR
500+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4205 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 14620 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	4.15 EUR
61+	2.83 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.25 EUR
1000+	1.82 EUR
2000+	1.46 EUR
2500+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.86 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1345 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

215+	3.05 EUR
500+	2.7 EUR
1000+	2.43 EUR

Mindestbestellmenge: 215 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 425 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

228+	0.76 EUR
250+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 228 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S312ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L-12

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

auf Bestellung 6585 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.59 EUR
10+	3.67 EUR
100+	2.53 EUR
500+	2.05 EUR
1000+	1.92 EUR
2500+	1.89 EUR
10000+	1.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

85+	2.07 EUR
86+	1.96 EUR
87+	1.86 EUR
100+	1.76 EUR
250+	1.67 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 85 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6925 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.28 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

50+	5.05 EUR
70+	3.34 EUR
100+	2.4 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 50 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6221 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.28 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2302 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

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IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.28 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S3L12ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0115 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1062 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.4 EUR
500+	2 EUR
1000+	1.89 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(75V 120V(

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(75V 120V(
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N10S3L12ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

286+	2.28 EUR
500+	2.17 EUR
1000+	2 EUR

Mindestbestellmenge: 286 Stücke

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IPD70N12S3-11

Rochester Electronics, LLC

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 400 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 6906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.9 EUR
69+	3.37 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.89 EUR
1000+	1.76 EUR
5000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1730 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 9990 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	2.68 EUR
70+	2.46 EUR
100+	1.86 EUR
200+	1.74 EUR
500+	1.58 EUR
2000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2579 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	1.98 EUR
100+	1.87 EUR
250+	1.75 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.57 EUR
2500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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IPD70N12S311ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70N12S311ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 70 A, 0.0092 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 8906 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.51 EUR
250+	1.89 EUR
1000+	1.76 EUR
5000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO252-31
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3531 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	5.13 EUR
10+	3.32 EUR
100+	2.28 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1609 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V,300V)

auf Bestellung 14440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.43 EUR
10+	3.19 EUR
100+	2.32 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.87 EUR
2500+	1.75 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 6363 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.82 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET_(120V 300V)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(120V 300V)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1140 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

339+	1.93 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.68 EUR

Mindestbestellmenge: 339 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S311ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S3L12ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 83µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5550 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S3L12ATMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70N12S3L12ATMA1

Infineon Technologies

OptiMOS -T Power-Transistor

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4-09

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -40V -73A DPAK-2 OptiMOS-P2

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 536-540 Tag (e)

1+	3.47 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.51 EUR
500+	2.06 EUR
1000+	1.7 EUR
2500+	1.59 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4-09

Infineon

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 4308 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 3260 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.67 EUR
10+	2.33 EUR
100+	1.57 EUR
500+	1.25 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70P04P409ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 73 A, 0.0064 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 7984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.44 EUR
131+	1.64 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

109+	1.61 EUR
114+	1.51 EUR
149+	1.13 EUR
200+	1.07 EUR
2000+	1.06 EUR

Mindestbestellmenge: 109 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2245 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P409ATMA2

INFINEON

auf Bestellung 7984 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

64+	3.95 EUR
96+	2.44 EUR
131+	1.64 EUR
500+	1.33 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 64 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 73A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 8072 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

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IPD70P04P409ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 3116 Stücke:

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1+	3.92 EUR
10+	2.49 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.21 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.08 EUR

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IPD70P04P4L-08

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -40V -70A DPAK-2 OptiMOS-P2

auf Bestellung 2259 Stücke:

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2+	2.93 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.93 EUR
250+	1.8 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.39 EUR
2500+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 627 Stücke:

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432+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 4998 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.81 EUR
10+	2.43 EUR
100+	1.64 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 7329 Stücke:

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432+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.49 EUR
139+	1.55 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 27454 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA1

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 4782 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.2 EUR
94+	2.49 EUR
139+	1.55 EUR
500+	1.13 EUR
1000+	1.04 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 16478 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.87 EUR
10+	1.82 EUR
100+	1.4 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.13 EUR
2500+	1 EUR
5000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 1259 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	1.51 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 10096 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.76 EUR
11+	2.09 EUR
100+	1.54 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.15 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

107+	1.64 EUR
113+	1.52 EUR
149+	1.13 EUR
200+	1.06 EUR
1000+	1.05 EUR
2000+	1.02 EUR

Mindestbestellmenge: 107 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

INFINEON

Description: INFINEON - IPD70P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 70 A, 7800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 6489 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.86 EUR
117+	1.83 EUR
500+	1.46 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 11799 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	1.73 EUR
106+	1.62 EUR
250+	1.52 EUR
500+	1.44 EUR
1000+	1.37 EUR
2500+	1.31 EUR
5000+	1.24 EUR
10000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD70P04P4L08ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR
5000+	1 EUR
7500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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