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Description: MOSFET N-CH 650V 16.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD65R380C6

MOSFETs N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6

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IPD65R380C6

auf Bestellung 5808 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380C6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380C6ATMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380C6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380C6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD65R380E6

MOSFET N-Ch 700V 10.6A DPAK-2 CoolMOS E6

auf Bestellung 2369 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD65R380E6

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 5090 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

314+	1.9 EUR

Mindestbestellmenge: 314 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD

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IPD65R380E6ATMA1

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 194 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.69 EUR
10+	2.34 EUR
100+	2.05 EUR
500+	1.68 EUR
1000+	1.58 EUR
2500+	1.37 EUR

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IPD65R380E6ATMA1

Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 83W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2296 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.32 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Description: INFINEON - IPD65R380E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.6 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS E6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.34ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

auf Bestellung 2296 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

42+	6.05 EUR
52+	4.47 EUR
100+	3.32 EUR
500+	2.74 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R380E6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

auf Bestellung 1942 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.88 EUR
10+	3.13 EUR
50+	2.38 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.7 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R380E6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R380E6BTMA1

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD65R400CE

MOSFET N-CH 650V 15.1A TO-252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD65R400CE

MOSFET CONSUMER

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IPD65R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.81 EUR
7500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 9.5A; Idm: 30A; 118W; PG-TO252
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 118W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 2786 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.95 EUR
10+	1.39 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
2500+	0.8 EUR
5000+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD65R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15.1 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.8 EUR
139+	1.68 EUR
191+	1.12 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

285+	0.61 EUR
289+	0.57 EUR
293+	0.55 EUR
298+	0.51 EUR
303+	0.49 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 285 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1058 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

289+	0.6 EUR
293+	0.58 EUR
298+	0.56 EUR
303+	0.54 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.5 EUR

Mindestbestellmenge: 289 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

auf Bestellung 2868 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

90+	2.8 EUR
139+	1.68 EUR
191+	1.12 EUR
500+	0.99 EUR
1000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 90 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.88 EUR
10000+	0.8 EUR
15000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 15.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 100 V

auf Bestellung 15183 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3 EUR
12+	1.89 EUR
50+	1.42 EUR
100+	1.26 EUR
500+	0.99 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R400CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 15.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFD

MOSFET N-Ch 650V 8.7A DPAK-2 CoolMOS CFD2

auf Bestellung 2450 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 1217 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.71 EUR
10+	3.7 EUR
50+	2.82 EUR
100+	2.55 EUR
500+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDAATMA1

MOSFETs COOL MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDAATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDATMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

auf Bestellung 221 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO252-3
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 8.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.42Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

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IPD65R420CFDATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R420CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R420CFDATMA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-341
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V

auf Bestellung 2490 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.88 EUR
10+	3.13 EUR
50+	2.38 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD65R420CFDBTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD65R420CFDBTMA1

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R420CFDBTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Power Dissipation (Max): 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

auf Bestellung 2526 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

249+	2.21 EUR

Mindestbestellmenge: 249 Stücke

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IPD65R600C6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 2534 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD65R600C6

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

auf Bestellung 7909 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600C6ATMA1

Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

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IPD65R600C6BTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 63W; PG-TO252-3
Power dissipation: 63W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600C6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

330+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 330 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600C6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600C6BTMA1

MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS C6

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IPD65R600E6

Infineon technologies

auf Bestellung 2446 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD65R600E6

MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2 CoolMOS E6

auf Bestellung 2793 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD65R600E6

Description: COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600E6ATMA1

MOSFET N-Ch 700V 7.3A DPAK-2

auf Bestellung 2464 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD65R600E6ATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD65R600E6ATMA1 - IPD65R600 COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 37917 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

354+	2.17 EUR

Mindestbestellmenge: 354 Stücke

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IPD65R600E6ATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600E6ATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600E6ATMA1

Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

auf Bestellung 2474 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.2 EUR
86+	2.71 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

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IPD65R600E6ATMA1

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IPD65R600E6ATMA1

auf Bestellung 2474 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	4.2 EUR
86+	2.71 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600E6BTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600E6BTMA1

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R600E6TR

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CE

MOSFET CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.1A; 86W; DPAK,TO252
Power dissipation: 86W
Gate charge: 23nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 1568 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.92 EUR
10+	1.37 EUR
100+	1.23 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.98 EUR
2500+	0.74 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm

auf Bestellung 2582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

79+	3.18 EUR
125+	1.86 EUR
188+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

auf Bestellung 360 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.98 EUR
12+	1.87 EUR
50+	1.39 EUR
100+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD65R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.1 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm

auf Bestellung 2582 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.18 EUR
125+	1.86 EUR
188+	1.14 EUR
500+	0.89 EUR
1000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R650CEAUMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V

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IPD65R650CEAUMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 10.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD65R660CFD

Description: IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)

auf Bestellung 827 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

360+	1.64 EUR

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IPD65R660CFD

MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2

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IPD65R660CFDA

MOSFETs N-Ch 650V 6A DPAK-2

auf Bestellung 1052 Stücke:

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1+	4.49 EUR
10+	2.2 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.57 EUR
1000+	1.45 EUR
2500+	1.31 EUR

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IPD65R660CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 24 Stücke:

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IPD65R660CFDAATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 543 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 214.55µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD65R660CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.594ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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100+	3.15 EUR
109+	1.98 EUR
500+	1.45 EUR
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IPD65R660CFDAATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET

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IPD65R660CFDAATMA1

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10+	2.93 EUR
50+	2.23 EUR
100+	2 EUR
500+	1.59 EUR

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IPD65R660CFDAATMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD65R660CFDAATMA1

Description: INFINEON - IPD65R660CFDAATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFDA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 4138 Stücke:

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50+	5.09 EUR
74+	3.15 EUR
109+	1.98 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.37 EUR

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IPD65R660CFDATMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; 62.5W; PG-TO252-3
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD

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IPD65R660CFDATMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD65R660CFDATMA1

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPD65R660CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R660CFDATMA2

MOSFETs LOW POWER_LEGACY

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD65R660CFDATMA2

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 700V; 6A; 63W; DPAK
Power dissipation: 63W
Gate charge: 22nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK
Mounting: SMD

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R660CFDATMA2

Description: MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 1477 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4 EUR
10+	2.56 EUR
50+	1.93 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.38 EUR

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IPD65R660CFDBTMA1

Description: INFINEON - IPD65R660CFDBTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.594 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.594ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 8 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD65R660CFDBTMA1