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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 512KBIT PAR 44TSOP II
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Kbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 32K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV3216DBLL-10TLI-TRISSISRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MI
auf Bestellung 1120 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216BLL-10MLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, BGA, 48 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+37.31 EUR
10+31.39 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLIISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+50.56 EUR
10+46.81 EUR
25+45.34 EUR
50+44.23 EUR
100+42.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 522 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+42.63 EUR
10+39.5 EUR
25+38.25 EUR
50+37.32 EUR
210+35.41 EUR
420+34.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed,Async,512K x 16,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10MLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TIISSI09+ TO-247
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.61 EUR
10+25.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+29.44 EUR
10+26.89 EUR
25+25.79 EUR
40+24.34 EUR
135+21.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSIСтатична пам'ять SRAM, Uживл, В = 2,4...3,6, Інтерфейс = Паралельний, Об. пам. = 8 Мбіт, Орг. пам. = 512K x 16, Тдост/Частота = 10 нс, Тексп, °С = -40...+85,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOP-44 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 1786 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+29.38 EUR
10+26.85 EUR
25+25.74 EUR
40+24.29 EUR
135+21.65 EUR
270+20.41 EUR
540+18.64 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 1711 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.56 EUR
10+45.03 EUR
25+43.6 EUR
50+42.54 EUR
100+40.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+27.61 EUR
10+24.73 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.05 EUR
10+26.93 EUR
25+26.1 EUR
50+25.45 EUR
135+24.56 EUR
270+23.94 EUR
540+23.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61WV51216BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
auf Bestellung 172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+78.29 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
auf Bestellung 530 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.44 EUR
10+24.12 EUR
25+23.28 EUR
40+22.47 EUR
135+19.4 EUR
270+18.28 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLIISSIIC SRAM 8MBIT 10NS 44TSOP Мікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI (new die)ISSISRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+29.44 EUR
10+27.07 EUR
25+24.84 EUR
100+23.05 EUR
250+21.91 EUR
500+20.78 EUR
1000+19.67 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM 8M (512Kx16) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 2198 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+48.65 EUR
10+45.09 EUR
25+43.68 EUR
50+42.64 EUR
100+41.2 EUR
500+41.17 EUR
1000+41.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+29.44 EUR
10+27.68 EUR
25+25.8 EUR
100+24.34 EUR
250+23.73 EUR
500+23.12 EUR
1000+22.35 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLIISSISRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 20ns 48-Pin TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDALL-20TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+22.37 EUR
10+20.03 EUR
25+18.69 EUR
50+17.54 EUR
100+16.42 EUR
480+14.86 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.89 EUR
10+29.6 EUR
25+28.68 EUR
50+27.98 EUR
100+27.29 EUR
480+25.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSIСтатична пам'ять SRAM, Об'єм RAM = 8 Мбіт, Опис Статична пам'ять SRAM, Орг. пам. = 512 k x 16 ,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-48 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 135 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+22.21 EUR
10+20.16 EUR
25+18.9 EUR
50+17.9 EUR
100+16.54 EUR
480+15.67 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLIISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
auf Bestellung 1774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.37 EUR
10+29.13 EUR
25+28.21 EUR
50+27.52 EUR
100+26.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSIМікросхеми пам'яті
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 8Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.91 EUR
10+20.34 EUR
25+19.71 EUR
50+19.23 EUR
135+18.55 EUR
270+18.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
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 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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IS61WV51216EDBLL-10TLIISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
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1+37.31 EUR
10+34.58 EUR
25+33.49 EUR
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IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
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IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
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IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
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IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
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IS61WV51216EDBLL-8BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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IS61WV51216EDBLL-8BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
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IS61WV51216EDBLL-8BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
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IS61WV51216EDBLL-8BLI-TRISSISRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM
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IS61WV51216EDBLL-8TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II
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IS61WV51216EDBLL-8TLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 8ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 8ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IS61WV51216EDBLL-8TLIISSISRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM
auf Bestellung 433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32 EUR
10+29.7 EUR
25+28.77 EUR
50+28.08 EUR
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IS61WV51216EDBLL-8TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II
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IS61WV51216EDBLL-8TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.55 EUR
10+30.19 EUR
25+29.25 EUR
50+28.54 EUR
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IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II T/R
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.4÷3.6V; 8ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 8ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IS61WV51216EEALL-20BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEALL-20BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEALL-20BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IS61WV51216EEALL-20BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEALL-20TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEALL-20TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEALL-20TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEALL-20TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10B2LIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10B2LIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
auf Bestellung 210 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.89 EUR
10+27.7 EUR
25+26.83 EUR
50+25.55 EUR
100+24.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10T2LIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.21 EUR
10+27.08 EUR
25+26.24 EUR
50+25 EUR
96+24.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10T2LIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSISRAM 8M 8,10ns 2.4-3.6V 512Kx16 LP Asyn SRAM
auf Bestellung 3138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.88 EUR
10+26.76 EUR
25+25.93 EUR
50+24.72 EUR
100+24.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51232BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51232BLL-10BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS61WV51232BLL-10BLIISSISRAM 16M (512Kx32) 10ns Async SRAM 3.3v
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+68.18 EUR
10+63.13 EUR
25+61.13 EUR
50+59.63 EUR
100+57.51 EUR
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