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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMUN2212Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60@5.0MA,10V 200MW 100MA 50V SOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 60@5.0MA,10V 200MW 100MA 50V SOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212Lonsemionsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1
auf Bestellung 57330 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 168000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
100000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 62470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.046 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 8782 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
16+0.21 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 64880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.7 EUR
855+0.27 EUR
1603+0.13 EUR
2337+0.092 EUR
2703+0.08 EUR
5000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 76000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2212LT1G TMMUN2212
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 304000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
100000+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 62704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
219+0.095 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1962 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
782+0.32 EUR
1262+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 782 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2212LT3(8C)
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LRC07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7557+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 7557 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1944 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 141 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1G
Produktcode: 61591
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 8107 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
20+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1606900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9804+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 9804 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
125+0.17 EUR
204+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1606900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4445+0.039 EUR
7519+0.023 EUR
9804+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 4445 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2213RLTIG
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214Lonsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1ON2005 SOT23
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7264+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7264 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1On SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1 (NPN-Bipolartransistor)
Produktcode: 35921
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ONTransistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 50 V
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 V
Kollektorstrom Ic, A: 0,1 A
Stromverstärkung h21: 140
Bemerkung: Digitaltransistor 10K+47K
Montage: SMD
auf Bestellung: 71 St.
  • 71 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.079 EUR
10+0.063 EUR
100+0.049 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 15143 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
16+0.21 EUR
100+0.12 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3092 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4017+0.062 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 4017 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 1039 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GOn SemiconductorTRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 Транзистори
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 37167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1580+0.14 EUR
2062+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3611+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2214LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 37167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1580+0.14 EUR
2062+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3611+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 140
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2214LT1G TMMUN2214
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214RLT1
auf Bestellung 86990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2214RT1G
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13275+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2215LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13889+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 13889 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1ON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 36000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1ON07+;
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 372172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22223+0.03 EUR
100000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 22223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 677 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 37135 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
124+0.17 EUR
202+0.1 EUR
500+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2215LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 696 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2016211 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22223+0.03 EUR
100000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 22223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2068 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1308+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 1308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 447000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3938+0.044 EUR
6000+0.038 EUR
9000+0.035 EUR
15000+0.031 EUR
21000+0.027 EUR
30000+0.025 EUR
75000+0.021 EUR
150000+0.02 EUR
300000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 3938 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215LT1G A8E.ON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2215LT1G TMMUN2215
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2215RLT1LRC07+ SOT-23
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1ON2005+
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3247+0.054 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1089+0.21 EUR
1740+0.12 EUR
2428+0.088 EUR
2748+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3237+0.054 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15722 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
196+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 90 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
90+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
auf Bestellung 637 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
544+0.15 EUR
625+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.062 EUR
9000+0.057 EUR
27000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 400 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2216LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 34600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1089+0.21 EUR
1740+0.12 EUR
2428+0.088 EUR
2748+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2216LT1G TMMUN2216
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3237+0.054 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2216LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 15503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.058 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5337000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4485+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 4485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3287 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
130+0.17 EUR
212+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1GonsemiDigital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2217LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5337000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3611+0.048 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.037 EUR
15000+0.035 EUR
21000+0.031 EUR
30000+0.029 EUR
75000+0.024 EUR
150000+0.023 EUR
300000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 3611 Stücke
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