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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP4N150
Produktcode: 104403
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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.44 EUR
19+12.72 EUR
22+10.2 EUR
50+8.65 EUR
100+7.93 EUR
250+7.31 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N20STM(MFET,N-CH,36W,200V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N20STTO-220
auf Bestellung 850 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N20STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N25
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N40F1
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N40PI
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+1.73 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 2152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.02 EUR
50+1.94 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.26 EUR
2000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMMOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.61 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N60
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N62K3STMicroelectronics
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
auf Bestellung 898 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.36 EUR
2000+1.25 EUR
5000+1.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1958 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
204+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 204 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 3232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.43 EUR
61+3.86 EUR
100+2.2 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
203+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 203 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.02 EUR
118+1.48 EUR
123+1.38 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N90
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 5.3nC
Technology: MDmesh™ K5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 26 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA40
auf Bestellung 1620 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA40FISTTO220FP
auf Bestellung 2994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA60
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA60FI
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA60FP
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA80STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA80
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA80FIST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA90
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NA90FI
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100ST08+ SOP
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100
Produktcode: 143264
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100STMicroelectronicsN-канальный ПТ ( 1000V - 4W - 3.8A)... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 4 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100.STP4NB100FP
auf Bestellung 38840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB100FPST08+ SOP
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB30
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB30FP
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB50
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB50STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB50FPSTTOP-220FP
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB50FP(ISOLATED)ST
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB60
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB60ZFP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB80STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB80STMТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB80(Transistor)
Produktcode: 86267
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB80FPSTMАналог BUZ80A Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB80FPSTTO-220FP
auf Bestellung 572 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NB90STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NC50STTO-220
auf Bestellung 2455 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4NC50FP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4NC60
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STP4NC60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp
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STP4NC60A
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STP4NC60FP
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STP4NC60FPSTMicroelectronicsMOSFET
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STP4NC60ZFP
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STP4NC80FP
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STP4NC80ZSTMicroelectronicsMOSFET TO-220AB
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STP4NC80Z
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STP4NC80ZFP
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STP4NK50
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STP4NK50ZSTMN-кан. MOSFET 500V, 3.0A, 2.4Ом, 45Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
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STP4NK50Z
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STP4NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STP4NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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STP4NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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STP4NK50ZDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
202+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 202 Stücke
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STP4NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFETs Power MOSFET
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STP4NK50ZDST MICROELECTRONICSMOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+13.22 EUR
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STP4NK50ZF
auf Bestellung 1791 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A
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STP4NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STP4NK60STTO-220 04+
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4NK60FP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4NK60TBF(4N60)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
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STP4NK60ZSTMicroelectronicsN-канальный ПТ MOSFET , Vdss В = 600, Id = 4 A, Ptot, Вт = x,... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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STP4NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.5 EUR
43+1.99 EUR
49+1.77 EUR
62+1.38 EUR
100+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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