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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMC6018-1DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2247.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-2DiTom MicrowaveDescription: 6.00 - 18.00 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 10 W
Part Status: Active
Isolation: 14dB
VSWR: 1.5
Insertion Loss: 1dB
Type: Circulator
Frequency: 6 GHz ~ 18 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-2DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-3DiTom MicrowaveDescription: 6.00 - 18.00 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 10 W
Part Status: Active
Isolation: 14dB
VSWR: 1.5
Insertion Loss: 1dB
Type: Circulator
Frequency: 6 GHz ~ 18 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-3DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-4DiTom MicrowaveDescription: 6.00 - 18.00 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 10 W
Part Status: Active
Isolation: 14dB
VSWR: 1.5
Insertion Loss: 1dB
Type: Circulator
Frequency: 6 GHz ~ 18 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-4DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-5DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-5DiTom MicrowaveDescription: 6.00 - 18.00 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 10 W
Part Status: Active
Isolation: 14dB
VSWR: 1.5
Insertion Loss: 1dB
Type: Circulator
Frequency: 6 GHz ~ 18 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-6DiTom MicrowaveDescription: 6.00 - 18.00 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 10 W
Part Status: Active
Isolation: 14dB
VSWR: 1.5
Insertion Loss: 1dB
Type: Circulator
Frequency: 6 GHz ~ 18 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-6DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-7DiTom MicrowaveDescription: 6.00 - 18.00 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 10 W
Part Status: Active
Isolation: 14dB
VSWR: 1.5
Insertion Loss: 1dB
Type: Circulator
Frequency: 6 GHz ~ 18 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6018-7DiTomRF Circulators 6.00 - 18.00 GHz Circulator
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6022SSD-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V SO-8 T&R 2.5K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V, 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, 30.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V, 1525pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, 30.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6022SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.31 EUR
10+2.07 EUR
100+1.46 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.94 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 31V to 100V Comp Pair Enh FET 60V
auf Bestellung 4454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.33 EUR
10000+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1/-3.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
auf Bestellung 1324 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+1.09 EUR
113+0.76 EUR
145+0.58 EUR
162+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
auf Bestellung 675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
25+1.08 EUR
50+0.95 EUR
100+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 115000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
10000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC6040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.033 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.24W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.24W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V, 110mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 19.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 2131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.26 EUR
10+1.42 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.24W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130pF @ 15V, 1030pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8A, 10V, 110mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.8nC @ 10V, 19.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.64 EUR
13+1.65 EUR
25+1.39 EUR
50+1.23 EUR
100+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6040SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.24W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.6/-3.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60/-60V
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.055/0.13Ω
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LFDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LFDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LFDH-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LNDDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 122000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
auf Bestellung 79750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
15+1.43 EUR
100+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.81 EUR
10+1.36 EUR
100+0.92 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A, 2.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 731pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXB)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6070LND-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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DMC60C32-16DAEWOO
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DMC60C32-24DAEWOO9622
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DMC60C32-24IE
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DMC60C51-164
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DMC60C51E-067
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DMC60C51E-157
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DMC60C51E-161
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DMC60C51EK-042ADAEWOO
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DMC60C52-059
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DMC60C52-061
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DMC60C52-063
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DMC60C52055DAEWOO02+ PLCC
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DMC60C52067DAEWOO00+ PLCC
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DMC62D0SVQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMC62D0SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
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DMC62D0SVQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
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DMC62D0SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R
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DMC62D2SV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, 40pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 10V, 4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V, 1.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
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DMC62D2SV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
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5+0.75 EUR
10+0.55 EUR
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3000+0.11 EUR
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DMC62D2SV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, 40pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 10V, 4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V, 1.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
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3000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
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150000+0.09 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC62D2SVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, 40pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 10V, 4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V, 1.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC62D2SVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT563 T&R 3K
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4+0.89 EUR
10+0.67 EUR
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500+0.25 EUR
1000+0.19 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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DMC62D2SVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 320mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 30V, 40pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 200mA, 10V, 4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04nC @ 10V, 1.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
15000+0.13 EUR
30000+0.12 EUR
75000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMC6317-NSSMSC06/07+
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DMC67D8UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K
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DMC67D8UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 41V-60V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC67D8UFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 60V/20V 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 580mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41pF @ 25V, 443pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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DMC67D8UFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.13 EUR
222+1.05 EUR
258+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC67D8UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
auf Bestellung 450000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC67D8UFDBQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC67D8UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 390 mA, 390 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 390mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.072ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2995 Stücke:
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118+2.13 EUR
222+1.05 EUR
258+0.83 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830-011
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830PR-M
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830PV-015
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830R-019
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830R-032
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830RV-015
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830V-013SOP-20
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830V-014
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830V-016
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC6830V-017
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC7DMC ToolsTool Kits & Cases M83507-11-01 Tool Kit
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC714ADMC ToolsTool Kits & Cases MIL-STD-1760 with Strippers Tool Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC727DMC ToolsTool Kits & Cases Mil-DTL-38999 Series I,II,III,IV Tool Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC727ADMC ToolsTool Kits & Cases Mil-DTL-38999 Power and Coax Tool Kit
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC73C167-003DAEWOO09+ DIP-56
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC73C167-004
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC73C168-011
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC73C168-013
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC73C168-014
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC73C168-015
auf Bestellung 703 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMC74HC08AD
auf Bestellung 100 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC769DMC ToolsTool Kits & Cases Boeing 737 Aircraft Tool Kit
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