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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7884BDP-T1-E3VishaySI7884BDP-T1-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
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66+2.68 EUR
71+2.31 EUR
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250+2.08 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 6043 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.96 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 1178 Stücke:
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115+1.54 EUR
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1000+1.15 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 58A 46W 7.5mohm @ 10V
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1+5.81 EUR
10+3.42 EUR
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1000+2.09 EUR
3000+1.96 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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3000+1.46 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.6W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
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3000+2.42 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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115+1.54 EUR
119+1.43 EUR
120+1.39 EUR
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SI7884BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 58A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7884DP
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SI7884DPVishay / SiliconixMOSFET
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SI7884DP
Produktcode: 60457
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SI7884DP-T1VISHAY2005+ QFN
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SI7884DP-T1-E3VISHAYSO-8
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SI7884DP-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V SO-8 Транзистори
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SI7886ADPVISHAY09+
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SI7886ADP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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SI7886ADP-T1-E3VISHAY
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SI7886ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
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SI7886DPSILICONIX
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SI7886DP-T1SIRLCONIX2002 BGA
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SI7886DP-T1VishayVishay DISCONTINUED - USE Si7886ADP-T1-E3
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SI7886DP-T1(VISHAY)
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Si7886DP-T1-E3VishayVishay
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Si7886DP-T1-E3VISHAYSO-8
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SI7886DP-T1_
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SI7888DP
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SI7888DP-T1
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SI7888DP-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
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SI7888DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7888DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
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SI7888DP-T1E3
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SI7888DY-T1
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SI7892A
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SI7892ADP-T1
auf Bestellung 377 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892ADP-T1-E3VISHAY0710+
auf Bestellung 6000 Stücke:
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SI7892B
auf Bestellung 212 Stücke:
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SI7892BDP-T
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7892BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 8043 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
auf Bestellung 5556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.81 EUR
100+2 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 25A 0.0042Ohm
auf Bestellung 11604 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.77 EUR
100+2.51 EUR
500+2.49 EUR
6000+2.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 25A 5.4W 4.2mohm @ 10V
auf Bestellung 2691 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.14 EUR
10+3.83 EUR
100+2.93 EUR
3000+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 25A; Idm: 60A; 5W
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 40nC
On-state resistance: 5.7mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 60A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.81 EUR
100+2 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892DP
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7892DP-T1VISHAY
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7892DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7894ADP-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 25A 1.9W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7894ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 25A 5.4W 3.6mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si7894DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 12300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.93 EUR
100+2.01 EUR
500+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 23686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+2.59 EUR
100+1.98 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+2.93 EUR
67+2.44 EUR
100+1.89 EUR
250+1.69 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.32 EUR
6000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7898DP-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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61+2.93 EUR
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250+1.83 EUR
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SI7898DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
auf Bestellung 10659 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.26 EUR
10+3.42 EUR
100+2.36 EUR
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SI7898DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 150V 3A SOIC-8 Транзистори
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SI7898DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 13880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SI7898DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7898DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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500+2.07 EUR
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3000+1.86 EUR
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SI7898DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
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SI7898DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7898DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 3 A, 0.085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.9W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI7898DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI7898DY-T1
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SI7900
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7900ADNVISHAY05+
auf Bestellung 480 Stücke:
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SI7900AEDNVISHAYQFN 0611+
auf Bestellung 5000 Stücke:
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SI7900AEDN-T1VISHAYQFN 06+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7900AEDN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
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1+3.72 EUR
10+3.33 EUR
100+2.57 EUR
500+2.14 EUR
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SI7900AEDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 2175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
150+1.18 EUR
153+1.07 EUR
155+1.02 EUR
250+0.96 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 150 Stücke
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SI7900AEDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 16748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.36 EUR
100+1.67 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SI7900AEDN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7900AEDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 8.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7900AEDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7900AEDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7900AEDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7900AEDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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SI7900AEDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2990 Stücke:
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SI7900EDH-T1SI
auf Bestellung 18000 Stücke:
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SI7900EDNSI
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7900EDN-T1
auf Bestellung 19902 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7900EDN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 19636 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7901DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7901EDN
auf Bestellung 763 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7901EDN-T1VISHAY/SIL0251+
auf Bestellung 76379 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7901EDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7901EDN-T1-E3
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7901EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7902EDN-T1-E3
auf Bestellung 314 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904
auf Bestellung 3252 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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