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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI7900EDH-T1SI
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7900EDNSI
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SI7900EDN-T1
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SI7900EDN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 19636 Stücke:
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SI7901DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 238 Stücke:
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SI7901EDN
auf Bestellung 763 Stücke:
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SI7901EDN-T10251+
auf Bestellung 76379 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7901EDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 800µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 6.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7901EDN-T1-E3
auf Bestellung 9000 Stücke:
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SI7901EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7902EDN-T1-E3
auf Bestellung 314 Stücke:
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SI7904
auf Bestellung 3252 Stücke:
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SI7904ADN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 238 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 1262 Stücke:
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196+0.89 EUR
201+0.83 EUR
202+0.8 EUR
204+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3446 Stücke:
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2+2.53 EUR
10+2.26 EUR
100+1.75 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 36507 Stücke:
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2+2.45 EUR
10+2.02 EUR
100+1.57 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.08 EUR
3000+1 EUR
6000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI7904BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904DQFN10 05+
auf Bestellung 393 Stücke:
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SI7904DNSI
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7904DN-T1
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI7904DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI7904DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 100038 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 935µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7904DY
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7905DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7905DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7905DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7905DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V 6.0A 20.8W 60mohm @ 10V
auf Bestellung 4153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7905DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7909DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7909DN-T1-E3
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7909DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 5.3A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7911DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2689 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
auf Bestellung 180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.55 EUR
10+2.92 EUR
100+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
91+2.55 EUR
110+1.96 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.87 EUR
10+4.52 EUR
100+4.36 EUR
500+4.32 EUR
1000+2.78 EUR
3000+1.44 EUR
6000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7913DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.4 A, 7.4 A, 0.066 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.066ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.066ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
110+1.96 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7913DP
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7918DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922AC
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DNVISHAY09+
auf Bestellung 53 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 3190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.37 EUR
100+2.12 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.74 EUR
3000+1.55 EUR
6000+1.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.5A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.5A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.23Ω
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 8nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-E3
Produktcode: 149546
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 100V; 2.5A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.5A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.23Ω
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 2.6W
Gate charge: 8nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 29392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.8 EUR
10+3.08 EUR
50+2.34 EUR
100+2.11 EUR
500+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 7272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.37 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.63 EUR
3000+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7922DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.39 EUR
9000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DNVISHAY07+ TO-92
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
auf Bestellung 3385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
75+2.26 EUR
77+2.11 EUR
100+1.68 EUR
250+1.56 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 6797 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.92 EUR
250+1.86 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.4 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
auf Bestellung 9372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.08 EUR
10+1.73 EUR
100+1.38 EUR
500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+3.62 EUR
88+2.64 EUR
116+1.86 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.36 EUR
6000+1.31 EUR
9000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.4A; 2.8W
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.4A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 75mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.8W
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7923DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.4 A, 6.4 A, 0.075 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.075ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.57 EUR
119+1.81 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7923DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.3A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 34266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.01 EUR
10+2.5 EUR
100+1.99 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7925DN-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7925DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7925DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A PPAK 1212
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
5000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 38677 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 2851 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.42 EUR
89+1.89 EUR
90+1.8 EUR
110+1.43 EUR
250+1.3 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 46W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 2763 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7938DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4800 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 44601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.8 EUR
68+3.46 EUR
100+2.23 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.73 EUR
5000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
auf Bestellung 5361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.38 EUR
10+2.14 EUR
100+1.92 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.12 EUR
6000+1.04 EUR
12000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 46W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 18.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
auf Bestellung 38500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.31 EUR
9000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-ch. 40V 60A SO-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7938DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7940DPVISHAY05+
auf Bestellung 337 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7940DP-T1
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7940DP-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7940DP-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7940DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7940DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI7941DPVISHAY09+
auf Bestellung 1208 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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