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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRLR3103TRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRBFIRDPAK 0831+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRLHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 46A 19mOhm 33.3nC LogLvl
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH Si 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
590+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 55A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 107
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3103TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.019 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 55
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRRHRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3103TR 
auf Bestellung 3080 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105IRTO-252
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRLR3105
Produktcode: 23514
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 57
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRInfineon / IRMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3105; IRLR3105TRL; IRLR3105TR; SP001572894; SP001552778; SP001578856; IRLR3105TR-ML MOSLEADER TIRLR3105 MOS
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.83 EUR
4000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.83 EUR
4000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 13122 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
575+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
10000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 575 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+4.47 EUR
89+2.62 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.86 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+0.88 EUR
197+0.84 EUR
200+0.8 EUR
202+0.76 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.67 EUR
115+1.48 EUR
135+1.24 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
197+0.87 EUR
200+0.84 EUR
202+0.82 EUR
250+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 197 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
auf Bestellung 10082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.58 EUR
100+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3105TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.87 EUR
4000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3105TRRInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZInfineon / IRMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZInternational RectifierN-MOSFET HEXFET 100V 42A 140W 0.014Ω IRLR3110Z TIRLR3110z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZPBF (DPAK)
Produktcode: 48508
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 63 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 14 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3980/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
auf Bestellung: 23 St.
  • 23 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+2.15 EUR
10+1.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 2225 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
10+3.21 EUR
100+2.2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.87 EUR
69+2.4 EUR
70+2.34 EUR
100+1.76 EUR
250+1.69 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 7838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
250+2.2 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
auf Bestellung 32770 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.01 EUR
10+3.22 EUR
100+2.23 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.64 EUR
3000+1.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 250A
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
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IRLR3110ZTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 7838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
72+3.22 EUR
250+2.2 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+3.87 EUR
69+2.32 EUR
70+2.23 EUR
100+1.63 EUR
250+1.52 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBF
Produktcode: 156274
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12031 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
295+2.19 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.75 EUR
10000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 295 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.12 EUR
6000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
56+3.07 EUR
59+2.92 EUR
100+2.75 EUR
250+2.61 EUR
500+2.5 EUR
1000+2.4 EUR
2500+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.8 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInternational RectifierDPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+1.12 EUR
6000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 17711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
250+2.38 EUR
1000+1.9 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.32 EUR
78+2.2 EUR
85+1.96 EUR
103+1.58 EUR
500+1.13 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 35 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 17711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.68 EUR
81+2.88 EUR
250+2.38 EUR
1000+1.9 EUR
3000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+3.32 EUR
78+2.15 EUR
85+1.89 EUR
103+1.5 EUR
500+1.04 EUR
2000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
auf Bestellung 11125 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4 EUR
10+2.14 EUR
100+1.86 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.48 EUR
2000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
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IRLR3110ZTRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.32 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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IRLR3110ZTRRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3110ZTRRPBF - IRLR3110ZTRRPBF - TRENCH 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
314+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 314 Stücke
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IRLR3114ZInfineon Technologies
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IRLR3114ZInternational RectifierDPAK Транзистори
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IRLR3114ZIRTO-252
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IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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129+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
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IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
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IRLR3114ZPBF
Produktcode: 36781
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V
Drain-Strom Idd, A: 130 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 5 St.
  • 5 St. - stock Köln
1+1.5 EUR
10+1.31 EUR
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IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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125+1.38 EUR
126+1.32 EUR
128+1.25 EUR
130+1.19 EUR
131+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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IRLR3114ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
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IRLR3114ZTRInfineonN-MOSFET HEXFET 40V 42A 140W 0.0049Ω IRLR3114Z TIRLR3114z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRLR3114ZTR-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 120A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3114Z; IRLR3114ZTR; SP001568538; SP001569142; IRLR3114ZTR-ML MOSLEADER TIRLR3114z MOS
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRLR3114ZTRPBF
Produktcode: 122894
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В
Drain-Strom Idd, A: 42 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,9 мОм
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.64 EUR
10+1.49 EUR
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IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
592+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 592 Stücke
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IRLR3114ZTRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5462 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.74 EUR
93+1.84 EUR
119+1.39 EUR
136+1.2 EUR
500+0.94 EUR
2000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.29 EUR
157+1.08 EUR
172+0.96 EUR
500+0.81 EUR
2000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.84 EUR
6000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3114ZTRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
auf Bestellung 5177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.25 EUR
10+1.55 EUR
100+1.38 EUR
500+1.08 EUR
1000+1.01 EUR
2000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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