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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
MMUN2233LT1MOTOROLASOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1onsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2233LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1onsemiDescription: TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7869+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 23960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1520+0.15 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3473+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
136+0.15 EUR
220+0.095 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GOn SemiconductorТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2233LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 23960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1520+0.15 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3473+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
320+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 320 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GONN
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 67036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3247+0.052 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.027 EUR
27000+0.026 EUR
51000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 3247 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1GON-SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 MMUN2233LT1G ONS TMMUN2233
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233LT1G-GKGOODWORKDescription: 50V 100mA 200mW SOT-23
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2233RLT1
auf Bestellung 5023 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1onsemiBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1onsemiDescription: TRANS BRT PNP 50V SOT-23
Packaging: Bulk
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3030+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3030 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4567+0.14 EUR
10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4567 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2234LT1 - TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9804+0.018 EUR
10102+0.017 EUR
10417+0.015 EUR
11236+0.014 EUR
15000+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 9804 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.38 EUR
1108+0.21 EUR
1737+0.12 EUR
2482+0.087 EUR
2817+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12196+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 12196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
196+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 25862 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12196+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 12196 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
736+0.24 EUR
1247+0.13 EUR
1311+0.12 EUR
1323+0.12 EUR
2054+0.071 EUR
2084+0.068 EUR
2899+0.046 EUR
4831+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 736 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2234LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 3508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
650+0.38 EUR
1108+0.21 EUR
1737+0.12 EUR
2482+0.087 EUR
2817+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 650 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 3410 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
9000+0.046 EUR
15000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 52426 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3485+0.049 EUR
5918+0.029 EUR
6536+0.025 EUR
9616+0.015 EUR
10102+0.014 EUR
10417+0.013 EUR
11236+0.012 EUR
Mindestbestellmenge: 3485 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2234LT1GOn SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1onsemiDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
1068+0.21 EUR
1704+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2696+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1740+0.099 EUR
1835+0.093 EUR
2440+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1740 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2542 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
107+0.2 EUR
172+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 37956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.39 EUR
1068+0.21 EUR
1704+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2696+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
auf Bestellung 1946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2235LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3473+0.071 EUR
9000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3473 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 934 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 934 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 47kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 3820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.2 EUR
569+0.15 EUR
857+0.1 EUR
1027+0.083 EUR
1296+0.065 EUR
1525+0.056 EUR
1767+0.048 EUR
1916+0.044 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1728+0.1 EUR
1819+0.092 EUR
2422+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 1728 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2235RLT1
auf Bestellung 141000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2236LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
auf Bestellung 1168 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2236LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 82000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2236LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
196+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2236LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2237LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3847+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3847 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Base-emitter resistor: 22kΩ
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.66 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20834+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 261000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9458+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 9458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GON SemiconductorBipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 15199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2237LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 111000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20834+0.049 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 20834 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238Lonsemi SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1ONSOT-23
auf Bestellung 7740 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 69000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.057 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON07+;
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
1129+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1210895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
100000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2238LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
auf Bestellung 1230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.37 EUR
1129+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 14954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
113+0.19 EUR
183+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9091+0.071 EUR
10205+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 9091 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2238LT1GONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Current gain: 160...350
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2240Lonsemi NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2240LT1GonsemiDigital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR
auf Bestellung 14578 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2240LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 117000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22223+0.029 EUR
100000+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 22223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2240LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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MMUN2240LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2240LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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MMUN2240LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2240LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2240LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2240LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMUN2240LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMUN2241LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
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MMUN2241LT1ONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2241LT1 - TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMUN2241LT1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
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MMUN2241LT1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2241LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2241LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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15000+0.065 EUR
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MMUN2241LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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22223+0.029 EUR
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MMUN2241LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistors Included: R1 Only
auf Bestellung 35818 Stücke:
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77+0.27 EUR
130+0.17 EUR
212+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMUN2241LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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22223+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 22223 Stücke
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MMUN2241LT1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 22368 Stücke:
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13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMUN2241LT1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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22223+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 22223 Stücke
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MMUN2241LT1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
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Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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