Produkte > DMN
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| DMN601WK | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| DMN601WK-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 414 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | auf Bestellung 826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Channel | auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN601WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WK-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 414 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 414 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WKQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WKQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WKQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | auf Bestellung 8862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN601WKQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 2N7002 Family | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN601WKQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN601WKQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 7152 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6022SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6022SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6022SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 2303 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6022SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 1397 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6022SSD-13 Produktcode: 178551
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN6022SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 6089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6022SSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 24884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | auf Bestellung 19939 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | auf Bestellung 17500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SE-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDE-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K | auf Bestellung 75080 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SFDE-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.66W Case: U-DFN2020-6 Type E Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDE-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.03W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm | auf Bestellung 2540 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDE-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerUDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDE-7 транзистор Produktcode: 221983
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 10K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 366000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 660mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-PowerUDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R | auf Bestellung 591000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SFDEQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 3K | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 172500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 38 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 3664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-CH MOSFET | auf Bestellung 24470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 777500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 60V 20A TO252 Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 540000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 18 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | auf Bestellung 1748 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SK3Q-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SK3Q-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SK3Q-13 | Diodes Zetex | High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 2363 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 175000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 135000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.1A Power dissipation: 0.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 91 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1727500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 1323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2247500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 39 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K | auf Bestellung 9806 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1755000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1672500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 910000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A | auf Bestellung 3864 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 1727500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| DMN6040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 911975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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