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DMN6040SK3Q-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR
5000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SK3Q-13

High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SK3Q-13

High Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1498 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

169+	1.49 EUR
260+	0.89 EUR
410+	0.52 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 169 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 135000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.32 EUR
12500+	0.29 EUR
25000+	0.26 EUR
37500+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 4700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

DIODES INCORPORATED

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape

auf Bestellung 324 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	0.88 EUR
173+	0.49 EUR
232+	0.37 EUR
248+	0.35 EUR
260+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1727500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 52500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2247500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 39 Stücke

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DMN6040SSD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 9806 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.12 EUR
10+	0.73 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.38 EUR
2500+	0.37 EUR
5000+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMN6040SSD-13

Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

auf Bestellung 1375 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

156+	1.61 EUR
186+	1.25 EUR
275+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 156 Stücke

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DMN6040SSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4766 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

14+	1.57 EUR
22+	0.98 EUR
100+	0.63 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 37500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1755000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 135000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 175000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 270 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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DMN6040SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A

auf Bestellung 3864 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.09 EUR
10+	0.81 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.4 EUR
2500+	0.36 EUR
5000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMN6040SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1727500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 911975 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

17+	1.26 EUR
20+	1.07 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.58 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

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DMN6040SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSDQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 910000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.42 EUR
5000+	0.4 EUR
12500+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1672500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 317500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 14813 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.78 EUR
19+	1.11 EUR
25+	0.93 EUR
50+	0.81 EUR
100+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 910000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

388+	0.64 EUR
538+	0.43 EUR
654+	0.33 EUR
710+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 388 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 847500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 480000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5.5A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.43 EUR
7500+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5

auf Bestellung 4498 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.5 EUR
10+	0.36 EUR
100+	0.3 EUR
2500+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 910000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SSS-13

Description: DIODES INC. - DMN6040SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.5 A, 0.03 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 2430 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

388+	0.64 EUR
538+	0.43 EUR
654+	0.33 EUR
710+	0.3 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 388 Stücke

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DMN6040SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5.5A 8-Pin SO T/R

auf Bestellung 1527 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

276+	0.64 EUR
384+	0.45 EUR
388+	0.44 EUR
500+	0.33 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 276 Stücke

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DMN6040SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 41V60V SO-8 T&R 2.5K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSSQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.32 EUR
5000+	0.31 EUR
12500+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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DMN6040SSSQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K

auf Bestellung 925 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.71 EUR
10+	1.21 EUR
100+	0.75 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR
2500+	0.33 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 114000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 2118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

437+	0.4 EUR
462+	0.37 EUR
464+	0.36 EUR
538+	0.3 EUR
541+	0.27 EUR
609+	0.24 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 437 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 174000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 114000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
27000+	0.2 EUR
54000+	0.19 EUR
81000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V

auf Bestellung 7539 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.46 EUR
24+	0.9 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 180000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 2118 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

464+	0.38 EUR
538+	0.32 EUR
541+	0.31 EUR
609+	0.27 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 464 Stücke

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DMN6040SVT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.33 EUR
6000+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 225000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVT-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 60V N-Ch 44mOhm 10V VGS 5.0A

auf Bestellung 17960 Stücke:

Lieferzeit 290-294 Tag (e)

2+	2.12 EUR
10+	1.52 EUR
100+	0.94 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVT-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 171000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6040SVTQ-13

Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	1.38 EUR
241+	0.96 EUR
349+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.39 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 181 Stücke

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DMN6040SVTQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-13

Description: DIODES INC. - DMN6040SVTQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.03 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 9808 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

181+	1.38 EUR
241+	0.96 EUR
349+	0.62 EUR
500+	0.49 EUR
1000+	0.39 EUR
5000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 181 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 648000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.21 EUR
6000+	0.2 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs 60V Single N-Ch FET 44mOhm 10V 5.0A

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 8377 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.68 EUR
21+	1.05 EUR
100+	0.68 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 162000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 324000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
81000+	0.36 EUR
162000+	0.32 EUR
243000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 324000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR
6000+	0.31 EUR
9000+	0.27 EUR
30000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.39 EUR
6000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 126000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.23 EUR
6000+	0.21 EUR
9000+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

auf Bestellung 258000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.32 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6040SVTQ-7-52

Trans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6041SVT-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6041SVT-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6041SVT-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6041SVT-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6041SVTQ-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6041SVTQ-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

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DMN6041SVTQ-7

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 3K

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DMN6041SVTQ-7

Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

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Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.3 EUR
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DMN6066SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R

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DMN6066SSD-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A

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DMN6066SSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.74 EUR
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12500+	0.68 EUR

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DMN6066SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R

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DMN6066SSD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 3.3A 8-Pin SO T/R

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DMN6066SSD-13

Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 502pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

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DMN6066SSDQ-13

Diodes Incorporated

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2.5K

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DMN6066SSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 3.7A 8-Pin SO T/R

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DMN6066SSS-13

Diodes Incorporated

MOSFETs MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A

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