Produkte > DMN

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 47  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN601WK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 0.2W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
auf Bestellung 826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
66+0.32 EUR
106+0.2 EUR
500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Channel
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.38 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 414 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 414 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
auf Bestellung 8862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.64 EUR
100+0.4 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
2500+0.2 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2976+0.067 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 2976 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7152 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.75 EUR
146+1.59 EUR
221+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2303 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.05 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6022SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 14 A, 14 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.75 EUR
146+1.59 EUR
221+0.98 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13
Produktcode: 178551
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 6089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.09 EUR
10+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6022SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 2085 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.19 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 24884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.2 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 19939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
23+0.94 EUR
100+0.65 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 17500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.36 EUR
12500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
210+1.11 EUR
315+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 2280 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
25+0.95 EUR
50+0.84 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 U-DFN2020-6 T&R 3K
auf Bestellung 75080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.1A; Idm: 30A; 0.66W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.66W
Case: U-DFN2020-6 Type E
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.06 EUR
131+0.65 EUR
197+0.43 EUR
400+0.35 EUR
500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SFDE-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.03 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.03W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.33 EUR
210+1.11 EUR
315+0.68 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDE-7 транзистор
Produktcode: 221983
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 10K
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.5 EUR
6000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 366000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.3A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type E)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerUDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
auf Bestellung 591000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SFDEQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T and R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
339+0.69 EUR
432+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 172500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 60V 20A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 3664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+1.5 EUR
339+0.69 EUR
432+0.5 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-CH MOSFET
auf Bestellung 24470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+0.89 EUR
100+0.79 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 777500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13DiodesТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 60V 20A TO252
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
25+1.02 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 540000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 1748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.2 EUR
100+1.06 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.74 EUR
2500+0.67 EUR
5000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3Q-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SK3Q-13Diodes ZetexHigh Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2363 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
18+1.19 EUR
25+1 EUR
50+0.88 EUR
100+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 175000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
214+1.08 EUR
329+0.65 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 135000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.32 EUR
12500+0.29 EUR
25000+0.26 EUR
37500+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.1A; 0.8W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 0.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1727500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6040SSD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
184+1.26 EUR
281+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2247500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 270 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K
auf Bestellung 9806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.12 EUR
10+0.73 EUR
100+0.45 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.38 EUR
2500+0.37 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 37500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1755000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1672500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 910000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.42 EUR
5000+0.4 EUR
12500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual N-Ch FET 40mOhm 10V 5.0A
auf Bestellung 3864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.09 EUR
10+0.81 EUR
100+0.58 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.4 EUR
2500+0.36 EUR
5000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 1727500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1287pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 911975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
20+1.07 EUR
100+0.74 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 28 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 44 47  Nächste Seite >> ]