Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRLR3110ZTRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3110ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | auf Bestellung 7938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12031 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRLPBF Produktcode: 156274
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4650 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 1185 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | auf Bestellung 19103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | verfügbar 35 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5245 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC | auf Bestellung 9462 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V | auf Bestellung 9324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm | auf Bestellung 19103 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRPBF | International Rectifier | DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V HEXFET 14mOhms 15nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3110ZTRRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3110ZTRRPBF - IRLR3110ZTRRPBF - TRENCH 100V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3110ZTRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114Z | International Rectifier | DPAK Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114Z | IR | TO-252 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114Z | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLR3114ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 881 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZPBF Produktcode: 36781
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| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 V Drain-Strom Idd, A: 130 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,0049 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3810/40 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | verfügbar: 5 St.
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| IRLR3114ZTR | Infineon | N-MOSFET HEXFET 40V 42A 140W 0.0049Ω IRLR3114Z TIRLR3114z Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 9mOhm; 120A; 52,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3114Z; IRLR3114ZTR; SP001568538; SP001569142; IRLR3114ZTR-ML MOSLEADER TIRLR3114z MOS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF Produktcode: 122894
1
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 40 В Drain-Strom Idd, A: 42 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,9 мОм Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 32 St.
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V | auf Bestellung 650 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC | auf Bestellung 5570 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3303 | IR | TO-252 | auf Bestellung 8220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 17.3nC LogLvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410 | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410 Produktcode: 30761
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLR3410CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF Produktcode: 105980
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 17 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 39 St.
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| IRLR3410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 6 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JGSEMI TIRLR3410 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR UMW TIRLR3410 UMW Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR HXY MOSFET TIRLR3410 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | JSMSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JSMICRO TIRLR3410 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 1814 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 20A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-CN CHIPNOBO TIRLR3410 CNB Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-ML MOSLEADER TIRLR3410 MOS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | International Rectifier | TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 578 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 0.105Ω Gate-source voltage: ±16V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | auf Bestellung 7333 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |