Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRLR3114ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 36 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5462 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC | auf Bestellung 5177 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3730 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3114ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 42 A, 4900 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm | auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V | auf Bestellung 20426 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 130A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3114ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3303 | IR | TO-252 | auf Bestellung 8220 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303HR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRLHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 33A 31mOhm 17.3nC LogLvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 17.3nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRRHR | Infineon / IR | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3303TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 35A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410 | IR | 07+ TO-252 | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12828 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410 | International Rectifier | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410 Produktcode: 30761
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLR3410CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ptot, Вт = 79, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 75 Stücke | verfügbar 6 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF Produktcode: 105980
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 17 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 39 St.
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| IRLR3410PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410PBF-INF | Infineon Technologies | Description: HEXFET POWER MOSFET Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TR | JSMSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JSMICRO TIRLR3410 JSM Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TR | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410 TIRLR3410 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 1314 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR JGSEMI TIRLR3410 JGS Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR HXY MOSFET TIRLR3410 HXY Anzahl je Verpackung: 25 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR-CN | CHIPNOBO | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 20A; 41,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-CN CHIPNOBO TIRLR3410 CNB Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3410; IRLR3410TRL; IRLR3410TR; IRLR3410TRR; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920; IRLR3410TR-ML MOSLEADER TIRLR3410 MOS Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | auf Bestellung 33849 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 12A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A On-state resistance: 0.105Ω Gate-source voltage: ±16V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv | auf Bestellung 8474 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2580 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | International Rectifier | TO252 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 1519 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRLPBF (Transistor) Produktcode: 89552
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak (TO-252) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 17 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | verfügbar: 6 St.
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| IRLR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Drain current: 15A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Case: DPAK | auf Bestellung 1624 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC | auf Bestellung 22072 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 338000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 5803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | auf Bestellung 6506 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 228000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 79W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm | auf Bestellung 5803 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3410TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 64 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3410TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLR3412 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR3412PBF | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR3636 | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 17mOhm; 80A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR3636; IRLR3636TRL; IRLR3636TR; SP001553190; SP001569134; SP001574002; IRLR3636 HXY MOSFET TIRLR3636 HXY Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLR3636 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLR3636 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLR3636PbF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3636PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLR3636PBF - IRLR3636 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3636PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLR3636PBF Produktcode: 105188
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-252/D-Pak Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Idd, A: 50 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,054 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3779/33 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD ZCODE: 8541290010 | auf Bestellung: 59 St.
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