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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9609-75A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 440A; 230W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 75V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 18.9mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-75A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9609-75A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0085 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-75A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-75A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.39 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-75A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9609-75BPHILIPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK960940B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK960955A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK960975A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-100BPHILIPSTO-263
auf Bestellung 790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11045 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.41 EUR
43+3.87 EUR
46+3.49 EUR
100+3.13 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-100B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-55A
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4307 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4307 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9610100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961030
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-80E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9611-80E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 8300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 182W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
auf Bestellung 4351 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
41+5.76 EUR
100+4.05 EUR
500+3.19 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2 EUR
1600+1.86 EUR
2400+1.78 EUR
4000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.3 EUR
55+3.05 EUR
100+2.2 EUR
500+1.75 EUR
800+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-80E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-80E,118NexperiaMOSFETs BUK9611-80E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+3.71 EUR
100+2.56 EUR
500+1.96 EUR
800+1.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9611-80E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7149 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4526 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.82 EUR
10+3.78 EUR
100+2.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961155A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9612-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 79A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 148000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.43 EUR
500+1.27 EUR
800+1.15 EUR
2400+1.08 EUR
4800+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9612-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.14 EUR
10+2.82 EUR
100+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9612-55B,118NexperiaMOSFETs BUK9612-55B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.89 EUR
100+2.07 EUR
800+1.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9612-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3693 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.57 EUR
1600+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9612-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9612-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.01 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961255B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55APHILIPSTO-263
auf Bestellung 785 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9614-55A,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1600+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 1600 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 73A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3307 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 73A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
647+1 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 647 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3307 pF @ 25 V
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 73A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 2273 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
683+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 683 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-55A118NXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA BUK9614-55A 73A, 55
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9614-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9614-60E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
auf Bestellung 11441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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BUK9614-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 56A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2651 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9614-60E,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9614-60E,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0103 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 96
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0103
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+3.8 EUR
74+3.15 EUR
100+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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BUK9614-60E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9614-60E - POWER
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BUK961430
auf Bestellung 8639 Stücke:
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BUK961455
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK961455A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK9615-100
auf Bestellung 750 Stücke:
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BUK9615-100A
auf Bestellung 694 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK9615-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
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BUK9615-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+1.65 EUR
106+1.57 EUR
108+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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BUK9615-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK9615-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.43 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
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BUK9615-100E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK
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 Mindestbestellmenge: 159 Stücke
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BUK9615-100E,118NexperiaMOSFET N-CHANNEL TRENCH LOGIC LEVEL
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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BUK9615-100E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 66A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
266+2.43 EUR
500+2.17 EUR
1000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 266 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96150-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 13A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 339 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 137mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BUK9615055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9615100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3085 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-75B
auf Bestellung 647 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.48 EUR
1600+1.36 EUR
2400+1.3 EUR
4000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-75B,118NexperiaMOSFETs BUK9616-75B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.56 EUR
100+1.81 EUR
800+1.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 30850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
371+1.74 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.39 EUR
10000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 371 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4034 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 6355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.44 EUR
10+2.86 EUR
100+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9616-75B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 47A; Idm: 270A; 157W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 157W
Gate-source voltage: ±15V
Drain current: 47A
Drain-source voltage: 75V
Pulsed drain current: 270A
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961655A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961675B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9618-55
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9618-55APHILIPSTO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9618-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9618-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9618-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96180-100APHILIPSTO-263
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96180-100A,118NXPTrans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK BUK96180-100A,118 BUK96180-100A TBUK96180-100a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96180-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96180-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 1940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96180-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 619 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK96180100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961830
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961855
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961855A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961B-55APHILIPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R4-30E,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R4-30E,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R4-30E,118NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R5-30E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4442 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R5-30E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.5 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
118+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R5-30E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
223+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 223 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R6-40E,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 40V 120A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.2 EUR
1600+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R6-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.6 EUR
10+5.7 EUR
100+4.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R7-40E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15010 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK961R7-40E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15010 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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