Produkte > PDT
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTC144WU,115 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 60 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 47kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTC144WU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC144WU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC144W Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTC144WU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTC144WU,115 | Nexperia | Digital Transistors PDTC144WU/SOT323/SC-70 | auf Bestellung 393 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTC144WU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTC144WU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTC144WU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTC144WU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTC144W Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - | auf Bestellung 709 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTC144WU-QX | Nexperia | PDTC144WU-Q/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 12 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTC144WU-X | PHILIPS | SOT23 | auf Bestellung 1216 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTC144WU/t20 | auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PDTC144YE | auf Bestellung 1645 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PDTC323TK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SMT3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTCXE | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| PDTD1113ET215 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 180 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EK | NXP | 07+ SOT-23 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EQA147 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 69955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 64955 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .1A NPN RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 64955 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 1kΩ Current gain: 33 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 461 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RE T | auf Bestellung 3770 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3867 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 363000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 461 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 36043 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET-QR | Nexperia | PDTD113ET-Q/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU115 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA PDTD113EU - SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EU135 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 425mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD1xxxU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD1xxxU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZQA147 | NXP | Description: NXP - PDTD113ZQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 18800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500MA Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 940 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500MA Packaging: Bulk Part Status: Active | auf Bestellung 28089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 28089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 210 MHz Power - Max: 325 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 18800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 19985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 19985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT | Nexperia | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTD113ZT | NXP | NPN 50V 500mA 250mW +res. 1k+10k PDTD113ZT smd TPDTD113zt Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1510 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | (SOT-23, TO236AB) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 10805 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 389 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP | (SOT-23) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 75000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 1kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Current gain: 70 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTD113ZT/SOT23/TO-236AB | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | auf Bestellung 2300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Grade: Automotive DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| PDTD113ZT.215 Produktcode: 61440
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
| Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 10416 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 106849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZTVL - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 106849 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZU-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113ZU-Q/SOT323/SC-70 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
