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MOSFETs IFX FET > 60-80V

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1+	5.32 EUR
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IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

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IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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2500+	1.05 EUR

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IPD053N08N3GATMA1

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IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

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2500+	1.92 EUR

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IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD053N08N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

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2500+	1.68 EUR

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IPD053N08N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-Ch 80V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

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IPD053N08N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 40 V

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IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

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IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm

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IPD055N08NF2SATMA1

Trans MOSFET N-CH 80V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD055N08NF2SATMA1

MOSFETs IFX FET > 60-80V

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500+	1.29 EUR
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IPD055N08NF2SATMA1

Description: MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 55µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V

auf Bestellung 849 Stücke:

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6+	4 EUR
10+	2.55 EUR
50+	1.93 EUR
100+	1.73 EUR
500+	1.37 EUR

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IPD055N08NF2SATMA1

Description: INFINEON - IPD055N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 98 A, 4700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 107W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm

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58+	4.32 EUR
82+	2.83 EUR
126+	1.71 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.33 EUR

Mindestbestellmenge: 58 Stücke

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IPD055N08NF2SATMA1
Produktcode: 199783

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IPD05N03

auf Bestellung 12000 Stücke:

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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IPD05N03LA G

09+

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3110 pF @ 15 V

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IPD05N03LAG

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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IPD05N03LB

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD05N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

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IPD05N03LBG

to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

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IPD060N03L G

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03L G

Description: INFINEON - IPD060N03L G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
Verlustleistung: 56
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

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IPD060N03L G E8177

MOSFET

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IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD060N03LG

Description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

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8+	2.84 EUR
12+	1.8 EUR
100+	1.2 EUR
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IPD060N03LG (N-Kanal-FETs) (IPD060N03LGATMA1)
Produktcode: 45565

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Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541 29 00 10

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IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm

auf Bestellung 2567 Stücke:

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100+	2.62 EUR
153+	1.52 EUR
233+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

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IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4985 Stücke:

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96+	1.8 EUR
140+	1.19 EUR
202+	0.79 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.42 EUR

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IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

709+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 709 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.77 EUR
7500+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3821 Stücke:

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134+	1.29 EUR
200+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 134 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 6648 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

709+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 709 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

MOSFETs N-Ch 30V 50A DPAK-2

auf Bestellung 5803 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	2.84 EUR
10+	1.34 EUR
100+	1.2 EUR
500+	0.94 EUR
2500+	0.73 EUR
5000+	0.68 EUR
25000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4985 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

95+	1.81 EUR
140+	1.21 EUR
201+	0.82 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.57 EUR
2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 95 Stücke

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IPD060N03LGATMA1

Description: INFINEON - IPD060N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 56W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm

auf Bestellung 2567 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

96+	2.62 EUR
153+	1.52 EUR
233+	0.92 EUR
500+	0.71 EUR
1000+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 96 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

709+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 709 Stücke

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IPD060N03LGATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3

auf Bestellung 440 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

66+	1.3 EUR
78+	1.11 EUR
87+	0.99 EUR
117+	0.73 EUR
133+	0.64 EUR

Mindestbestellmenge: 66 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.51 EUR
5000+	0.49 EUR
7500+	0.48 EUR
12500+	0.46 EUR
17500+	0.45 EUR
25000+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 157736 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

709+	0.9 EUR
1000+	0.83 EUR
10000+	0.73 EUR
100000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 709 Stücke

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IPD060N03LGATMA1

auf Bestellung 30352 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	2.89 EUR
12+	1.83 EUR
50+	1.37 EUR
100+	1.21 EUR
500+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

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IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 3821 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

86+	2 EUR
134+	1.25 EUR
200+	0.8 EUR
500+	0.61 EUR
1000+	0.52 EUR
2500+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 86 Stücke

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IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.51 EUR
5000+	0.48 EUR
7500+	0.46 EUR
12500+	0.44 EUR
17500+	0.42 EUR
25000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD060N03LGATMA1

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD060N03LGBTMA1

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD060N03LGINCT

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD068N10N3 G

MOSFET N-Ch 100V 90A DPAK-2 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD068N10N3 G

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4999 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

43+	4.05 EUR
50+	3.83 EUR
100+	3.63 EUR
250+	3.44 EUR
500+	3.3 EUR
1000+	3.17 EUR
2500+	3.02 EUR

Mindestbestellmenge: 43 Stücke

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IPD068N10N3 G

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2466 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.41 EUR
10+	2.83 EUR
100+	1.94 EUR
500+	1.55 EUR
1000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD068N10N3G

Description: MOSFET N-CH 100V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.59 EUR
119+	1.4 EUR
120+	1.33 EUR
125+	1.23 EUR
250+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 108 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 434 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

108+	1.59 EUR
119+	1.44 EUR
120+	1.39 EUR
125+	1.3 EUR
250+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 108 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

auf Bestellung 8128 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10+	2.15 EUR
12+	1.86 EUR
100+	1.83 EUR

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

MOSFETs IFX FET >80 - 100V

auf Bestellung 31177 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.86 EUR
1000+	1.75 EUR
2500+	1.74 EUR

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IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD068N10N3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm

auf Bestellung 2531 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.59 EUR
77+	3.03 EUR
100+	2.31 EUR
500+	1.93 EUR
1000+	1.84 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.5 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GATMA1

Trans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 20000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068N10N3GBTMA1

Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

MOSFETs P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD068P03L3 G

auf Bestellung 157500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3 G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

auf Bestellung 6607 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 2387 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.37 EUR
14+	1.5 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3G

Description: MOSFET P-CH 30V 70A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3G

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.75 EUR
5000+	0.71 EUR
7500+	0.69 EUR
12500+	0.67 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -70A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 100W

auf Bestellung 2014 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

91+	0.94 EUR
103+	0.83 EUR
110+	0.77 EUR
117+	0.74 EUR
121+	0.7 EUR
500+	0.67 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 91 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1350 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

676+	0.95 EUR
1000+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 676 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1137 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	3.65 EUR
108+	2.15 EUR
163+	1.32 EUR
500+	1.04 EUR
1000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2459 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

77+	2.26 EUR
110+	1.55 EUR
156+	1.06 EUR
500+	0.83 EUR
1000+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V

auf Bestellung 12219 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.53 EUR
10+	2.24 EUR
50+	1.69 EUR
100+	1.51 EUR
500+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Trans MOSFET P-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.75 EUR
5000+	0.7 EUR
7500+	0.67 EUR
12500+	0.63 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

MOSFETs P-CHANNEL (NEGATIVE)

auf Bestellung 7876 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.47 EUR
10+	2.23 EUR
100+	1.49 EUR
500+	1.18 EUR
1000+	1.07 EUR
2500+	1.01 EUR
5000+	0.96 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2342 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3 EUR
117+	1.99 EUR
161+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.96 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GATMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.98 EUR
7500+	0.88 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD068P03L3GBTMA1

Description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7720 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03L

INF

07+;

auf Bestellung 300000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA

MOSFET N-KANAL POWER MOS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA

07+ to-252/d-pak

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA G

MOSFET N-Ch 25V 50A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA G

TO-252

auf Bestellung 1207 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD06N03LA G

Description: MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD06N03LAG

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2653 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V

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IPD06N03LAG

Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK

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to-252/d-pak

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IPD06N03LAGBUMA1

MOSFET

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IPD06N03LB G

MOSFET N-Ch 30V 50A DPAK-2

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IPD06N03LB G

Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD06N03LBG

07+ to-252/d-pak

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IPD06P002NATMA1