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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PJA3401-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
32+0.67 EUR
52+0.4 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET, -30 V, -3.6 A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401-R1-00501PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A-R1-00501PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A-R2-00001PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 5278 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.37 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -14.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 86mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1783 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+0.37 EUR
286+0.3 EUR
511+0.17 EUR
792+0.11 EUR
1000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 15 V
auf Bestellung 122567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
36+0.58 EUR
60+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 994 pF @ 15 V
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.096 EUR
21000+0.092 EUR
30000+0.088 EUR
75000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: P -30V -3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.068 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401A_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
auf Bestellung 5375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 3729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
11+0.32 EUR
100+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 633 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.6A, 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401_R1_00001PanJitPJA3401_R1_00001
auf Bestellung 2590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
869+0.48 EUR
1000+0.3 EUR
2000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 869 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: P -30V -3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
311+0.068 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 311 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3401_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
19+1.11 EUR
31+0.68 EUR
100+0.43 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
auf Bestellung 15735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.43 EUR
100+0.25 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00001PanJitPJA3402_R1_00001
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1005+0.36 EUR
2000+0.19 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 1005 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 169136 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.4A; Idm: 17.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 11.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 92mΩ
auf Bestellung 9005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
618+0.14 EUR
826+0.1 EUR
916+0.093 EUR
991+0.086 EUR
1038+0.082 EUR
3000+0.074 EUR
9000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3402_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
30+0.71 EUR
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.1A; Idm: -12.4A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.1A
Pulsed drain current: -12.4A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+0.36 EUR
350+0.24 EUR
601+0.14 EUR
688+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 2195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.68 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.2 EUR
3000+0.17 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3403_R1_00001Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT23 N-CH 30V 5.6A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
103+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404-AU_R1_000A1PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 3439 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.39 EUR
100+0.21 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PJA3404-AU_R1_000A1 Transistor
Produktcode: 216261
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Transistoren > MOSFET N-CH
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PJA3404-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 N CHAN 30V
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PJA3404-R1-00501PanjitArray
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PJA3404-R2-00001PanjitMOSFETs
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PJA3404A-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 N CHAN 30V
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PJA3404A-R2-00001PanjitMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 15 V
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.1 EUR
6000+0.093 EUR
9000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404A_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 6832 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
13+0.27 EUR
100+0.13 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.083 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404A_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 15 V
auf Bestellung 13646 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
42+0.5 EUR
69+0.31 EUR
111+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404A_R1_00001PanJitPJA3404A_R1_00001
auf Bestellung 2975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
851+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 851 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404A_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+0.096 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.086 EUR
15000+0.082 EUR
30000+0.08 EUR
75000+0.073 EUR
150000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404A_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 62724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.35 EUR
100+0.17 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.075 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343 pF @ 15 V
auf Bestellung 15688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.36 EUR
100+0.21 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00001PanJitPJA3404_R1_00001
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
944+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 944 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343 pF @ 15 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: N 30V 5.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
310+0.068 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.058 EUR
30000+0.056 EUR
75000+0.052 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 310 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.6A; Idm: 22A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.6A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+0.61 EUR
207+0.42 EUR
459+0.19 EUR
500+0.17 EUR
569+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3404_R2_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 417 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 111733 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
40+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 30463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.61 EUR
100+0.31 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 417 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 108000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
75000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 417 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 11968 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
34+0.63 EUR
100+0.32 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.23 EUR
2000+0.2 EUR
5000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405-AU_R2_000A1Panjit International Inc.Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 417 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 417 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 9615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.6 EUR
10+0.43 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3405_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 417 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13274 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
36+0.58 EUR
100+0.3 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406-AU-R1-000A1PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406-R1-00001PanjitMOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406-R1-00501PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001PanjitMOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 373771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.19 EUR
500+0.18 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Supplier Device Package: SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 39728 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.92 EUR
33+0.64 EUR
100+0.32 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: N 30V 4.4A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+0.068 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
6000+0.061 EUR
15000+0.06 EUR
30000+0.057 EUR
75000+0.054 EUR
150000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3406_R2_00001PanjitMOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407-R1-00001PanjitMOSFETs SOT23 P CHAN 30V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407-R1-00501PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407E-R1-00001PanjitArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407E-R1-00501PanjitArray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407E_R1_00501PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 360mA; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.36A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Kind of channel: enhancement
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001
Produktcode: 177008
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.8A; Idm: -15.2A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2364 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
243+0.35 EUR
391+0.21 EUR
527+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
auf Bestellung 4048 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.55 EUR
100+0.35 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.87 EUR
10+0.54 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 528 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R1_00001-MLMOSLEADERDescription: P -30V -3.8A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 300000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+0.07 EUR
1000+0.068 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.062 EUR
15000+0.061 EUR
30000+0.058 EUR
75000+0.055 EUR
150000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3407_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
48+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409-AU_R1_000A1PanjitMOSFET /A09/TR/7"/HF/3K/SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMP/NF30T-QI13/PJ///
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001PanjitMOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 10967 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.02 EUR
10+0.8 EUR
100+0.45 EUR
500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
auf Bestellung 108791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
22+0.96 EUR
30+0.71 EUR
100+0.4 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001PanJit SemiconductorCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -11.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -11.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
186+0.46 EUR
300+0.29 EUR
469+0.18 EUR
619+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 186 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R1_00001Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 396 pF @ 15 V
auf Bestellung 99000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3409_R2_00001PanjitMOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU-R1-000A1PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU-R2-000A1PanjitMOSFETs SOT-23/MOS/SOT/NFET-20TMP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PJA3411-AU_R1_000A1Panjit International Inc.Description: SOT-23, MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 416 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 62904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
42+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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